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制造半导体元件的方法包括以下步骤。在基板上形成第一层间介电质层。在第一层间介电质层上形成化学机械研磨停止层。通过对化学机械研磨停止层与第一层间介电质层进行图案化来形成沟槽开口。通过在沟槽开口中形成第一导电层来形成下层第一制程标记。在下层第一...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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