【技术实现步骤摘要】
半导体存储器件
一些专利技术构思的一些示例实施方式涉及一种半导体存储器件，更具体地，涉及包括多个存储单元的半导体存储器件。
技术介绍
半导体器件由于其小尺寸、多功能性和/或低制造成本而在电子产业中是有益的。半导体器件的示例包括存储逻辑数据的半导体存储器件、处理逻辑数据的操作的半导体逻辑器件、以及具有存储元件和逻辑元件两者的混合半导体器件。随着电子产业的先进发展，半导体器件已经日益集成。例如，越来越要求半导体器件表现出诸如高可靠性、高速度和/或多功能性的特性。半导体器件已经逐渐复杂化并集成以满足这些要求的特性。
技术实现思路
根据一些方面构思的一些示例实施方式，一种半导体存储器件可以包括：在基板上的多个存储单元，所述多个存储单元中的每个包括存取晶体管和下拉晶体管；在存储单元上的第一线层，第一线层包括第一下着陆焊盘和第二下着陆焊盘；在第一线层上的第二线层，该第二线层包括具有开口的接地线和在开口中的上着陆焊盘；以及在第二线层上的包括字线的第三线层。接地线可以通过第一下着陆焊盘电连接到下拉晶体管的端子。字线可以通过上着陆焊盘和第二下着陆焊盘电连接到存取晶体管的端子。根据一些方面构思的一些示例实施方式，一种半导体存储器件可以包括：在基板上的多个存储单元晶体管；在所述多个存储单元晶体管上的第一线层；以及在第一线层上的第二线层。第二线层可以包括接地线，该接地线具有多个开口并具有通过第一线层到所述多个存储单元晶体管中的第一存储晶体管的端子的电连接。接地线可以包括在第二方向上延伸的一对第一部分和在与第二方向...
【技术保护点】
1.一种半导体存储器件，包括：/n在基板上的多个存储单元，所述多个存储单元中的每个包括存取晶体管和下拉晶体管；/n在所述存储单元上的第一线层，所述第一线层包括第一下着陆焊盘和第二下着陆焊盘；/n在所述第一线层上的第二线层，所述第二线层包括具有开口的接地线和在所述开口中的上着陆焊盘；以及/n在所述第二线层上的包括字线的第三线层，/n其中所述接地线通过所述第一下着陆焊盘电连接到所述下拉晶体管的端子，并且/n其中所述字线通过所述上着陆焊盘和所述第二下着陆焊盘电连接到所述存取晶体管的端子。/n
【技术特征摘要】
20181128 KR 10-2018-01496521.一种半导体存储器件，包括：
在基板上的多个存储单元，所述多个存储单元中的每个包括存取晶体管和下拉晶体管；
在所述存储单元上的第一线层，所述第一线层包括第一下着陆焊盘和第二下着陆焊盘；
在所述第一线层上的第二线层，所述第二线层包括具有开口的接地线和在所述开口中的上着陆焊盘；以及
在所述第二线层上的包括字线的第三线层，
其中所述接地线通过所述第一下着陆焊盘电连接到所述下拉晶体管的端子，并且
其中所述字线通过所述上着陆焊盘和所述第二下着陆焊盘电连接到所述存取晶体管的端子。
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中
所述第一线层包括位线和电源线，并且
所述位线和所述电源线在第二方向上彼此平行地延伸。
3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中
所述第一下着陆焊盘和所述第二下着陆焊盘邻近所述位线，并且
所述第一下着陆焊盘和所述第二下着陆焊盘分别布置在所述第二方向上。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述上着陆焊盘的至少一部分与所述第二下着陆焊盘竖直地重叠。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述上着陆焊盘包括在所述开口中的一对上着陆焊盘。
6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中
所述接地线具有多个开口，并且
所述接地线是网格型导电结构。
7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中
所述接地线包括在第二方向上延伸的第一部分以及在与所述第二方向相交的第一方向上延伸的第二部分，并且
所述开口由一对所述第一部分和一对所述第二部分限定。
8.根据权利要求7所述的半导体存储器件，其中所述第一部分在所述第一方向上的宽度大于所述第二部分在所述第二方向上的宽度。
9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：
在所述第三线层上的包括上字线的第四线层，
其中所述字线和所述上字线彼此电连接。
10.一种半导体存储器件，包括：
在基板上的多个存储单元晶体管；
在所述多个存储单元晶体管上的第一线层；以及
在所述第一线层上的第二线层，
其中所述第二线层包括接地线，该接地线具有多个开口并具有通过所述第一线层到所述多个存储单元晶体管中的第一存储晶体管的端子的电连接，
其中所述接地线包括在第二方向上延伸的一对第一部分以及在与所述第二方向相交的第一方向上延伸的一对第二部分，
其中每个所述开口由所述一对第一部分和所述一...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪熙范，赵龙来，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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