【技术实现步骤摘要】
三维存储器及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种三维存储器及其制作方法。
技术介绍
在三维存储器的堆栈层中制作存储单元串时，会在堆栈层中蚀刻沟道孔(chanelhole)，而沟道孔的蚀刻容易对堆栈层中的栅极界面造成损坏，因此需采用氢气(氢)对堆栈层中损坏的栅极界面进行修复。现有技术中，氢气在三维存储器中主要有两个传输通道，主要传输通道为由钝化层通过介质层传输至沟道孔中的存储单元串，进而扩散至堆栈层；次要传输通道为由钝化层通过金属连线传输至沟道孔中的存储单元串，进而扩散至堆栈层。由于氢气传输通道的介质主要为氮化物、氧化物等绝缘体，而绝缘体的扩散效率较低，堆栈层的叠层高度较高，导致氢气无法充分扩散至存储单元串的底部，从而无法修复靠近堆栈层底部的栅极界面，进而影响三维存储器件的性能。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种三维存储器及其制作方法，能够提高堆栈层中栅极界面的修复效果，进而提高三维存储器件的性能。本专利技术实施例提供了一种三维存储器，包括：衬底；
【技术保护点】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：/n衬底；/n形成于所述衬底上的堆栈层；/n形成于所述堆栈层上方的封装层；以及，/n与所述封装层连接，并沿垂直于所述衬底的纵向延伸至所述堆栈层底部的衬底上的金属通道组件；/n其中，所述金属通道组件供氢通过并扩散至所述堆栈层。/n
【技术特征摘要】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：
衬底；
形成于所述衬底上的堆栈层；
形成于所述堆栈层上方的封装层；以及，
与所述封装层连接，并沿垂直于所述衬底的纵向延伸至所述堆栈层底部的衬底上的金属通道组件；
其中，所述金属通道组件供氢通过并扩散至所述堆栈层。
2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述金属通道组件包括至少一个第一金属通道；
所述第一金属通道与所述封装层连接，并纵向贯穿所述堆栈层。
3.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括纵向贯穿所述堆栈层的半导体沟道和导电通道；
所述第一金属通道与所述半导体沟道、所述导电通道间隔设置。
4.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，所述第一金属通道包括纵向堆叠的多个金属层。
5.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述金属通道组件包括金属保护层和至少一个第二金属通道；
所述金属保护层围绕所述堆栈层的周侧设置，且纵向延伸至所述堆栈层底部的衬底上；所述第二金属通道与所述封装层连接，且纵向延伸至所述金属保护层。
6.根据权利要求5所述的三维存储器...
【专利技术属性】
技术研发人员：伍术，黄诗琪，薛磊，华子群，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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