半导体元件的制造方法技术

揭示了一种半导体元件的制造方法。制造半导体元件的方法包括在基板上形成鳍结构以及在鳍结构的第一鳍部分上形成具有第一阈值电压的多晶硅栅极结构。方法进一步包括在鳍结构的第二鳍部分上形成具有第一类型导电性的掺杂剂的掺杂的鳍区域；用第二类型导电性的掺杂剂掺杂这些多晶硅栅极结构中的至少一者，使第一阈值电压调节为较大的第二阈值电压；以及使用具有小于第一及第二阈值电压的第三阈值电压的金属栅极结构替代与这些多晶硅栅极结构中的该至少一个多晶硅栅极结构邻近的这些多晶硅栅极结构中的至少两个多晶硅栅极结构。

Manufacturing methods of semiconductor components

【技术实现步骤摘要】
半导体元件的制造方法
本揭露是有关于一种半导体元件的制造方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展，对更高储存容量、更快处理系统、更高效能、及更低成本的需求已不断增加。为了满足此等需求，半导体行业继续按比例缩小半导体元件，例如金属氧化物半导体场效晶体管(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistors，MOSFET)，包括平面MOSFET及鳍式场效晶体管(finfieldeffecttransistors，finFET)的尺寸。此种按比例缩小增加了半导体制造制程的复杂性。
技术实现思路
一种制造半导体元件的方法，包含：在基板上形成鳍结构；在鳍结构的多个第一鳍部分上形成具有第一阈值电压的多个多晶硅栅极结构；在鳍结构的多个第二鳍部分上形成具有第一类型导电性的掺杂剂的多个掺杂的鳍区域；以第二类型导电性的掺杂剂掺杂多个多晶硅栅极结构中的至少一个多晶硅栅极结构，使第一阈值电压调节为较大的第二阈值电压；以及用具有小于第一及第二阈值电压的第三阈值电压的高介电常数金属栅极结构来替代与多个多晶硅栅极结构中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，该方法包含：/n形成一鳍结构在一基板上方；/n形成具有一第一阈值电压的多个多晶硅栅极结构在该鳍结构的多个第一鳍部分上方；/n形成具有一第一类型导电性的掺杂剂的多个掺杂的鳍区域在该鳍结构的多个第二鳍部分上方；/n以一第二类型导电性的掺杂剂掺杂该多个多晶硅栅极结构中的至少一个多晶硅栅极结构，使该第一阈值电压调节为较大的一第二阈值电压；以及/n以具有小于该第一阈值电压及该第二阈值电压的一第三阈值电压的多个高介电常数金属栅极结构来替代与该多个多晶硅栅极结构中的该至少一个多晶硅栅极结构邻近的该多个多晶硅栅极结构中的该至少两个多晶硅栅极结构。/n

【技术特征摘要】
20181030 US 62/752,534;20190522 US 16/419,0771.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，该方法包含：
形成一鳍结构在一基板上方；
形成具有一第一阈值电压的多个多晶硅栅极结构在该鳍结构的多个第一鳍部分上方；
形成具有一第一类型导电性的掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：江宏礼，郑兆钦，陈自强，陈奕升，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71