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揭示了一种半导体元件的制造方法。制造半导体元件的方法包括在基板上形成鳍结构以及在鳍结构的第一鳍部分上形成具有第一阈值电压的多晶硅栅极结构。方法进一步包括在鳍结构的第二鳍部分上形成具有第一类型导电性的掺杂剂的掺杂的鳍区域；用第二类型导电性的掺...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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