【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本专利技术的实施例涉及半导体器件及其形成方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业经历了快速增长。IC材料和设计的技术进步已经产生了多代IC，其中每一代都具有比上一代更小和更复杂的电路。然而，这些进步增加了处理和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。在集成电路演进的工艺中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)通常增加，而几何尺寸(即，可使用制造工艺产生的最小组件(或线))减小。随着半导体部件尺寸的缩小，电桥接(例如，微电子组件之间的电短路)可能成为一个问题。为了防止电桥接，微电子组件可以彼此远离地放置。然而，微电子组件之间的较大间距导致路由效率低下和功能密度降低。因此，尽管现有的半导体IC器件通常已经足够用于它们的预期目的，但它们不是在每个方面都已完全令人满意。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种半导体器件，包括：第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构，每个都在第一方向上延伸；第一栅极通孔，设置在所述第一栅极结构上...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构，每个都在第一方向上延伸；/n第一栅极通孔，设置在所述第一栅极结构上，所述第一栅极通孔具有第一尺寸；/n第二栅极通孔，设置在所述第二栅极结构上，所述第二栅极通孔具有大于所述第一尺寸的第二尺寸；/n第三栅极通孔，设置在所述第三栅极结构上，所述第三栅极通孔的第三尺寸小于所述第二尺寸但大于所述第一尺寸；/n第一源极接触件，设置为邻近所述第一栅极通孔的第一侧；/n第一漏极接触件，设置为邻近所述第一栅极通孔的与所述第一侧相对的第二侧；以及/n第二漏极接触件，设置为邻近所述第三栅极通孔的第一侧。/n
【技术特征摘要】
20181030 US 62/752,446;20190207 US 16/269,7471.一种半导体器件，包括：
第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构，每个都在第一方向上延伸；
第一栅极通孔，设置在所述第一栅极结构上，所述第一栅极通孔具有第一尺寸；
第二栅极通孔，设置在所述第二栅极结构上，所述第二栅极通孔具有大于所述第一尺寸的第二尺寸；
第三栅极通孔，设置在所述第三栅极结构上，所述第三栅极通孔的第三尺寸小于所述第二尺寸但大于所述第一尺寸；
第一源极接触件，设置为邻近所述第一栅极通孔的第一侧；
第一漏极接触件，设置为邻近所述第一栅极通孔的与所述第一侧相对的第二侧；以及
第二漏极接触件，设置为邻近所述第三栅极通孔的第一侧。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
没有源极接触件或漏极接触件设置为邻近所述第二栅极通孔的第一侧或第二侧；并且
没有源极接触件或漏极接触件设置为邻近所述第三栅极通孔的与所述第一侧相对的第二侧。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述半导体器件还包括每个均在与所述第一方向不同的第二方向上延伸的多个鳍结构；
所述第一栅极结构、所述第二栅极结构和所述第三栅极结构的每个均围绕所述鳍结构；
所述第一栅极通孔设置在所述鳍结构的一个上方；并且
所述第二栅极通孔和所述第三栅极通孔未设置在任何鳍结构上方。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第三栅极通孔在远离所述第二漏极接触件的方向上相对于所述第三栅极结构偏移。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一源极接触件在所述第一方向上的尺寸大于所述第一漏极接触件的尺寸。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件还包括：
互连结构的多条第一金属线和第二金属线，其中，所述第一金属线和所述第二金属线的每个均在与所述第一方向不同的第二方向上延伸；
多个漏极接触件，包括所述第一漏极接触件和所述第二漏极接触件，其中，所述漏极接触件均在所述第一方向上延伸；
多个源极接触件，包括所述第一源极接触件，其中，源极接触件均在所述第一方向上延伸；
多个漏极通孔，设置在所述漏极接触件和所述第一金属线之间，并且电耦合到所述漏极接触件和所述第一金属线；和
多个源极通孔，设置在所述源极接触件和所述第二金属线之间并且电耦合到所述源极接触件和所述第二金属线，其中，每个所述源极通孔的尺寸大于每个所述漏极通孔的尺寸。
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【专利技术属性】
技术研发人员：廖忠志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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