半导体封装件制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，具有其上设置有连接垫的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面；以及第一包封剂，覆盖所述半导体芯片的所述无效表面和侧表面中的每个的至少一部分。金属层设置在所述第一包封剂上，并且包括顺序地堆叠的第一导电层和第二导电层。连接结构设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到所述连接垫的第一重新分布层。所述第一导电层的下表面与所述第一包封剂接触并且具有第一表面粗糙度，并且所述第一导电层的上表面与所述第二导电层接触并且具有小于所述第一表面粗糙度的第二表面粗糙度。

Semiconductor package

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件本申请要求于2018年10月25日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0128063号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
本公开涉及一种半导体封装件，例如，涉及一种扇出型半导体封装件。
技术介绍
半导体封装件在设计方面正在不断地追求轻、薄、短和小的形状，并且在功能性方面正在追求提供复杂性和多样性的系统级封装(SiP)结构。为此，多个芯片和组件安装在单个封装件中，因此，对用于屏蔽组件之间的电磁波干扰和用于改善散热功能的技术的兴趣正在增加。另外，还使用用于堆叠封装件的布线结构。具体地，当在半导体芯片的上部上设置金属层用于EMI屏蔽、散热、布线等时，通常在从半导体芯片的包封剂去除载体之后形成化学铜层。在这种情况下，可能存在包封剂和化学铜层之间的粘合力减小以及工艺变复杂的问题。
技术实现思路
本公开的一方面将提供一种在半导体芯片的上部上的金属层和包封剂之间的粘合力得到提高的半导体封装件，并且将提供一种使用简化的工艺制造半导体封装件的方法。根据本公开的一方面，在半导体封装件中，使用位于具有表面粗糙度的包封剂上的第一导电层形成金属层。例如，一种半导体封装件包括：半导体芯片，具有其上设置有连接垫的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面；以及第一包封剂，覆盖所述半导体芯片的所述无效表面和侧表面中的每个的至少一部分。金属层设置在所述第一包封剂上，并且包括顺序地堆叠的第一导电层和第二导电层。连接结构设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到所述连接垫的第一重新分布层。所述第一导电层的下表面与所述第一包封剂接触并且具有第一表面粗糙度，并且所述第一导电层的上表面与所述第二导电层接触并且具有小于所述第一表面粗糙度的第二表面粗糙度。根据本公开的另一方面，一种半导体封装件可包括：半导体芯片，具有其上设置有连接垫的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面；以及包封剂，覆盖所述半导体芯片的所述无效表面和侧表面中的每个的至少一部分。金属层设置在所述包封剂上，所述金属层具有延伸以与所述半导体芯片的上部重叠的至少一部分，并且具有顺序地堆叠的第一导电层和第二导电层。过孔穿过所述包封剂的一部分并且连接到所述金属层，并且连接结构设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到所述连接垫的重新分布层。所述第一导电层的下表面与所述包封剂接触并且沿着所述包封剂的表面具有粗糙度，并且所述第一导电层的上表面与所述第二导电层接触并且是平坦的。根据本公开的又一方面，一种半导体封装件可包括：半导体芯片，具有其上设置有连接垫的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面；以及包封剂，覆盖所述半导体芯片的所述无效表面和侧表面中的每个的至少一部分。金属层设置在所述包封剂上，并且包括顺序地堆叠为彼此直接接触的第一导电层和第二导电层。连接结构设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到所述连接垫的第一重新分布层。所述第一导电层和所述第二导电层中的每个延伸以在所述半导体芯片在所述连接结构上的堆叠方向上与所述半导体芯片的整个上表面重叠。通过以下具体实施方式、附图和权利要求，其他特征和方面将明显。附图说明通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更加清楚地理解，在附图中：图1是示出电子装置系统的示例的示意性框图；图2是示出电子装置的示例的示意性透视图；图3A和图3B是示出扇入型半导体封装件在被封装之前和在被封装之后的示意性截面图；图4是示出扇入型半导体封装件的封装工艺的示意性截面图；图5是示出安装在中介基板上并且最终安装在电子装置的主板上的扇入型半导体封装件的示意性截面图；图6是示出嵌在中介基板中并且最终安装在电子装置的主板上的扇入型半导体封装件的示意性截面图；图7是示出扇出型半导体封装件的示意性截面图；图8是示出安装在电子装置的主板上的扇出型半导体封装件的示意性截面图；图9是示出半导体封装件的示例的示意性截面图；图10是沿着图9的半导体封装件的线I-I′截取的示意性平面图；图11A至图11E是示出图9的半导体封装件的示例制造工艺的步骤的示意性工艺图；图12是示出半导体封装件的另一示例的示意性截面图；图13是示出半导体封装件的另一示例的示意性截面图；图14是示出扇出型半导体封装件的另一示例的示意性截面图；并且图15是示出将根据公开的半导体封装件应用到电子装置的效果的示意性平面图。具体实施方式在下文中，将参照附图如下描述本公开的实施例。然而，本公开可按照许多不同的形式进行例证，并且不应被解释为局限于这里所阐述的具体实施例。更确切的说，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将要把公开的范围充分地传达给本领域技术人员。在整个说明书中，将理解的是，当诸如层、区域或晶圆(基板)的元件被称为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可直接“在”所述另一元件“上”、直接“连接到”所述另一元件或直接“结合到”所述另一元件，或者可存在介于两者之间的其他元件。相比之下，当元件被称为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可能不存在介于两者之间的元件或层。相同的附图标记始终指示相同的元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任意组合和所有组合。将明显是，尽管可在这里使用“第一”、“第二”、“第三”等的术语来描述各种构件、组件、区域、层和/或部分，但是这些构件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因而，在不脱离示例性实施例的教导的情况下，下面讨论的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可被称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。为了易于描述，这里可使用诸如“在……上方”、“上面”、“在……下方”以及“下面”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，空间相对术语意图除了包含图中描绘的方位之外还包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置翻转，则描述为“在”其他元件“上方”或“上面”的元件于是将被定位为“在”所述其他元件“下方”或“下面”。因而，术语“在……上方”可根据图的具体方向包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。装置也可按照其他方式(旋转90度或处于其他方位)定位，且可对这里使用的空间相对描述符做出相应解释。这里使用的术语仅描述具体实施例，并且本公开不受限于此。除非上下文另外清楚地指出，否则如在这里所使用的单数形式也意图包括复数形式。将进一步理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“具有”时，这些术语说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、构件、元件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或更多个其他特本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：/n半导体芯片，具有其上设置有连接垫的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面；/n第一包封剂，覆盖所述半导体芯片的所述无效表面和侧表面中的每个的至少一部分；/n金属层，设置在所述第一包封剂上，并且包括顺序地堆叠的第一导电层和第二导电层；以及/n连接结构，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到所述连接垫的第一重新分布层，/n其中，所述第一导电层的下表面与所述第一包封剂接触并且具有第一表面粗糙度，并且所述第一导电层的上表面与所述第二导电层接触并且具有小于所述第一表面粗糙度的第二表面粗糙度。/n

【技术特征摘要】
20181025 KR 10-2018-01280631.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
半导体芯片，具有其上设置有连接垫的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面；
第一包封剂，覆盖所述半导体芯片的所述无效表面和侧表面中的每个的至少一部分；
金属层，设置在所述第一包封剂上，并且包括顺序地堆叠的第一导电层和第二导电层；以及
连接结构，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到所述连接垫的第一重新分布层，
其中，所述第一导电层的下表面与所述第一包封剂接触并且具有第一表面粗糙度，并且所述第一导电层的上表面与所述第二导电层接触并且具有小于所述第一表面粗糙度的第二表面粗糙度。


2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述金属层的至少一部分设置为在所述半导体芯片在所述连接结构上的堆叠方向上与所述半导体芯片重叠。


3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一导电层和所述第二导电层利用相同的金属材料形成。


4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述金属层电连接到所述半导体芯片以形成第二重新分布层。


5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述金属层延伸到所述第一包封剂的整个上表面上。


6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二导电层的上表面具有所述第二表面粗糙度。


7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一包封剂的上表面具有所述第一表面粗糙度。


8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二导电层为使用所述第一导电层作为种子层形成的电镀层。


9.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：
框架，设置在所述连接结构上，并且具有其中设置有所述半导体芯片的第一通孔。


10.根据权利要求9所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：
过孔，穿过所述第一包封剂以使所述金属层连接到所述框架。


11.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，所述过孔延伸穿过所述第一导电层以接触所述第二导电层。


12.根据权利要求9所述的半导体封装件，其中，所述框架还具有第二通孔，并且
所述半导体封装件还包括设置在所述第二通孔中的一个或更多个无源组件。


13.根据权利要求12所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：
第二包封剂，覆盖所述一个或更多...

【专利技术属性】
技术研发人员：文昭渊，沈智慧，蔡昇训，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR