晶圆清洗平台及半导体设备制造技术

本实用新型专利技术涉及一种晶圆清洗平台及半导体设备，包括：旋转平台；第一晶圆吸附装置，设置于所述旋转平台的中心处，且可沿垂直于所述旋转平台的上表面的方向升降运动；第二晶圆吸附装置，设置于所述旋转平台的上表面，且位于所述第一晶圆吸附装置的外围；清洗喷嘴，设置于所述旋转平台的上表面，所述清洗喷嘴的顶部与所述旋转平台的上表面的距离小于所述第二晶圆吸附装置的顶部与所述旋转平台的上表面的距离。晶圆清洗平台可以对伪晶圆的背面进行清洗，减少对半导体设备中的晶圆吸盘的污染，提高产品良率，提高生产效率，延长晶圆吸盘的使用寿命。

Wafer cleaning platform and semiconductor equipment

【技术实现步骤摘要】
晶圆清洗平台及半导体设备
本技术涉及集成电路
，特别是涉及一种晶圆清洗平台及半导体设备。
技术介绍
为了提升制造设备初期制造过程中的稳定性，DummyWafer也被广泛投入使用，当譬如曝光设备的主机台长时间闲置(Idle)，为了保证曝光质量，在跑(Run)下一批次(lot)工艺晶圆时需要使用和工艺晶圆一样的曝光条件先跑两片伪晶圆(ChuckTemperatureControlwafer,CTCwafer)，以使得曝光设备达到理想的曝光条件。需要说明的是，CTCwafer是伪晶圆(dummywafer)的一种，DummyWafer根据其功能可以分为很多种。然而，在现有工艺中，卡盘温度控制晶圆跑完后直接由主机台传送回存储腔室，并在下次需要使用时直接将卡盘温度控制晶圆传送至主机台的工艺腔室内进行曝光；若由于人为、环境或其他因素造成卡盘温度控制晶圆的背面被污染，即卡盘温度控制晶圆的背面具有颗粒缺陷(particle)，在跑卡盘温度控制晶圆时颗粒缺陷回掉落在工作台(譬如，静电吸盘或真空吸盘等晶圆吸盘)上，影响工艺晶圆的曝光质量及良率；且对工作台造成污染，当工作台被污染时，需要人工使用大理石磨掉污染物，会影响生产效率及工作台的使用寿命。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述问题，提供一种晶圆清洗平台及半导体设备，以减少对工作台的污染，提高产品良率，减少卡盘温度控制晶圆的使用量，提高生产效率，减少工作台的磨损，延长工作台的使用寿命。一种晶圆清洗平台，包括：旋转平台；第一晶圆吸附装置，设置于所述旋转平台的中心处，且可沿垂直于所述旋转平台的上表面的方向升降运动；第二晶圆吸附装置，设置于所述旋转平台的上表面，且位于所述第一晶圆吸附装置的外围；清洗喷嘴，设置于所述旋转平台的上表面，所述清洗喷嘴的顶部与所述旋转平台的上表面的距离小于所述第二晶圆吸附装置的顶部与所述旋转平台的上表面的距离。上述晶圆清洗平台可以在伪晶圆的背面存在颗粒缺陷时对伪晶圆的背面进行清洗，可以减少对半导体设备的主机台中的晶圆吸盘(即工作台)的污染，提高产品良率，减少伪晶圆的使用量，提高生产效率，减少晶圆吸盘的磨损，延长晶圆吸盘的使用寿命；通过设置第一晶圆吸附装置及第二晶圆吸附装置，可以在清洗过程中使用不同的晶圆吸附装置吸附伪晶圆，以实现分别对伪晶圆的背面及中心进行清洗。在一个可选的实施例中，所述旋转平台的中心设有沿厚度方向贯穿所述旋转平台的贯通孔。在一个可选的实施例中，所述第一晶圆吸附装置包括：第一支撑柱、第一吸附盘以及第一驱动装置；所述第一支撑柱位于所述贯通孔内，且经由所述贯通孔贯穿所述旋转平台；所述第一支撑柱与所述第一驱动装置连接，并在所述第一驱动装置的驱动下升降运动；所述第一吸附盘位于所述第一支撑柱的顶部，且位于所述旋转平台的上方；所述第二晶圆吸附装置包括：第二支撑柱及第二吸附盘；所述第二支撑柱的底部与所述旋转平台的上表面相连接；所述第二吸附盘设置于所述第二支撑柱的顶部。在一个可选的实施例中，所述第一晶圆吸附装置包括：第一支撑柱、第一吸附盘以及第一驱动装置；所述第一支撑柱的底部与所述旋转平台的上表面连接；所述第一支撑柱与所述第一驱动装置连接，并在所述第一驱动装置的驱动下升降运动；所述第一吸附盘设置于所述第一支撑柱的顶部，且位于所述旋转平台的上方。在一个可选的实施例中，所述清洗喷嘴包括清洗液喷头和伸缩旋转机构，所述伸缩旋转机构一端倾斜设置在所述旋转平台的上表面，所述伸缩旋转机构的另一端连接所述清洗液喷头，所述清洗液喷头在所述伸缩旋转机构的作用下相对于所述旋转平台的上表面实现伸缩运动和旋转运动。在一个可选的实施例中，所述第二晶圆吸附装置的顶部与所述旋转平台的上表面的距离小于所述第一晶圆吸附装置的顶部与所述旋转平台的上表面的最大距离，且大于所述第一晶圆吸附装置的顶部与所述旋转平台的上表面的最小距离。一种半导体设备，包括：主机台、如上述任一方案中所述的晶圆清洗平台、存储腔室、传送装置及控制装置；其中，所述晶圆清洗平台及所述存储腔室位于所述主机台的侧边；所述存储腔室用于存储伪晶圆；所述传送装置与所述控制装置连接，用于将所述伪晶圆在所述主机台、所述存储腔室以及所述晶圆清洗平台之间传送；所述控制装置与所述主机台以及所述传送装置相连接，用于当所述主机台完成对所述伪晶圆的工艺处理时控制所述传送装置将所述伪晶圆传送至所述存储腔室或所述晶圆清洗平台。上述半导体设备中的晶圆清洗平台可以在伪晶圆的背面存在颗粒缺陷时对伪晶圆的背面进行清洗，可以减少对半导体设备的主机台中的晶圆吸盘的污染，提高产品良率，减少伪晶圆的使用量，提高生产效率，减少晶圆吸盘的磨损，延长晶圆吸盘的使用寿命；通过设置第一晶圆吸附装置及第二晶圆吸附装置，可以在清洗过程中使用不同的晶圆吸附装置吸附伪晶圆，以实现分别对伪晶圆的背面及中心进行清洗。在一个可选的实施例中，所述主机台包括检测装置，所述检测装置用于在所述主机台对所述伪晶圆进行工艺处理前检测所述伪晶圆的背面是否存在颗粒缺陷，并在检测到所述伪晶圆的背面存在所述颗粒缺陷时，检测完成当下预设主工艺的工艺晶圆的背面是否存在与所述伪晶圆的背面相同数量的同类颗粒缺陷。在一个可选的实施例中，所述半导体设备还包括报警装置，所述报警装置与所述检测装置相连接，用于在检测到清洗后的所述伪晶圆的背面存在与清洗前相同类型的缺陷时报警。在一个可选的实施例中，所述伪晶圆包括硅衬底，所述硅衬底表面设置有疏水膜。附图说明图1为本技术一个实施例中晶圆清洗平台的正视结构示意图；图2为图1中所示的晶圆清洗平台的俯视结构示意图；图3为本技术一个实例中半导体设备的结构框图；图4为本技术一个实施例中半导体工艺方法的流程图；图5为本技术一个实施例中半导体工艺方法的流程图。具体实施方式为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的首选实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容更加透彻全面。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方法或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。在一个实施例中，如图1所示，提供了一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆清洗平台，其特征在于，包括：/n旋转平台；/n第一晶圆吸附装置，设置于所述旋转平台的中心处，且可沿垂直于所述旋转平台的上表面的方向升降运动；/n第二晶圆吸附装置，设置于所述旋转平台的上表面，且位于所述第一晶圆吸附装置的外围；/n清洗喷嘴，设置于所述旋转平台的上表面，所述清洗喷嘴的顶部与所述旋转平台的上表面的距离小于所述第二晶圆吸附装置的顶部与所述旋转平台的上表面的距离。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗平台，其特征在于，包括：
旋转平台；
第一晶圆吸附装置，设置于所述旋转平台的中心处，且可沿垂直于所述旋转平台的上表面的方向升降运动；
第二晶圆吸附装置，设置于所述旋转平台的上表面，且位于所述第一晶圆吸附装置的外围；
清洗喷嘴，设置于所述旋转平台的上表面，所述清洗喷嘴的顶部与所述旋转平台的上表面的距离小于所述第二晶圆吸附装置的顶部与所述旋转平台的上表面的距离。


2.根据权利要求1所述的晶圆清洗平台，其特征在于，所述旋转平台的中心设有沿厚度方向贯穿所述旋转平台的贯通孔。


3.根据权利要求2所述的晶圆清洗平台，其特征在于，
所述第一晶圆吸附装置包括：第一支撑柱、第一吸附盘以及第一驱动装置；所述第一支撑柱位于所述贯通孔内，且经由所述贯通孔贯穿所述旋转平台；所述第一支撑柱与所述第一驱动装置连接，并在所述第一驱动装置的驱动下升降运动；所述第一吸附盘位于所述第一支撑柱的顶部，且位于所述旋转平台的上方；
所述第二晶圆吸附装置包括：第二支撑柱及第二吸附盘；所述第二支撑柱的底部与所述旋转平台的上表面相连接；所述第二吸附盘设置于所述第二支撑柱的顶部。


4.根据权利要求1所述的晶圆清洗平台，其特征在于，
所述第一晶圆吸附装置包括：第一支撑柱、第一吸附盘以及第一驱动装置；所述第一支撑柱的底部与所述旋转平台的上表面连接；所述第一支撑柱与所述第一驱动装置连接，并在所述第一驱动装置的驱动下升降运动；所述第一吸附盘设置于所述第一支撑柱的顶部，且位于所述旋转平台的上方。


5.根据权利要求1所述的晶圆清洗平台，其特征在于，所述清洗喷嘴包括清洗液喷头和伸缩旋转机构，所述伸缩旋转机构一端倾斜设置在所述旋转平台的上表面，所述伸缩旋转机构的...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡立元，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34