半导体封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体封装结构，半导体封装结构包括：重新布线层；芯片，倒装键合于重新布线层的上表面；电连接结构，位于重新布线层的上表面；塑封层，位于重新布线层的上表面，且将芯片及电连接结构塑封；第一天线层，位于塑封层的上表面；具有第二天线层的引线框架，位于塑封层上，并于塑封层上形成空气腔；第一天线层位于空气腔内，且位于第二天线层的下方，与第二天线层具有间距；焊球凸块，位于重新布线层的下表面。本实用新型专利技术的半导体封装结构中，空气的介质损耗极小，对天线信号的损耗为零，可以有效降低第一天线层及第二天线层的信号损耗，可以得到带宽较大的天线封装结构，从而提高半导体封装结构的性能。

Semiconductor package structure

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构
本技术涉及半导体封装
，特别是涉及一种半导体封装结构。
技术介绍
现有具有天线的扇出型半导体封装结构部中一般包括至少两层天线层，不同的天线层之间通过塑封层或介质填充层隔离开，即不同的天线层之间设有塑封层或介质填充层。而塑封层及介质填充层的介质损耗(Df)均较大，会导致半导体封装结构中的天线层的信号造成严重的信号损耗，使得天线层的带宽较小，从而影响半导体封装结构中的天线层的性能。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种半导体封装结构，用于解决现有技术中天线层之间具有塑封层或介质填充层而导致的天线层的信号损耗较大，带宽较小，从而影响天线层的性能的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括：重新布线层；芯片，倒装键合于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；电连接结构，位于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；塑封层，位于所述重新布线层的上表面，且将所述芯片及所述电连接结构塑封；第一天线层，位于所述塑封层的上表面，且与所述电连接结构相连接；具有第二天线层的引线框架，位于所述塑封层上，并于所述塑封层上形成空气腔；所述第一天线层位于所述空气腔内，且位于所述第二天线层的下方，与所述第二天线层具有间距；焊球凸块，位于所述重新布线层的下表面，且与所述重新布线层电连接。可选地，所述重新布线层包括：布线介电层，位于所述牺牲层的上表面；金属叠层结构，位于所述布线介电层内，所述金属叠层结构包括多层间隔排布的金属线层及金属插塞，所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间，以将相邻的所述金属线层电连接。可选地，所述重新布线层还包括：种子层，位于所述布线介电层内，且与所述金属叠层结构电连接；塑封材料层，位于所述布线介电层内，且位于所述种子层的下表面；底层介电层，位于所述布线介电层的下表面。可选地，所述半导体封装结构还包括：天线介电层，位于所述塑封层的上表面，所述第一天线层位于所述天线介电层内；键合金属层，位于所述天线介电层内，且位于所述第一天线层的外围，所述引线框架键合于所述键合金属层上。可选地，所述引线框架包括树脂引线框架、金属引线框架或陶瓷引线框架。可选地，所述第一天线层包括若干个第一天线结构，所述第二天线层包括若干个第二天线结构，所述第一天线结构与所述第二天线结构一一上下对应设置。可选地，所述引线框架包括：侧边框架，位于所述塑封层上，且位于所述第一天线层的外围；顶部盖板，位于所述侧边框架的顶部，与所述侧边框架的顶部一体连接，且覆盖所述侧边框架内侧的区域；所述第二天线层镶嵌于所述顶部盖板内，且沿所述顶部盖板的厚度方向贯穿所述顶部盖板。为实现上述目的及其他相关目的，本技术还提供一种半导体封装结构的制备方法，所述半导体封装结构的制备方法包括如下步骤：提供基底，于所述基底的上表面形成牺牲层；于所述牺牲层的上表面形成重新布线层；提供芯片，将所述芯片倒装键合于所述重新布线层的上表面，所述芯片与所述重新布线层实现电性连接；于所述重新布线层的上表面形成电连接结构，所述电连接结构与所述重新布线层电连接；于所述重新布线层的上表面形成塑封层，所述塑封层将所述芯片及所述电连接结构塑封；于所述塑封层的上表面形成第一天线层，所述第一天线层与所述电连接结构电连接；于所述塑封层上形成具有第二天线层的引线框架，以于所述塑封层上形成空气腔；所述第一天线层位于所述空气腔内，且位于所述第二天线层的下方，与所述第二天线层具有间距；去除所述基底及所述牺牲层；于所述重新布线层的下方形成焊球凸块，所述焊球凸块与所述重新布线层电连接。可选地，于所述牺牲层的上表面形成所述重新布线层包括如下步骤：于所述牺牲层的上表面形成底层介电层；于所述底层介电层的上表面形成塑封材料层；于所述塑封材料层的上表面形成种子层；对所述种子层及所述塑封材料层进行图形化处理；于所述底层介电层的上表面形成布线介电层及金属叠层结构，所述金属叠层结构位于所述布线介电层内，且与所述种子层电连接；所述金属叠层结构包括多层间隔排布的金属线层及金属插塞，所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间，以将相邻的所述金属线层电连接。可选地，于所述塑封层的上表面形成所述第一天线层之前还包括如下步骤：于所述塑封层的上表面形成天线介电层；于所述天线介电层内形成第一开口，所述第一开口暴露出所述塑封层的上表面，所述第一开口定义出所述第一天线层的位置及形状；所述第一天线层形成于所述第一开口内。可选地，于所述天线介电层内形成所述第一开口的同时于所述天线介电层内形成第二开口，所述第二开口位于所述第一开口外围；于所述第一开口内形成所述第一天线层的同时于所述第二开口内形成键合金属层；所述引线框架键合于所述键合金属层上。可选地，所述引线框架的材料包括树脂、金属或陶瓷。如上所述，本技术的半导体封装结构，具有以下有益效果：本技术的半导体封装结构通过在第一天线层与第二天线层之间设置空气腔，空气的介质损耗极小，对天线信号的损耗为零，可以有效降低第一天线层及第二天线层的信号损耗，可以得到带宽较大的天线封装结构，从而提高半导体封装结构的性能。附图说明图1显示为本技术实施例一中提供的半导体封装结构的制备方法的流程图。图2至13显示为本技术实施例一中提供的半导体封装结构的制备方法中各步骤所得结构的截面结构示意图；其中，图13显示为本技术实施例二中提供的半导体封装结构的截面结构示意图。元件标号说明10基底11牺牲层12重新布线层121底层介电层122塑封材料层123种子层124布线介电层125金属叠层结构13芯片14电连接结构15塑封层16第一天线层161第一天线结构17引线框架171侧边框架172顶部盖板18第二天线层181第二天线结构19焊球凸块20天线介电层21键合金属层22空气腔具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1至图13。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，虽图示中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：/n重新布线层；/n芯片，倒装键合于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；/n电连接结构，位于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；/n塑封层，位于所述重新布线层的上表面，且将所述芯片及所述电连接结构塑封；/n第一天线层，位于所述塑封层的上表面，且与所述电连接结构相连接；/n具有第二天线层的引线框架，位于所述塑封层上，并于所述塑封层上形成空气腔；所述第一天线层位于所述空气腔内，且位于所述第二天线层的下方，与所述第二天线层具有间距；/n焊球凸块，位于所述重新布线层的下表面，且与所述重新布线层电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：
重新布线层；
芯片，倒装键合于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；
电连接结构，位于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；
塑封层，位于所述重新布线层的上表面，且将所述芯片及所述电连接结构塑封；
第一天线层，位于所述塑封层的上表面，且与所述电连接结构相连接；
具有第二天线层的引线框架，位于所述塑封层上，并于所述塑封层上形成空气腔；所述第一天线层位于所述空气腔内，且位于所述第二天线层的下方，与所述第二天线层具有间距；
焊球凸块，位于所述重新布线层的下表面，且与所述重新布线层电连接。


2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括牺牲层，所述重新布线层包括：
布线介电层，位于所述牺牲层的上表面；
金属叠层结构，位于所述布线介电层内，所述金属叠层结构包括多层间隔排布的金属线层及金属插塞，所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间，以将相邻的所述金属线层电连接。


3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于：所述重新布线层还包括：
种子层，位于所述布线介电层内，且与所述金属叠层结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕娇，陈彦亨，林正忠，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32