本发明专利技术提供一种天线半导体封装装置。所述天线半导体封装装置包含第一导电层、第二导电层、第一导电元件及第一引向元件。所述第二导电层在所述第一导电层上方且与所述第一导电层分隔开。所述第一导电元件将所述第一导电层连接到所述第二导电层。所述第一引向元件邻近于所述第一导电层且通过第一间隙与所述第一导电层分隔开。所述第一导电元件、所述第一导电层及所述第二导电层界定波导空腔和辐射开口。
【技术实现步骤摘要】
半导体封装装置
本专利技术涉及半导体封装装置，且更明确地说涉及包含天线阵列的半导体封装装置。
技术介绍
例如蜂窝电话、车载雷达的无线通信装置可包含用于发射和接收射频(RF)信号的天线。在一些应用中，对于天线设计来说，天线的大小、传输质量和传输距离是重要参数。一些无线通信装置包含各自安置在电路板的不同部分上的天线和通信模块。根据一些方法，单独地制造天线和通信模块，并在将天线和通信模块放置在电路板上之后将其电连接到一起。因此，所述两个组件可能引发单独的制造成本。此外，可能难以减小无线通信装置的大小以达到合适紧密的产品设计。因此，需要研发可集成到半导体封装装置中并且具有较高增益的天线。
技术实现思路
在根据一些实施例的一些方面中，天线半导体封装装置包含第一导电层、第二导电层、第一导电元件及第一引向元件。第二导电层在第一导电层上方且与第一导电层分隔开。第一导电元件将第一导电层连接到第二导电层。第一引向元件邻近于第一导电层且通过第一间隙与第一导电层分隔开。第一导电元件、第一导电层及第二导电层界定波导空腔和辐射开口。附图说明图1A说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装装置的透视图。图1B说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装装置的侧视图。图1C说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装装置的侧视图。图2A说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装装置的透视图。图2B说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装装置的侧视图。图3A说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装装置的透视图。图3B说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装装置的侧视图。图4A说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装装置的侧视图。图4B说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装装置的侧视图。图5A说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装装置的透视图。图5B说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装装置的俯视图。图6A说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装装置的透视图。图6B说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装装置的俯视图。贯穿图式和具体实施方式使用共同参考标号来指示相同或相似组件。根据以下结合附图进行的具体实施方式可最好地理解本专利技术。具体实施方式图1A说明根据本专利技术的一些实施例的半导体封装装置1的透视图。半导体封装装置1包含衬底10、导电层11、12、16及引向器13、14。衬底10可包含例如印刷电路板，例如，纸基铜箔层压板、复合铜箔层压板或聚合物浸渍的玻璃纤维基铜箔层压板。衬底10可包含互连结构(或电连接件)，例如重布层(RDL)或接地元件。衬底具有表面101及与表面101相对的表面102。在一些实施例中，衬底10的表面101被称作顶部表面或第一表面，且衬底10的表面102被称作底部表面或第二表面。衬底10进一步具有侧表面103、104(例如第一侧表面)和105(例如第二侧表面)。侧表面103在顶部表面101与底部表面102之间延伸。侧表面104在顶部表面101与底部表面102之间延伸，且与侧表面103相对。侧表面105在顶部表面101与底部表面102之间延伸，且邻近于侧表面103和104两个。在一些实施例中，衬底10可包含多个层(例如金属层)，其中所述层可通过互连结构(例如通孔)电连接。导电层(或“第一导电层”)11安置在衬底10的第一层。举例来说，导电层11安置在衬底10内且邻近于衬底10的底部表面102。在一些实施例中，导电层11可安置在衬底10的底部表面102上。在一些实施例中，导电层11包含例如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)，或其合金。导电层(或“第二导电层”)12安置在导电层11上方且与导电层11分隔开。导电层12安置在与导电层11相对应的位置。导电层12安置在衬底10的第二层，所述第二层与衬底10的第一层分隔开。举例来说，导电层12安置在衬底10内且邻近于衬底10的顶部表面101。在一些实施例中，导电层12可安置在衬底10的顶部表面101上。在一些实施例中，导电层12包含例如Au、Ag、Al、Cu，或其合金。导电层11和12可通过一或多个导电元件(例如一或多个第一导电元件)10v1电连接到彼此。在一些实施例中，导电元件10v1可包含导电柱或通孔，所述导电柱或通孔沿着导电层11和12的边缘安置且将导电层11与导电层12电连接。在导电柱或通孔中的任何两个之间可存在间隙。在一些实施例中，导电元件10v1可包含金属板，所述金属板沿着导电层11和12的边缘安置且将导电层11与导电层12电连接。在一些实施例中，导电元件10v1可安置在导电层11与12之间的任何位置且将导电层11与导电层12电连接。在一些实施例中，导电层11和12的宽度沿着朝向衬底10的侧表面105的方向逐渐增加。举例来说，导电层11和12的宽度W1比导电层11和12的更远离侧表面105的宽度W0更大。在一些实施例中，导电层11、12及导电元件10v1界定具有波导空腔的喇叭状结构。在一些实施例中，导电层11、12及导电元件10v1界定喇叭天线100。导电层11、12的最宽部分(例如W1)及导电元件10v1界定喇叭天线100的辐射开口11o以辐射或接收电磁波。导电层(或“第三导电层”)16安置在导电层12上方且与导电层12分隔开。导电层16安置在与导电层12的部分相对应的位置。导电层16安置在衬底10的第四层，所述第四层与衬底10的第二层分隔开。举例来说，导电层16安置在衬底10内且邻近于衬底10的顶部表面101。在一些实施例中，导电层16可安置在衬底10的顶部表面101上。在一些实施例中，导电层16包含例如Au、Ag、Al、Cu，或其合金。在一些实施例中，导电层16可包含接地层。如说明根据本专利技术的一些实施例的来自图1A所展示的Y到Z平面的半导体封装装置1的侧视图的图1B中所展示，导电层12和16可通过一或多个导电元件(例如一或多个第四导电元件)16v电连接到彼此。在一些实施例中，导电元件16v可包含导电柱或通孔，所述导电柱或通孔沿着导电层16的边缘安置且将导电层16与导电层12电连接。在导电柱或通孔中的任何两个之间(例如在导电柱或通孔中的任何相邻两个之间)可存在间隙。在一些实施例中，导电元件16v可包含金属板，所述金属板沿着导电层16的边缘安置且将导电层16与导电层12电连接。在一些实施例中，导电元件16v可安置在导电层12与16之间的任何位置且将导电层16与导电层12电连接。馈电层15安置在导电层12与16之间且与导电层12和16分隔开。举例来说，馈电层15安置在衬底10的第三层，所述第三层与衬底10的第二层分隔开。如说明根据本专利技术的一些实施例的来自图1A所展示的X到Y平面的半导体封装装置1的侧视图的图1C中所展示，导电层12界定孔12h且包含导电元件(例如第三导电元件)15v，所述导电元件通过导电层12的孔12h将馈电层15连接到喇叭天线100的波导空腔。在一些实施例中，导电层16、馈电层15及导电元件本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种天线半导体封装装置，其包括：/n第一导电层；/n第二导电层，其在所述第一导电层上方且与所述第一导电层分隔开；/n第一导电元件，其将所述第一导电层连接到所述第二导电层；及/n第一引向元件，其邻近于所述第一导电层且通过第一间隙与所述第一导电层分隔开，/n其中所述第一导电元件、所述第一导电层及所述第二导电层界定波导空腔和辐射开口，且/n其中所述第一引向元件在所述波导空腔之外。/n
【技术特征摘要】
20170524 US 15/604,5451.一种天线半导体封装装置，其包括：
第一导电层；
第二导电层，其在所述第一导电层上方且与所述第一导电层分隔开；
第一导电元件，其将所述第一导电层连接到所述第二导电层；及
第一引向元件，其邻近于所述第一导电层且通过第一间隙与所述第一导电层分隔开，
其中所述第一导电元件、所述第一导电层及所述第二导电层界定波导空腔和辐射开口，且
其中所述第一引向元件在所述波导空腔之外。
2.根据权利要求1所述的天线半导体封装装置，其进一步包括第二引向元件，所述第二引向元件邻近于所述第二导电层且通过第二间隙与所述第二导电层分隔开。
3.根据权利要求2所述的天线半导体封装装置，其进一步包括：
多个第一引向元件，其邻近于所述第一引向元件且与所述第一引向元件分隔开，其中所述多个第一引向元件中的任何两个彼此分离；及
多个第二引向元件，其邻近于所述第二引向元件安置且与所述第二引向元件分隔开，其中所述多个第二引向元件中的任何两个彼此分离。
4.根据权利要求3所述的天线半导体封装装置，其中所述第一引向元件与所述多个第一引向元件中的任一个大体上平行，且所述第二引向元件与所述多个第二引向元件中的任一个大体上平行。
5.根据权利要求2所述的天线半导体封装装置，其中所述第二引向元件对应于所述第一引向元件定位。
6.根据权利要求2所述的天线半导体封装装置，其进一步包括第二导电元件，所述第二导电元件将所述第二引向元件的边缘电连接到所述第一引向元件的边缘。
7.根据权利要求2所述的天线半导体封装装置，其中所述辐射开口的宽度与所述第二引向元件的宽度大体上相同。
8.根据权利要求2所述的天线半导体封装装置，其进一步包括：
馈电层，其安置在所述第二导电层上方且与所述第二导电层分隔开；及
第三导电元件，其连接所述馈电层且从所述馈电层延伸到所述波导空腔且穿过所述第二导电层。
9.根据权利要求8所述的天线半导体封装装置，其中所述第三导电元件穿过由所述第二导电层界定的开口。
10.根据权利要求9所述的天线半导体封装装置，其进一步包括安置在所述馈电层上方且与所述馈电层分隔开的第三导电层，其中所述第三导电层通过第四导电元件电连接到所述第二导电层。
11.根据权利要求10所述的天线半导体封装装置，其进一步包括衬底，其中：
所述第一导电层位于所述衬底的第一层...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐绍恩，卓晖雄，吕世文，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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