半导体封装结构制造技术

本发明专利技术公开一种半导体封装结构，包括半导体晶粒；第一再分布层结构，形成在所述半导体晶粒的非主动表面上；第二再分布层结构，形成在所述半导体晶粒的主动表面上并且电耦合到半导体晶粒的主动表面；接地层，形成在所述第一再分布层结构中；第一模塑料层，形成在所述第一再分布层结构上；第一天线，包括：第一天线元件，形成在所述第二再分布层结构中；以及第二天线元件，形成在所述第一模塑料层上；其中，所述第一天线元件和所述第二天线元件中的每一个均具有与所述半导体晶粒重叠的第一部分。本发明专利技术使得第一天线元件和第二天线元件的位置更加向内靠拢，从而减小了半导体封装的尺寸，特别是减小了半导体封装的横向尺寸。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体封装结构。
技术介绍
为了确保电子产品和通信设备的持续小型化和多功能性，半导体封装必须尺寸小，支持多引脚连接，高速运行并具有高功能性。另外，在诸如射频(RF，radiofrequency)系统级封装(SiP，system-in-package)元件的高频应用中，天线通常用于实现无线通信。当构造具有天线的无线通信封装时，封装设计需要提供良好的天线特性(例如高效率，宽带宽等)，同时需要提供可靠且低成本的封装解决方案。在这种传统的SiP结构中，分立的天线元件被单独封装或安装在印刷电路板(PCB，printedcircuitboard)或封装上。由于PCB需要为安装在PCB上的天线部件提供额外的区域，因此难以减小器件尺寸。另外，由于安装在封装上的天线不能与下面的半导体晶粒重叠，从俯视角度来看，难以进一步减小半导体封装的尺寸。因此，期望一种新颖的半导体封装结构。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种半导体封装结构，可以进一步减小半导体封装的尺寸，以解本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：/n半导体晶粒；/n第一再分布层结构，形成在所述半导体晶粒的非主动表面上；/n第二再分布层结构，形成在所述半导体晶粒的主动表面上并且电耦合到半导体晶粒的主动表面；/n接地层，形成在所述第一再分布层结构中；/n第一模塑料层，形成在所述第一再分布层结构上；/n第一天线，包括：/n第一天线元件，形成在所述第二再分布层结构中；以及/n第二天线元件，形成在所述第一模塑料层上；/n其中，所述第一天线元件和所述第二天线元件中的每一个均具有与所述半导体晶粒重叠的第一部分。/n

【技术特征摘要】
20180703 US 62/693,501;20190625 US 16/452,3951.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
半导体晶粒；
第一再分布层结构，形成在所述半导体晶粒的非主动表面上；
第二再分布层结构，形成在所述半导体晶粒的主动表面上并且电耦合到半导体晶粒的主动表面；
接地层，形成在所述第一再分布层结构中；
第一模塑料层，形成在所述第一再分布层结构上；
第一天线，包括：
第一天线元件，形成在所述第二再分布层结构中；以及
第二天线元件，形成在所述第一模塑料层上；
其中，所述第一天线元件和所述第二天线元件中的每一个均具有与所述半导体晶粒重叠的第一部分。


2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一天线元件和所述第二天线元件中的每一个均具有邻接所述第一部分的第二部分，并且其中所述接地层具有与所述第二部分重叠的通孔。


3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
第二模塑料层，围绕所述半导体晶粒；
通孔结构，形成在所述第二模塑料层中并电连接在所述接地层与所述第二再分布层结构之间；以及
第二天线，形成在所述第二模塑料层中并通过所述第二再分布层结构和所述通孔结构电连接到所述接地层。


4.如权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一天线是贴片天线，所述第二天线是偶极天线。


5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括导电结构，所述导电结构经由所述第二再分布层结构电耦合到所述半导体晶粒。


6.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括虚设金属通孔结构或金属挡板，形成在所述第二模塑料层中并围绕所述半导体晶粒。


7.如权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一天线元件和所述第二天线元件中的每一个具有邻接所述第一部分的第二部分，并且其中所述虚设通孔中的至少一个或所述金属挡板与所述第二部分重叠。

【专利技术属性】
技术研发人员：刘乃玮，齐彦尧，高也钧，叶世晃，林子闳，许文松，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71