具有塑料波导的半导体封装制造技术

本公开涉及具有塑料波导的半导体封装。例如，一种半导体装置，包括集成电路(IC)封装和塑料波导。IC封装包括：半导体芯片；以及嵌入式天线，形成在耦合至半导体芯片的再分配层(RDL)内，其中RDL被配置为在半导体芯片和嵌入式天线之间传输射频(RF)信号。塑料波导附接至IC封装，并且被配置为在嵌入式天线和IC封装的外侧之间传输RF信号。

Semiconductor package with plastic waveguide

【技术实现步骤摘要】
具有塑料波导的半导体封装
本公开总体上涉及半导体领域，更具体地，涉及具有塑料波导的半导体封装。
技术介绍
介电波导(DWG)和聚合物微波纤维(PMF)已经被提议在塑料上传输射频(RF)信号。本文公开的概念是用塑料波导代替在千兆/秒的数据塑料范围内传输信号的铜线。典型应用包括相机接口和千兆汽车以太网。随着频率的增加，塑料波导内的RF信号集中，隔离距离减小，并且弯曲损失衰减，使得这一概念对高频传输具有吸引力。在更高的吉赫兹范围内，高频部件的关键性能参数是输出功率损失。因此，期望将高频信号传输到具有低功率损失转换的芯片和/或封装外，以驱动和控制耦合的塑料波导。
技术实现思路
为解决上述问题，本公开提供了一种半导体装置，包括：集成电路IC封装，包括：半导体芯片；和嵌入式天线，形成在耦合至所述半导体芯片的再分配层RDL内，其中所述RDL被配置为在所述半导体芯片和所述嵌入式天线之间传输射频RF信号；以及塑料波导，附接至所述IC封装，并且被配置为在所述IC封装的外侧和所述嵌入式天线之间传输所述RF信号。本公开还提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n集成电路IC封装，包括：/n半导体芯片；和/n嵌入式天线，形成在耦合至所述半导体芯片的再分配层RDL内，其中所述RDL被配置为在所述半导体芯片和所述嵌入式天线之间传输射频RF信号；以及/n塑料波导，附接至所述IC封装，并且被配置为在所述IC封装的外侧和所述嵌入式天线之间传输所述RF信号。/n

【技术特征摘要】
20180711 US 16/032,5891.一种半导体装置，包括：
集成电路IC封装，包括：
半导体芯片；和
嵌入式天线，形成在耦合至所述半导体芯片的再分配层RDL内，其中所述RDL被配置为在所述半导体芯片和所述嵌入式天线之间传输射频RF信号；以及
塑料波导，附接至所述IC封装，并且被配置为在所述IC封装的外侧和所述嵌入式天线之间传输所述RF信号。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述塑料波导至少部分地布置在所述IC封装内。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述塑料波导被配置为在长度方向上延伸。


4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中长度方向的塑料波导被配置为从所述IC封装的侧面延伸。


5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中在垂直方向上形成所述天线。


6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述IC封装还包括集成硅微机电系统Si-MEMS元件。


7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述Si-MEMS元件是Si-MEMS波导。


8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述Si-MEMS波导被配置为在所述塑料波导的中心和所述IC封装之间投射RF波。


9.根据权利要求4所述的半导体装置，还包括：
嵌入式波导，布置在所述嵌入式天线和所述塑料波导之间。


10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述嵌入式波导是包括金属化通孔的嵌入式笼状波导。


11.根据权利要求3所述的半导体装置，
其中所述塑料波导被配置为从所述IC封装的顶部延伸，并且
所述半导体装置还包括反射器，所述反射器被配置为将所述RF信号从所述嵌入式天线重定向到所述塑料波导。


12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述塑料波导包括被配置为从所述IC封装的侧面延伸的第一长度方向塑料波导以及被配置为从所述IC封装的顶部延伸的第二垂直塑料波导。


13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述塑料波导被配置为在...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·沃杰诺维斯基，D·哈默施密特，W·哈特纳，J·洛德迈耶，C·马里奥蒂，T·迈尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE