高K金属栅极制程的金属-绝缘体-多晶硅电容器及制造方法技术

本申请涉及高K金属栅极制程的金属‑绝缘体‑多晶硅电容器及制造方法，提供一种在高k金属栅极(HKMG)制程中形成的具有金属‑绝缘体‑多晶硅(MIP)电容器的集成电路的形成方法以及该生成的装置。实施例包含装置，该装置包含金属栅极、环绕该金属栅极的侧壁而形成的高k介电层、以及邻近该高k介电层的至少一部分的虚设多晶硅栅极。该装置也包含电容器，该电容器包含作为绝缘体的该高k层，其中，该绝缘体是在作为一个电极的虚设物与作为另一个电极的该金属栅极之间。

【技术实现步骤摘要】
高K金属栅极制程的金属-绝缘体-多晶硅电容器及制造方法
本申请是涉及一种在高k金属栅极(high-kmetalgate；HKMG)制程中形成的具有金属-绝缘体-多晶硅(metal-insulator-poly；MIP)电容器的装置、以及制造该装置的方法。本申请是应用于28纳米(nm)技术节点及更先进者(beyond)。
技术介绍
由于其供应小面积、增加电路密度、及降低制作成本，该金属-绝缘体-金属(Metal-Insulator-Metal；MIM)电容器是射频(radiofrequency；RF)集成电路中的关键被动组件。作为该MIM电容器的底板的金属线可为金属膜(例如，钛氮化物、或钛氮化物)。该MIM电容器的电容器介电层可为硅氧化物层，例如，由化学气相沉积(chemicalvapordeposition；CVD)所沉积的硅氧化物层，其厚度在大约350与500埃之间。该MIM电容器的顶板可为由CVD在该硅氧化物层上方所沉积的一层硅氮化物，到达180至200埃的厚度。在此例子中，该电容密度F是大约0.6fF/μm2。希望具有增加的电容密度，例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种装置，包含：/n金属栅极；/n高k介电层，环绕该金属栅极的侧壁而形成；以及/n虚设多晶硅栅极，邻近该高k介电层的至少一部分。/n

【技术特征摘要】
20180711 US 16/032,8961.一种装置，包含：
金属栅极；
高k介电层，环绕该金属栅极的侧壁而形成；以及
虚设多晶硅栅极，邻近该高k介电层的至少一部分。


2.如权利要求1所述的装置，还包含电容器，该电容器包含作为绝缘体的该高k介电层。


3.如权利要求2所述的装置，其中，该绝缘体在作为一个电极的该多晶硅栅极与作为另一个电极的该金属栅极之间。


4.如权利要求1所述的装置，其中，该电容器具有在5fF/μm2至15fF/μm2的范围中的电容密度。


5.如权利要求1所述的装置，其中，该虚设多晶硅栅极保留在用以形成该金属栅极的取代金属栅极制程中。


6.如权利要求1所述的装置，其中，该虚设多晶硅栅极具有与该衬底平行而为0.03μm至0.06μm的宽度。


7.如权利要求1所述的装置，其中，该金属栅极具有与该衬底平行而为0.03μm至0.06μm的宽度。


8.如权利要求1所述的装置，其中，该高k介电层具有与该衬底平行而为至的宽度。


9.如权利要求1所述的装置，还包含形成在该金属栅极与该高k介电层之间的工作函数金属层。


10.如权利要求9所述的装置，其中，该工作函数金属层是形成作为该电容器的另一个电极的部件。


11.如权利要求9所述的装置，其中，该工作函数金属层具有与该衬底平行而为至的宽度。


12.如权利要求1所述的装置，其中，该晶体管是形成在该衬底上。


13.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡新树，陈学深，陈元文，岑柏湛，
申请(专利权)人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司，
类型：发明
国别省市：新加坡;SG