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本申请涉及高K金属栅极制程的金属‑绝缘体‑多晶硅电容器及制造方法，提供一种在高k金属栅极(HKMG)制程中形成的具有金属‑绝缘体‑多晶硅(MIP)电容器的集成电路的形成方法以及该生成的装置。实施例包含装置，该装置包含金属栅极、环绕该金属栅极...
该专利属于新加坡商格罗方德半导体私人有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新加坡商格罗方德半导体私人有限公司授权不得商用。

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