【技术实现步骤摘要】
扇出型天线封装结构及封装方法
本专利技术涉及半导体封装
,特别是涉及一种扇出型天线封装结构及封装方法。
技术介绍
更低成本、更可靠、更快及更高密度的电路是集成电路封装追求的目标。在未来,集成电路封装将通过不断减小最小特征尺寸来提高各种电子元器件的集成密度。目前,常用的封装方法包括:晶圆级芯片规模封装(WaferLevelChipScalePackaging,WLCSP),扇出型晶圆级封装(Fan-OutWaferLevelPackage,FOWLP),倒装芯片(FlipChip),叠层封装(PackageonPackage,POP)等等。其中,扇出型晶圆级封装由于其输入/输出端口(I/O)较多、集成灵活性较好,已成为目前较为先进的封装方法之一。随着高科技电子产品的普及以及人们需求的增加,特别是为了配合人们移动的需求,目前,大多高科技电子产品都增加了无线通讯的功能。一般来说,现有的天线结构通常是将天线直接制作于电路板的表面,这种作法会让天线占据额外的电路板面积,整合性较差。对于各种高科技电子产品而言,使用较大的电路板即表示高科技电子产品占据较大的体积,这与人们对高科技电子产品的小型化、便捷式的需求相违背,因此,如何减少天线所占电路板的面积,减小天线封装结构的体积以提高天线封装结构的整合性能,将是这些电子装置所需克服的问题。鉴于此,有必要设计一种新的扇出型天线封装结构及封装方法用于解决天线占据电路板的面积所引起的上述技术问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点,本 ...
【技术保护点】
1.一种扇出型天线封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:/n重新布线层,所述重新布线层包括相对的第一面及第二面;/n第一金属连接柱,位于所述重新布线层的第二面上,且与所述重新布线层电性连接;/n第一天线金属层,位于所述第一金属连接柱上,且与所述第一金属连接柱电性连接;/n半导体芯片,位于所述重新布线层的第二面上,且与所述重新布线层电性连接;/n第一封装层,覆盖所述重新布线层、第一金属连接柱、第一天线金属层及半导体芯片,且所述第一封装层显露所述第一天线金属层及粘合于所述半导体芯片的粘合层;/n第二金属连接柱,位于所述第一天线金属层上,且与所述第一天线金属层电性连接;/n第二天线金属层,位于所述第二金属连接柱上,且与所述第二金属连接柱电性连接;/n第二封装层,覆盖所述第二金属连接柱及第二天线金属层,且所述第二封装层显露所述第二天线金属层;以及/n金属凸块,位于所述重新布线层的第一面上。/n
【技术特征摘要】
1.一种扇出型天线封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:
重新布线层,所述重新布线层包括相对的第一面及第二面;
第一金属连接柱,位于所述重新布线层的第二面上,且与所述重新布线层电性连接;
第一天线金属层,位于所述第一金属连接柱上,且与所述第一金属连接柱电性连接;
半导体芯片,位于所述重新布线层的第二面上,且与所述重新布线层电性连接;
第一封装层,覆盖所述重新布线层、第一金属连接柱、第一天线金属层及半导体芯片,且所述第一封装层显露所述第一天线金属层及粘合于所述半导体芯片的粘合层;
第二金属连接柱,位于所述第一天线金属层上,且与所述第一天线金属层电性连接;
第二天线金属层,位于所述第二金属连接柱上,且与所述第二金属连接柱电性连接;
第二封装层,覆盖所述第二金属连接柱及第二天线金属层,且所述第二封装层显露所述第二天线金属层;以及
金属凸块,位于所述重新布线层的第一面上。
2.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构,其特征在于:所述半导体芯片还包括与所述半导体芯片的接触焊垫相连接的芯片金属部,所述芯片金属部包括金属柱及金属球中的一种。
3.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构,其特征在于:所述芯片金属部的侧面被所述重新布线层包覆。
4.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构,其特征在于:所述粘合层包括环氧树脂层及聚合物薄膜层中的一种。
5.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构,其特征在于:所述第一金属连接柱与所述第一天线金属层之间还包括第一金属连接块,且所述第一金属连接块的横截面积大于所述第一金属连接柱;所述第二金属连接柱与所述第二天线金属层之间还包括第二金属连接块,且所述第二金属连接块的横截面积大于所述第二金属连接柱。
6.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构,其特征在于:所述第一封装层包括环氧树脂层、聚酰亚胺层及硅胶层中的一种;所述第二封装层包括环氧树脂层、聚酰亚胺层及硅胶层中的一种。
7.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构,其特征在于:所述重新布线层包括依次层叠的图形化的介质层及图形化的金属布线层。
8.根据权利要求7所述的扇出型天线封装结构,其特征在于:所述介质层包括环氧树脂层、硅胶层、PI层、PBO层、BCB层、氧化硅层、磷硅玻璃层,含氟玻璃层中的一种或两种以上组合,所述金属布线层包括铜层、铝层、镍层、金层、银层、钛层中的一种或两种以上组合。
9.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构,其特征在于:所述金属凸块包括铜金属凸块、镍金属凸块、锡金属凸块及银金属凸块中的一种。
10.一种扇出型天线封装方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:提供一支撑基底,于所述支撑基底上形成分离层;
S2:于所述分离层上形成第二天线金属层;
S3:于所述第二天线金属层上形成第二金属连接柱;
S4:采用第二封装层封装所述第二天线金属层及第二金属...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈彦亨,林正忠,吴政达,
申请(专利权)人:中芯长电半导体江阴有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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