与扇出封装集成的毫米波天线和EMI屏蔽件制造技术

本申请涉及与扇出封装集成的毫米波天线和EMI屏蔽件。揭示用于半导体装置组合件的制造的系统和方法，所述半导体装置组合件具有：半导体装置，其具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；模制化合物区，其邻近于所述半导体装置；再分布层，其邻近于所述半导体装置的所述第一侧；电介质层，其邻近于所述半导体装置的所述第二侧；第一通孔，其延伸通过所述模制化合物区且连接到所述电介质层中的至少一个迹线；以及天线结构，其形成于所述电介质层上且通过所述第一通孔连接到所述半导体装置。

Millimeter wave antenna and EMI shield integrated with fan out package

【技术实现步骤摘要】
与扇出封装集成的毫米波天线和EMI屏蔽件
本文所述的实施例涉及毫米波天线、电磁干扰(EMI)屏蔽件以及具体来说将它们集成在扇出或其它封装上。
技术介绍
随着计算装置与我们的社会愈加紧密接合，数据存取和移动性对于典型消费者来说正变得越来越重要。例如蜂窝电话、平板计算机、膝上型计算机等紧凑型无线计算装置正变得更快、更小且更具移动性。为符合新一代产品的需求，移动装置内的处理和存储器封装必须变得更快且更紧凑。第5代无线系统(5G)提供高处理量、低时延、高移动性和高连接密度。利用毫米波段(24到86GHz)进行移动数据通信有利于产生5G系统。用于毫米波通信的天线通常包含沉积于移动装置内的印刷电路板(PCB)上的天线阵列。天线占用的面积或占据面积可减小附接到PCB的装置的密度并且可产生较大且较少移动装置。此外，水平毫米波天线可致使干扰相邻电路，天线可沉积于所述相邻电路上方。这些因素可使得难以将毫米波天线并入到移动装置中。可能存在其它问题、缺点和缺陷。
技术实现思路
在一个方面中，提供一种半导体装置组合件。所述半导体装置组合件包括：半导体装置，其具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；模制化合物区，其邻近于所述半导体装置；再分布层，其邻近于所述半导体装置的所述第一侧；电介质层，其邻近于所述半导体装置的所述第二侧；第一通孔，其延伸通过所述模制化合物区且连接到所述电介质层中的至少一个迹线；天线结构，其形成于所述电介质层上且通过所述第一通孔连接到所述半导体装置。在另一方面中，提供一种半导体装置组合件。所述半导体装置组合件包括：半导体装置，其具有第一侧；模制化合物区；第一再分布层，其邻近于所述半导体装置的所述第一侧，所述第一再分布层经配置以将所述半导体装置连接到外部装置；第二再分布层，其邻近于所述第一再分布层；以及天线结构，其形成于所述第二再分布层中，所述半导体装置通过所述第一再分布层连接到所述天线结构。在再一方面中，提供一种半导体装置组合件。所述半导体装置组合件包括：叠层封装组合件，其包括：第一半导体装置；至少一个通孔；以及第二半导体装置，其通过所述至少一个通孔连接到所述第一半导体装置；以及天线结构，其通过所述至少一个通孔连接到所述第一半导体装置或所述第二半导体装置中的至少一个。在又一方面中，提供一种半导体装置组合件。所述半导体装置组合件包括：半导体装置，其具有作用侧和后侧；模制化合物区；第一再分布层，其邻近于所述半导体装置的所述后侧；电磁干扰(EMI)屏蔽件，其位于所述第一再分布层中；第二再分布层，其位于所述第一再分布层上方；以及天线结构，其形成于所述第二再分布层中且通过通孔连接到所述半导体装置。在又一方面中，提供一种用于制作半导体装置组合件的方法。所述方法包括：在半导体装置周围模制模制化合物层；在所述模制化合物层之上形成电介质层；在所述电介质层之上形成天线结构；形成穿过所述模制化合物层的通孔，所述通孔连接到所述电介质层中的至少一个迹线；以及通过所述通孔将所述天线结构连接到所述半导体装置。附图说明图1是根据所揭示实施例的并入有集成毫米波天线的半导体装置组合件的横截面侧视示意图。图2是根据所揭示实施例的并入有集成毫米波天线的半导体装置组合件的俯视示意图。图3是根据所揭示实施例的并入有集成毫米波天线的半导体装置组合件的横截面侧视示意图。图4是根据所揭示实施例的在叠层封装(POP)组合件上并入有集成毫米波天线的半导体装置组合件的横截面侧视示意图。图5是根据所揭示实施例的在扇出POP组合件上并入有集成毫米波天线的半导体装置组合件的横截面侧视示意图。图6是根据所揭示实施例的并入有集成毫米波天线和EMI屏蔽件的半导体装置组合件的横截面侧视示意图。图7是示出根据所揭示实施例的制造并入有集成毫米波天线的半导体装置组合件的方法的流程图。虽然本专利技术易有各种修改和替代形式，但具体实施例已经在图中借助于实例展示且将在本文中详细描述。然而，应理解，本专利技术并不希望限于所揭示的特定形式。相反，目的是涵盖如由所附权利要求书定义的属于本专利技术的精神和范围内的所有修改、等效物以及替代方案。具体实施方式在本专利技术中，论述了许多具体细节以提供对本专利技术的实施例的透彻且启发性描述。所属领域的技术人员将认识到，可在并无具体细节中的一或多个的情况下实践本专利技术。通常与半导体装置相关联的众所周知的结构和/或操作可能不会展示和/或可能不会详细描述以免混淆本专利技术的其它方面。一般来说，应理解，除了本文中所揭示的那些具体实施例之外的各种其它装置、系统和/或方法也可在本专利技术的范围内。术语“半导体装置组合件”可指一或多个半导体装置、半导体装置封装和/或衬底的组合件，所述衬底可包含中介层、支撑件和/或其它合适的衬底。半导体装置组合件可制造为但不限于离散封装形式、条带或矩阵形式和/或晶片面板形式。术语“半导体装置”大体上是指包含半导体材料的固态装置。半导体装置可包含例如来自晶片或衬底的半导体衬底、晶片、面板或单个裸片。半导体装置可进一步包含沉积在衬底上的一或多个装置层。半导体装置在本文中可指一种半导体裸片，但半导体装置不限于半导体裸片。术语“半导体装置封装”可是指一或多个半导体装置并入到共同封装中的布置。半导体封装可包含部分或完全地囊封至少一个半导体装置的外壳或壳体。半导体封装还可包含承载一或多个半导体装置的衬底。衬底可附接到壳体或外壳或以其它方式并入在壳体或外壳内。如本文中所使用，术语“竖直”、“横向”、“上部”和“下部”可指图式中所展示的特征在半导体装置和/或半导体装置组合件中的相对方向或位置。举例来说，“上部”或“最上部”可指比另一特征更接近页面顶部定位的特征。然而，这些术语应被广泛地解释为包含具有例如颠倒或倾斜定向等其它定向的半导体装置和/或半导体装置组合件，其中顶部/底部、上方/下方、高于/低于、向上/向下和左边/右边可取决于定向而互换。本专利技术的各种实施例是针对半导体装置、半导体装置组合件、半导体封装，和制造和/或操作半导体装置的方法。在一个实施例中，一种半导体装置组合件包含：半导体装置，其具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；模制化合物区，其邻近于所述半导体装置；再分布层，其邻近于所述半导体装置的所述第一侧；电介质层，其邻近于所述半导体装置的所述第二侧；第一通孔，其延伸通过所述模制化合物区且连接到所述电介质层中的至少一个迹线；以及天线结构，其形成于所述电介质层上且通过所述第一通孔连接到所述半导体装置。在进一步所揭示实施例中，所述天线结构是5g毫米波天线。在再进一步所揭示实施例中，所述天线结构是可调谐天线。在再进一步所揭示实施例中，半导体装置组合件包含：第二通孔，其延伸通过所述模制化合物区且连接到所述电介质层中的至少一个迹线；以及第二天线结构，其形成于所述电介质层上且通过所述第二通孔连接到所述半导体装置。在另一所揭示实施例中，一种半导体装置组合件包含：半导体装置，其具有第一侧；模制化合物区；第一再分布层，其邻近于所述半导体装置的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置组合件，其包括：/n半导体装置，其具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；/n模制化合物区，其邻近于所述半导体装置；/n再分布层，其邻近于所述半导体装置的所述第一侧；/n电介质层，其邻近于所述半导体装置的所述第二侧；/n第一通孔，其延伸通过所述模制化合物区且连接到所述电介质层中的至少一个迹线；/n天线结构，其形成于所述电介质层上且通过所述第一通孔连接到所述半导体装置。/n

【技术特征摘要】
20180831 US 16/118,7851.一种半导体装置组合件，其包括：
半导体装置，其具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；
模制化合物区，其邻近于所述半导体装置；
再分布层，其邻近于所述半导体装置的所述第一侧；
电介质层，其邻近于所述半导体装置的所述第二侧；
第一通孔，其延伸通过所述模制化合物区且连接到所述电介质层中的至少一个迹线；
天线结构，其形成于所述电介质层上且通过所述第一通孔连接到所述半导体装置。


2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述天线结构是5g毫米波天线。


3.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述天线结构是可调谐天线。


4.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述半导体装置的所述第一侧是所述半导体装置的活动表面。


5.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其进一步包括：
第二通孔，其延伸通过所述模制化合物区且连接到所述电介质层中的至少一个迹线；以及
第二天线结构，其形成于所述电介质层上且通过所述第二通孔连接到所述半导体装置。


6.一种半导体装置组合件，其包括：
半导体装置，其具有第一侧；
模制化合物区；
第一再分布层，其邻近于所述半导体装置的所述第一侧，所述第一再分布层经配置以将所述半导体装置连接到外部装置；
第二再分布层，其邻近于所述第一再分布层；以及
天线结构，其形成于所述第二再分布层中，所述半导体装置通过所述第一再分布层连接到所述天线结构。


7.根据权利要求6所述的半导体装置组合件，其中所述天线结构是5g毫米波天线。


8.根据权利要求6所述的半导体装置组合件，其中所述天线结构是可调谐天线。


9.根据权利要求6所述的半导体装置组合件，其中所述半导体装置的所述第一侧是所述半导体装置的活动表面。


10.一种半导体装置组合件，其包括：
叠层封装组合件，其包括：
第一半导体装置；
至少一个通孔；以及
第二半导体装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：O·R·费伊，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US