基板组件、半导体封装件和制造该半导体封装件的方法技术

技术编号:23485859 阅读:40 留言:0更新日期:2020-03-10 13:00
提供了基板组件、半导体封装件以及制造该半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括基板、位于所述基板上的第一半导体芯片、位于所述第一半导体芯片上的第二半导体芯片和连接结构。所述第二半导体芯片包括向外突出超过所述第一半导体芯片的一侧的第一节段和位于所述第二半导体芯片的所述第一节段的底表面上的第二连接焊盘。所述连接结构包括位于所述基板与所述第二半导体芯片的所述第一节段之间的第一结构和穿过所述第一结构以与所述基板接触且设置在所述第二连接焊盘与所述基板之间的第一柱状导体,从而将所述第二半导体芯片电连接到所述基板。

Substrate assembly, semiconductor package and method for manufacturing the semiconductor package

【技术实现步骤摘要】
基板组件、半导体封装件和制造该半导体封装件的方法相关申请的交叉引用本专利申请要求于2018年9月4日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0105380的优先权,该韩国专利申请的全部内容通过引用的方式结合于本申请中。
本专利技术构思涉及基板组件、包括该基板组件的半导体封装件以及制造该半导体封装件的方法。
技术介绍
随着电子工业的发展,电子产品要求在紧凑尺寸下的高性能操作。为了满足这种需求,半导体芯片被堆叠在基板上,或者封装件被堆叠在另一封装件上。可能需要使用诸如结合引线的各种方法将堆叠在基板上的半导体芯片连接到基板。或者,每一个半导体芯片被穿孔以形成其中可以提供贯穿硅通路(TSV)的孔,以将上芯片连接到基板或下芯片。
技术实现思路
根据本专利技术构思的示例性实施例,一种半导体封装件包括基板、位于所述基板上的第一半导体芯片、位于所述第一半导体芯片上的第二半导体芯片和连接结构。所述第二半导体芯片包括向外突出超过所述第一半导体芯片的一侧的第一节段和位于所述第二半导体芯片的所述第一节段的底表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:/n基板;/n第一半导体芯片,所述第一半导体芯片位于所述基板上;/n第二半导体芯片,所述第二半导体芯片位于所述第一半导体芯片上;以及/n连接结构,/n其中,所述第二半导体芯片包括:/n第一节段,所述第一节段向外突出超过所述第一半导体芯片的一侧;以及/n第二连接焊盘,所述第二连接焊盘位于所述第二半导体芯片的所述第一节段的底表面上,并且/n其中,所述连接结构包括:/n第一结构,所述第一结构位于所述基板与所述第二半导体芯片的所述第一节段之间;以及/n第一柱状导体,所述第一柱状导体穿透所述第一结构以与所述基板接触,并且设置在所述第二连接焊盘与所述基板之间,从...

【技术特征摘要】
20180904 KR 10-2018-01053801.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:
基板;
第一半导体芯片,所述第一半导体芯片位于所述基板上;
第二半导体芯片,所述第二半导体芯片位于所述第一半导体芯片上;以及
连接结构,
其中,所述第二半导体芯片包括:
第一节段,所述第一节段向外突出超过所述第一半导体芯片的一侧;以及
第二连接焊盘,所述第二连接焊盘位于所述第二半导体芯片的所述第一节段的底表面上,并且
其中,所述连接结构包括:
第一结构,所述第一结构位于所述基板与所述第二半导体芯片的所述第一节段之间;以及
第一柱状导体,所述第一柱状导体穿透所述第一结构以与所述基板接触,并且设置在所述第二连接焊盘与所述基板之间,从而将所述第二半导体芯片电连接到所述基板。


2.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:
模制层,所述模制层覆盖所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片和所述连接结构,
其中,所述第一结构包括与所述模制层的材料不同的材料。


3.根据权利要求1所述的半导体封装件,
其中,所述第一结构包括感光型阻焊剂。


4.根据权利要求3所述的半导体封装件,
其中,所述基板包括:
上导电层;以及
上介电层,所述上介电层具有多个孔,
其中,所述上介电层设置在所述上导电层上,
其中,所述第一柱状导体经由所述多个孔中的一个孔连接到所述上导电层,并且
其中,所述第一结构和所述上介电层具有相同的介电材料。


5.根据权利要求1所述的半导体封装件,
其中,所述第一柱状导体的顶表面与所述第二连接焊盘的底表面接触。


6.根据权利要求1所述的半导体封装件,
其中,所述第二半导体芯片还包括第一球,
其中,所述第一柱状导体和所述第二连接焊盘通过所述第一球彼此电连接。


7.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:
第三半导体芯片,所述第三半导体芯片位于所述第二半导体芯片上,
其中,所述第三半导体芯片包括:
第一节段,所述第一节段向外突出超过所述第二半导体芯片的一侧;以及
第三连接焊盘,所述第三连接焊盘位于所述第三半导体芯片的所述第一节段的底表面上,并且
其中,所述连接结构还包括:
第二结构,所述第二结构位于所述基板与所述第三半导体芯片的所述第一节段之间;以及
第二柱状导体,所述第二柱状导体设置在所述第二结构中并且连接到所述第一柱状导体,从而经由所述第一柱状导体将所述第三半导体芯片电连接到所述基板。


8.根据权利要求7所述的半导体封装件,其中,
所述第一结构包括第一顶表面,
所述第二结构包括第二顶表面,并且
所述第二顶表面与所述基板之间的距离大于所述第一顶...

【专利技术属性】
技术研发人员:金度贤吴琼硕姜善远
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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