半导体封装件及其制造方法技术

公开了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括基板、附接到基板的第一单元结构、以及附接到第一单元结构的第二单元结构。第一单元结构和第二单元结构中的每一个包括粘合层、粘合层上的下半导体芯片、在下半导体芯片上并且与下半导体芯片接触的上半导体芯片、以及穿透上半导体芯片并与上半导体芯片和下半导体芯片连接的多个通孔。

Semiconductor package and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年8月22日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0098076的优先权，其全部内容通过引用结合于此。
本专利技术构思涉及半导体封装件及其制造方法，更具体地，涉及包括层叠集成电路的半导体封装件及其制造方法。
技术介绍
典型的层叠封装件具有其中多个基板层叠的结构。例如，层叠封装件包括顺序层叠在印刷电路板(PCB)上的半导体芯片。连接焊盘形成在半导体芯片上。接合线用于耦接各连接焊盘，使得半导体芯片彼此电连接。印刷电路板上设置有控制半导体芯片的逻辑芯片。在最近的电子产品市场中越来越需要便携式装置，因此，期望减小便携式装置中的电子部件的尺寸和/或重量。为了实现电子部件的尺寸和/或重量的减小，实现了安装部件的尺寸的减小和/或各个器件被集成到单个封装件中。具体地，用高频信号操作的半导体封装件可能需要紧凑性和/或改善的电特性。
技术实现思路
本专利技术构思的一些示例实施例提供了紧凑尺寸的半导体封装件及其制造方法。r>本专利技术构思的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装件，包括：/n基板；/n第一单元结构，其附接至所述基板；以及/n第二单元结构，其附接至所述第一单元结构，/n其中，所述第一单元结构和所述第二单元结构中的每个包括：/n粘合层；/n下半导体芯片，其位于所述粘合层上；/n上半导体芯片，其位于所述下半导体芯片上并与所述下半导体芯片接触；以及/n多个通孔，其穿透所述上半导体芯片并与所述下半导体芯片和所述上半导体芯片连接。/n

【技术特征摘要】
20180822 KR 10-2018-00980761.一种半导体封装件，包括：
基板；
第一单元结构，其附接至所述基板；以及
第二单元结构，其附接至所述第一单元结构，
其中，所述第一单元结构和所述第二单元结构中的每个包括：
粘合层；
下半导体芯片，其位于所述粘合层上；
上半导体芯片，其位于所述下半导体芯片上并与所述下半导体芯片接触；以及
多个通孔，其穿透所述上半导体芯片并与所述下半导体芯片和所述上半导体芯片连接。


2.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，
所述下半导体芯片包括：
下芯片焊盘，其位于所述下半导体芯片的前侧；以及
下绝缘层，其围绕位于所述下半导体芯片的前侧的所述下芯片焊盘，并且
所述上半导体芯片包括：
上芯片焊盘，其位于所述上半导体芯片的前侧；以及
上绝缘层，其围绕位于所述上半导体芯片的前侧的所述上芯片焊盘。


3.如权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述下半导体芯片和所述上半导体芯片被布置为允许所述下半导体芯片的前侧面对所述上半导体芯片的前侧，
其中，所述下半导体芯片的所述下绝缘层和所述上半导体芯片的所述上绝缘层彼此接触。


4.如权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述下半导体芯片的所述下绝缘层和所述上半导体芯片的所述上绝缘层构成材料相同的单体。


5.如权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述下半导体芯片的所述下芯片焊盘和所述上半导体芯片的所述上芯片焊盘彼此接触，
其中，所述多个通孔穿透所述上半导体芯片并且与所述上芯片焊盘接触。


6.如权利要求2所述的半导体封装件，其中，当在平面图中观察时，所述下半导体芯片的所述下芯片焊盘和所述上半导体芯片的所述上芯片焊盘彼此间隔开，其中
所述多个通孔中的一个通孔穿透所述上半导体芯片并且与所述上芯片焊盘接触，并且
所述多个通孔中的另一个通孔穿透所述上半导体芯片并且与所述下芯片焊盘接触。


7.如权利要求6所述的半导体封装件，其中，当在平面图中观察时，所述多个通孔中的与所述下芯片焊盘接触的所述另一个通孔与所述上芯片焊盘间隔开。


8.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一单元结构和所述第二单元结构构成具有阶梯形状的偏移层叠结构，所述阶梯形状在与所述基板的顶表面平行的方向上上升。


9.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一单元结构和所述第二单元结构中的每一个还包括位于所述上半导体芯片的后侧上的结构焊盘，所述结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：金泰成，文光辰，金孝柱，闵俊弘，李学承，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR