【技术实现步骤摘要】
一种封装结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体技术封装领域，尤其涉及一种封装结构及其制备方法。
技术介绍
随着电子产品多功能化和小型化的潮流，高密度微电子组装技术在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了配合新一代电子产品的发展，尤其是智能手机、掌上电脑、超级本等产品的发展，芯片的尺寸向密度更高、速度更快、尺寸更小、、厚度更薄、成本更低等方向发展。三维集成电路利用硅通孔在垂直方向上将多个堆叠的晶片进行互连，2.5D集成电路则是利用硅转接板通过硅通孔和重新布线层传输线在水平方向上把多个晶片或三维集成电路进行互连。但是当线宽线距＜2μm时，就需要在芯片与PCB板之间使用硅中间层，再进行硅通孔，但此技术造价成本非常高，而且也增加了封装厚度。因此，在半导体芯片封装中，如何满足小线宽需求又能降低封装厚度是本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提出一种封装结构以及制备方法，用于解决现有工艺成本高、工艺复杂、封装厚度厚的问题。为实现上述目的及其他...
【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构至少包括：/n第二重新布线层，所述第二重新布线层设有上表面和与上表面对应的下表面；/n第一重新布线层，所述第一重新布线层设有第一表面和与第一表面对应的第二表面，所述第一重新布线层经由第一表面装设于所述第二重新布线层的上表面，所述第一重新布线层与所述第二重新布线层电连接；/n半导体芯片，正面朝下倒装于所述第一重新布线层的第二表面，且与所述第一重新布线层电连接；/n塑封层，塑封于所述半导体芯片的外围，且所述塑封层远离所述第一重新布线层的表面与所述半导体芯片的背面平齐；/n散热件，与所述半导体芯片的背面接触；/n球栅阵列，设于所述第二重新...
【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构至少包括：
第二重新布线层，所述第二重新布线层设有上表面和与上表面对应的下表面；
第一重新布线层，所述第一重新布线层设有第一表面和与第一表面对应的第二表面，所述第一重新布线层经由第一表面装设于所述第二重新布线层的上表面，所述第一重新布线层与所述第二重新布线层电连接；
半导体芯片，正面朝下倒装于所述第一重新布线层的第二表面，且与所述第一重新布线层电连接；
塑封层，塑封于所述半导体芯片的外围，且所述塑封层远离所述第一重新布线层的表面与所述半导体芯片的背面平齐；
散热件，与所述半导体芯片的背面接触；
球栅阵列，设于所述第二重新布线层的下表面，且与所述第二重新布线层电连接。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括填料层，所述填料层填满所述半导体芯片与所述第一重新布线层之间的间隙。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二重新布线层与所述第一重新布线层分别包括介电层以及位于所述介电层中的金属叠层结构，所述金属叠层结构包括多层间隔排布的金属线层及金属插塞，所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间，以将相邻的所述金属线层电连接。
4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述介电层的材料包括SiO2、PI或PBO中的任意一种。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述散热件包括散热片，所述半导体芯片的背面与所述散热片相接触。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构内所述半导体芯片的数量包括至少两个，多个所述半导体芯片均正面朝下倒装于所述第一重新布线层的第二表面，相邻半导体芯片之间具有间距。
7.一种封装结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
1)提供一载板，所述载板设有上表面和与所述上表面对应的下表面，于所述载板的上表面形成第一重新布线层，所述第一重新布线层设有第一表面及与所述第一表面对应的第二表面，所述第一重新布线层的第一表面与所述载板的上表面相接触；
2)提供半导体芯片，将所述半导体芯片倒置于所述第一重新布线层的第二表面，所述半导体芯片与所述第一重新布线层电连接；
3)于步骤2)形成的结构表面形成塑封层；
4)去除所述载板，暴露出所述第一重新布线层；
5)于所述第一重新布线层的第一表面形成第二重新布线层，所述第二重新布线层设有上表面和与上表面对应的下表面，所述第二重新布...
【专利技术属性】
技术研发人员：林章申，陈彦亨，林正忠，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。