【技术实现步骤摘要】
半导体封装件本申请要求于2018年8月30日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0102886号韩国专利申请的优先权的权益,所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
本公开涉及一种半导体封装件。
技术介绍
已积极地研究用于实现装置轻量化、纤薄化且紧凑化的封装技术。就这一点而言,在制造工艺或使用环境中确保封装件抵抗热应力的可靠性是非常重要的。这样的热应力可能集中发生在不同材料之间的接触点处。因此,绝缘层中的重新分布层可能会有缺陷,从而导致封装件可靠性降低的问题。
技术实现思路
本公开的一方面提供一种可降低由于发生在不同材料之间的热应力而导致可靠性劣化的半导体封装件。根据本公开的一方面,一种半导体封装件包括:连接构件,具有彼此背对的第一表面和第二表面,并包括至少一个绝缘层和至少一个重新分布层,所述至少一个重新分布层包括过孔和RDL图案,所述过孔贯穿所述至少一个绝缘层,所述RDL图案连接到所述过孔并位于所述至少一个绝缘层的上表面上;半导体芯片,设置在所述连接构件的所述第一表 ...
【技术保护点】
1.一种半导体封装件,包括:/n连接构件,具有彼此背对的第一表面和第二表面,并包括至少一个绝缘层和至少一个重新分布层,所述绝缘层的第一表面与所述连接构件的所述第一表面对应,所述至少一个重新分布层包括过孔和重新分布层图案,所述过孔贯穿所述至少一个绝缘层,所述重新分布层图案连接到所述过孔并设置在所述至少一个绝缘层的与所述绝缘层的所述第一表面背对的第二表面上;/n半导体芯片,设置在所述连接构件的所述第一表面上,并包括连接到所述至少一个重新分布层的连接焊盘;以及/n包封剂,设置在所述连接构件的所述第一表面上并包封所述半导体芯片,/n其中,所述至少一个重新分布层包括设置在所述至少一个 ...
【技术特征摘要】
20180830 KR 10-2018-01028861.一种半导体封装件,包括:
连接构件,具有彼此背对的第一表面和第二表面,并包括至少一个绝缘层和至少一个重新分布层,所述绝缘层的第一表面与所述连接构件的所述第一表面对应,所述至少一个重新分布层包括过孔和重新分布层图案,所述过孔贯穿所述至少一个绝缘层,所述重新分布层图案连接到所述过孔并设置在所述至少一个绝缘层的与所述绝缘层的所述第一表面背对的第二表面上;
半导体芯片,设置在所述连接构件的所述第一表面上,并包括连接到所述至少一个重新分布层的连接焊盘;以及
包封剂,设置在所述连接构件的所述第一表面上并包封所述半导体芯片,
其中,所述至少一个重新分布层包括设置在所述至少一个绝缘层的所述第二表面上的种子层和设置在所述种子层上的镀层,并且
所述至少一个绝缘层和所述种子层的构成所述过孔的部分之间的界面包括第一凹凸表面,所述第一凹凸表面具有30nm或更大的表面粗糙度。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述种子层的所述部分与所述镀层的一部分之间的界面包括第二凹凸表面。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一凹凸表面的表面粗糙度大于所述种子层的位于所述过孔的与所述至少一个绝缘层的所述第一表面相邻的表面上的部分的表面粗糙度。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一凹凸表面的表面粗糙度是50nm或更大。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一凹凸表面延伸到所述至少一个绝缘层的所述第二表面和所述种子层的构成所述重新分布层图案的部分之间的界面。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述种子层包括钛(Ti)、镍(Ni)、铬(Cr)和钨(W)中的至少一种,所述镀层包括铜(Cu)。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述至少一个绝缘层包括感光介电材料。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述至少一个绝缘层包括多个绝缘层,并且
所述至少一个重新分布层包括设置在对应的绝缘层上的多个重新分布层。
9.根据权利要求8所述的半导体封装件,其中,所述种子层的构成所述多个重新分布层的过孔的部分中的每个部分分别包括在与所述对应的绝缘层的界面处的凹凸表面。
10.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括支撑框架,所述支撑框架设置在所述连接构件的所述第一表面上并包括容纳所述半导体芯片的腔。
11.根据权利要求10所述的半导体封装件,其中,所述支撑框架包括使所述支撑框架的上表面和下表面彼此连接的布线结构,
其中,所述布线结...
【专利技术属性】
技术研发人员:金炳镐,崔在薰,崔朱伶,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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