半导体封装及其形成方法技术

本发明专利技术实施例公开半导体封装及其形成方法。半导体封装包含至少一个管芯和重布线层。重布线层设置在至少一个管芯上方且电性连接到至少一个管芯，且包含晶种层结构和位在晶种层结构上方的金属特征。在一些实施例中，晶种层结构的边缘从金属特征的边缘突出且具有大于10纳米的表面粗糙度Rz。

Semiconductor package and its forming method

【技术实现步骤摘要】
半导体封装及其形成方法
本专利技术实施例是涉及半导体封装及其形成方法。
技术介绍
近年来，由于例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等各种电子组件的集成密度不断提高，半导体行业经历了快速成长。在很大程度上，集成密度的这种提高来自于最小特征尺寸的连续减小，这允许更多的组件整合到给定区域中。这些较小的电子组件也需要比以往的封装占用更小区域的较小的封装。半导体封装的类型的实例包含四方扁平封装(quadflatpackages；QFP)、针栅阵列(pingridarray；PGA)封装、球栅阵列(ballgridarray；BGA)封装、倒装芯片(flipchips；FC)、三维集成电路(three-dimensionalintegratedcircuits；3DIC)、晶片级封装(waferlevelpackages；WLP)以及层叠封装(packageonpackage；PoP)器件等。尽管现有的半导体封装对于其预期目的来说通常是足够的，但是其并没有在所有方面都完全符合要求。
技术实现思路
根据本公开的一些实施例，半导体封装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装，包括：/n至少一个管芯；以及/n重布线层，设置在所述至少一个管芯上方且与所述至少一个管芯电性连接，且包括晶种层结构及所述晶种层结构上方的金属特征，/n其中，所述晶种层结构的边缘从所述金属特征的边缘突出，且具有大于10纳米的表面粗糙度Rz。/n

【技术特征摘要】
20180831 US 62/725,272;20190605 US 16/431,7511.一种半导体封装，包括：
至少一个管...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭宏瑞，蔡惠榕，彭竣翔，彭建棠，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71