【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法本申请是申请日为2014年06月03日、专利技术名称为“半导体器件及其制造方法”的申请号为201410242276.0专利申请的分案申请。
本专利技术涉及半导体器件及其制造方法，并更具体地涉及在焊盘电极(padelectrode)与焊料凸块(solderbump)之间布置有预定金属层的半导体器件的
技术介绍
例如，对于已知的倒装芯片法(flipchipmethod)等，通过焊料凸块将IC芯片(半导体芯片)结合(安装)到包括半导体基板的安装基板上。在通过焊料凸块将半导体芯片安装到安装基板上的半导体器件中，凸块下金属(在下文中，被称为“UBM”)布置在焊盘电极与焊料凸块之间(例如，参考日本未审查专利申请2008-28112和日本未审查专利申请2012-80043)。UBM设置成用于提高焊盘电极(例如，Al基材料)与焊料凸块之间的结合粘附度。例如，按照下面的方式执行UBM的形成。即，首先，形成与焊盘电极相接触的金属晶种层(底层金属层：例如，Cu和Ti等)。从确保可靠性等角度来说，通过...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其包括：/n第一半导体电子元件，所述第一半导体电子元件包括焊盘电极、钝化层、焊料凸块以及位于所述焊盘电极与所述焊料凸块之间的金属层，所述焊盘电极嵌入所述钝化层且所述钝化层具有暴露所述焊盘电极的开口，所述金属层包括(a)底层金属层，所述底层金属层包括位于所述焊盘电极和所述焊料凸块之间的第一层和第二层，所述底层金属层连接至所述焊盘电极，以及(b)位于所述底层金属层上的主金属层，/n其中，所述金属层在俯视图中与所述钝化层的上表面重叠，/n所述钝化层的一部分与所述焊盘电极的边缘接触，/n所述主金属层在其外边缘部处具有屋檐部，所述屋檐部从所述主金属层侧突出，并与所...
【技术特征摘要】
20130611 JP 2013-1225541.一种半导体器件，其包括：
第一半导体电子元件，所述第一半导体电子元件包括焊盘电极、钝化层、焊料凸块以及位于所述焊盘电极与所述焊料凸块之间的金属层，所述焊盘电极嵌入所述钝化层且所述钝化层具有暴露所述焊盘电极的开口，所述金属层包括(a)底层金属层，所述底层金属层包括位于所述焊盘电极和所述焊料凸块之间的第一层和第二层，所述底层金属层连接至所述焊盘电极，以及(b)位于所述底层金属层上的主金属层，
其中，所述金属层在俯视图中与所述钝化层的上表面重叠，
所述钝化层的一部分与所述焊盘电极的边缘接触，
所述主金属层在其外边缘部处具有屋檐部，所述屋檐部从所述主金属层侧突出，并与所述焊盘电极的上表面和所述钝化层的所述上表面平行地突出，
所述屋檐部的边缘部在远离所述第一层的边缘和所述第二层的边缘的第一方向上突出，使得在所述屋檐部的所述边缘部和所述钝化层之间存在空隙，且
所述焊料凸块与所述屋檐部的所述边缘部接触。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其还包括：
第二半导体电子元件，所述第二半导体电子元件与所述第一半导体电子元件电连接和机械连接。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属层充当凸块下金属。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述焊料凸块的形成节距被设定为100μm以下。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述屋檐部在所述第一方向上的长度被设定为0.1μm至2.5μm。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述屋檐部在俯视图中与所述焊盘电极的一部分重叠。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其还包括：
位于所述焊料凸块和所述主金属层之间的金属间化合物层，所述金属间化合物层与所述第一层间隔开。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述屋檐部比所述主金属层中与所述焊盘电极重叠的中心部薄。
9.一种半导体器件的制造方法，其包括：
在基板部上形成焊盘电极；
在所述焊盘电极上形成钝化层，所述钝化层上具有开口，所述开口暴露所述焊盘电极的一部分并使所述焊盘电极的边缘部与所述钝化层接触；
在所述焊盘电极...
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