半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括封装结构、第一管芯、第一围阻结构、预填充层及多个导电端子。封装结构包括附接区、位于附接区周围的排除区。第一管芯设置在附接区中的封装结构上且电连接到封装结构。第一围阻结构设置在封装结构的排除区内且环绕第一管芯。预填充层设置在封装结构与第一管芯之间且设置在第一围阻结构与第一管芯之间，其中预填充层被限制在第一围阻结构内。导电端子设置在封装结构上，分布在封装结构的排除区周围且电连接到封装结构。

Semiconductor device and manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本专利技术的实施例是有关于一种半导体装置及其制造方法，特别是有关于一种包括用围阻结构来限制预填充层的半导体装置及其制作方法。
技术介绍
近年来，由于各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度持续提高，半导体工业已经历快速成长。在很大程度上，集成密度的这种提高来自于最小特征大小(minimumfeaturesize)的不断减小，这使得更多组件能够集成到给定区域中。这些较小的电子组件也需要与先前的封装相比占据较小面积的较小的封装。半导体装置封装的类型的实例包括三维集成电路(three-dimensionalintegratedcircuit，3DIC)、晶片级封装(waferlevelpackage，WLP)及层叠封装(packageonpackage，PoP)装置等。一些半导体装置是通过以半导体晶片级将芯片放置在彼此之上来制备的。半导体装置提供提高的集成密度及其他优点(例如更快的速度及更高的频宽)，这是因为堆叠芯片之间的内连线的长度减小。然而，存在与半导体装置相关的许多挑战。
技术实现思路
本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：/n封装结构，包括附接区以及位于所述附接区周围的排除区；/n第一管芯，设置在所述封装结构上及所述附接区中且电连接到所述封装结构；/n第一围阻结构，设置在所述封装结构的所述排除区内且环绕所述第一管芯；/n预填充层，设置在所述封装结构与所述第一管芯之间且设置在所述第一围阻结构与所述第一管芯之间，其中所述预填充层被限制在所述第一围阻结构内；以及/n多个导电端子，设置在所述封装结构上，分布在所述封装结构的所述排除区周围且电连接到所述封装结构。/n

【技术特征摘要】
20180731 US 62/712,228;20190326 US 16/365,6111.一种半导体装置，其特征在于，包括：
封装结构，包括附接区以及位于所述附接区周围的排除区；
第一管芯，设置在所述封装结构上及所述附接区中且电连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢贯中，苏安治，叶德强，黄立贤，林岳霆，叶名世，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71