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本发明涉及半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括第一半导体电子元件，所述第一半导体电子元件包括焊盘电极、焊料凸块以及位于焊盘与焊料之间的金属层，所述位于焊盘与焊料之间的金属层被配置成具有底层金属层和主金属层，所述底层金属层形成在所述焊盘...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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