电子器件制造技术

本申请涉及电子器件。公开了一种半导体封装体，所述半导体封装体具有通过模制化合物保护侧壁的管芯。该封装体包括具有与第二表面相对的第一表面和在第一表面和第二表面之间延伸的侧壁的管芯。再分布层形成在每个管芯的第一表面上。管芯的第一表面的面积大于再分布层的面积，使得管芯的第一表面的一部分被暴露。当在管芯和再分布层上方形成模制化合物以形成半导体封装体时，模制化合物位于再分布层的外边缘和第一表面的外边缘之间的管芯的第一表面上。模制化合物也位于管芯的侧壁上，其在运输过程中提供防止破碎或破裂的保护。

Electronic device

【技术实现步骤摘要】
电子器件
本公开涉及具有由模制化合物保护的半导体管芯侧壁的封装体。
技术介绍
由于其小尺寸和高效的组装工艺，包括硅管芯或芯片和模制化合物的晶圆级芯片规模封装(“WLCSP”)在封装空间中很常见。WLCSP面临的最大挑战之一是在处理、运输期间或在各种组装工艺(如表面贴装技术的组装工艺)期间硅管芯的破碎或破裂。为抵消这些负面影响，过去的尝试包括使用前侧模具方法或扇出方法在WLCSP中形成模制化合物。然而，这两种方法在制造效率方面存在缺陷并且在所得到的封装体中只有有限的管芯保护，这导致管芯的破碎或破裂或者其他封装故障的增加。在前侧模具方法中，在晶圆上的连续管芯之间执行半切割，并且在晶圆的有源侧上和每个管芯之上形成模制化合物。因为模制化合物形成在包括焊料凸块的晶圆的有源侧上，所以必须清除焊料凸块上的任何模制残留物，以便当封装体耦合到衬底时允许封装体发挥功能。在清洁之后，晶圆经历进一步处理，包括将管芯分离成单独的封装体。然后将这些单独的封装体布置在载体上以进行运输。由于半切割切口宽度和硅锯切划线通道宽度的限制，由前侧模制工艺生产的所得WL本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子器件，其特征在于，包括：/n管芯，具有与第二表面相对的第一表面，所述第一表面具有由第一最外边缘界定的第一面积；/n再分布层，在所述管芯的所述第一表面上，所述再分布层具有由第二最外边缘界定的第二面积，所述第二面积小于所述第一面积；以及/n模制化合物，在所述管芯和所述再分布层上，所述模制化合物在所述第一最外边缘与所述第二最外边缘之间的所述管芯的所述第一表面上。/n

【技术特征摘要】
20180228 US 62/636,7531.一种电子器件，其特征在于，包括：
管芯，具有与第二表面相对的第一表面，所述第一表面具有由第一最外边缘界定的第一面积；
再分布层，在所述管芯的所述第一表面上，所述再分布层具有由第二最外边缘界定的第二面积，所述第二面积小于所述第一面积；以及
模制化合物，在所述管芯和所述再分布层上，所述模制化合物在所述第一最外边缘与所述第二最外边缘之间的所述管芯的所述第一表面上。


2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括在所述再分布层上的多个凸块下金属化层。


3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，还包括多个焊料球，所述多个焊料球中的每个焊料球耦合到所述多个凸块下金属化层中的对应一个凸块下金属化层。


4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述管芯还包括侧壁，所述模制化合物位于所述侧壁上。


5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述模制化合物位于所述管芯的所述第二表面上。


6.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述模制化合物还包括第三最外边缘，所述第三最外边缘与所述第二最外边缘之间的第一距离大于所述第三最外边缘与所述第一最外边缘之间的第二距离。


7.一种电子器件，其特征在于，包括：
管芯，具有与第二表面相对的第一表面以及在所述第一表面和所述第二表面之间延伸的侧壁，所述第一表面具有面积；
再分布层，在所述管芯的所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘云，D·加尼，
申请(专利权)人：意法半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：新加坡;SG