半导体器件封装组件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体器件封装组件，所述半导体器件封装组件可包括第一引线框部分。所述第一引线框部分可具有限定在其中的凹陷区域。所述凹陷区域可具有侧壁和底部。所述组件还可包括第二引线框部分，所述第二引线框部分被压配到所述凹陷区域中，使得第二引线框部分的底部表面与所述凹陷区域的所述底部接触。所述第二引线框部分可通过所述第二引线框部分的外表面和所述侧壁的内表面之间的机械力保持在所述凹陷区域中，其中所述第二引线框部分的所述外表面可与所述侧壁的所述内表面接触。

Semiconductor device package

【技术实现步骤摘要】
半导体器件封装组件
本说明书涉及半导体器件封装组件。更具体地讲，本说明书涉及具有有效热耗散特性的引线框，该引线框可包括在半导体器件封装组件中。
技术介绍
热耗散效率(能力等)是半导体器件封装组件的设计和开发中的重要考虑因素，特别是对于包括功率半导体器件的封装组件，诸如功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)等。用于在半导体器件封装组件中提供有效热耗散的当前方法包括使用散热器和/或热扩散器。在一些实施方式中，与此类方法相关联的成本(材料成本、制造成本等)可能是过高的。例如，在散热器实施方式中，在制造期间丢弃的材料(例如，支撑框架等)的成本(其可称为损耗成本)可不期望地增加对应封装的半导体器件的总生产成本。对于热扩散器实施方式，用以生产具有此类热扩散器的引线框的制造成本(例如，与复杂冶金工艺相关联的成本)也可不期望地增加总生产成本。
技术实现思路
本技术旨在克服现有技术的上述缺点，包括例如过高的材料成本、制造成本、损耗成本。在一般方面，半导体器件封装组件可包括第一引线框部分。第一引线框部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件封装组件，其特征在于，所述半导体器件封装组件包括：/n第一引线框部分，所述第一引线框部分具有限定在该第一引线框部分中的凹陷区域，所述凹陷区域具有侧壁和底部；以及/n第二引线框部分，所述第二引线框部分被压配到所述凹陷区域中，使得所述第二引线框部分的底部表面与所述凹陷区域的所述底部接触，/n所述第二引线框部分通过所述第二引线框部分的外表面和所述侧壁的内表面之间的机械力保持在所述凹陷区域中，所述第二引线框部分的所述外表面与所述侧壁的所述内表面接触。/n

【技术特征摘要】
20180330 US 15/941,4241.一种半导体器件封装组件，其特征在于，所述半导体器件封装组件包括：
第一引线框部分，所述第一引线框部分具有限定在该第一引线框部分中的凹陷区域，所述凹陷区域具有侧壁和底部；以及
第二引线框部分，所述第二引线框部分被压配到所述凹陷区域中，使得所述第二引线框部分的底部表面与所述凹陷区域的所述底部接触，
所述第二引线框部分通过所述第二引线框部分的外表面和所述侧壁的内表面之间的机械力保持在所述凹陷区域中，所述第二引线框部分的所述外表面与所述侧壁的所述内表面接触。


2.根据权利要求1所述的半导体器件封装组件，其中：
所述第一引线框部分由具有第一均匀厚度的第一金属片形成；并且
所述第二引线框部分由具有第二均匀厚度的第二金属片形成。


3.根据权利要求1所述的半导体器件封装组件，其中，所述底部限定平面，所述侧壁与所述平面正交。


4.根据权利要求1所述的半导体器件封装组件，其中，所述第二引线框部分的周边对应于所述凹陷区域的周边，所述第二引线框部分的与所述侧壁的所述内表面接触的所述外表面是所述第二引线框部分的外边缘，所述侧壁限定所述凹陷区域的所述周边。


5.根据权利要求1所述的半导体器件封装组件，其中，所述第二引线框部分包括至少一个热辐射翅片。


6.根据权利要求1所述的半导体器件封装组件，其中，所述第二引线框部分包括限定在该第二引线框部分中的凹陷区域，所述第二引线框部分的所述凹陷区域被压配到所述第一引线框部分的所述凹陷区域中。


7.根据权利要求1所述的半导体器件封装组件，其中，所述第二引线框部分包括限定在该第二引线框部分中的凹陷区域，所述第一引线框部分的所述凹陷区域被压配到所述第二引线框部分的所述凹陷区域中。


8.根据权利要求1所述的半导体器件封装组件，其中，所述半导体器件封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：落合公，井野口浩，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：新型
国别省市：美国;US