半导体器件封装组件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体器件封装组件，所述半导体器件封装组件可包括第一引线框部分。所述第一引线框部分可具有限定在其中的凹陷区域。所述凹陷区域可具有侧壁和底部。所述组件还可包括第二引线框部分，所述第二引线框部分被压配到所述凹陷区域中，使得第二引线框部分的底部表面与所述凹陷区域的所述底部接触。所述第二引线框部分可通过所述第二引线框部分的外表面和所述侧壁的内表面之间的机械力保持在所述凹陷区域中，其中所述第二引线框部分的所述外表面可与所述侧壁的所述内表面接触。

Semiconductor device package

【技术实现步骤摘要】
半导体器件封装组件
本说明书涉及半导体器件封装组件。更具体地讲，本说明书涉及具有有效热耗散特性的引线框，该引线框可包括在半导体器件封装组件中。
技术介绍
热耗散效率(能力等)是半导体器件封装组件的设计和开发中的重要考虑因素，特别是对于包括功率半导体器件的封装组件，诸如功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)等。用于在半导体器件封装组件中提供有效热耗散的当前方法包括使用散热器和/或热扩散器。在一些实施方式中，与此类方法相关联的成本(材料成本、制造成本等)可能是过高的。例如，在散热器实施方式中，在制造期间丢弃的材料(例如，支撑框架等)的成本(其可称为损耗成本)可不期望地增加对应封装的半导体器件的总生产成本。对于热扩散器实施方式，用以生产具有此类热扩散器的引线框的制造成本(例如，与复杂冶金工艺相关联的成本)也可不期望地增加总生产成本。
技术实现思路
本技术旨在克服现有技术的上述缺点，包括例如过高的材料成本、制造成本、损耗成本。在一般方面，半导体器件封装组件可包括第一引线框部分。第一引线框部分可具有限定在该第一引线框部分中的凹陷区域。凹陷区域可具有侧壁和底部。组件还可包括第二引线框部分，该第二引线框部分被压配到凹陷区域中，使得第二引线框部分的底部表面与凹陷区域的底部接触。第二引线框部分可通过第二引线框部分的外表面和侧壁的内表面之间的机械力保持在凹陷区域中，其中第二引线框部分的外表面可与侧壁的内表面接触。在另一个一般方面，半导体器件封装组件可包括第一引线框部分。第一引线框部分可具有限定在该第一引线框部分中的凹陷区域。凹陷区域可具有底部和侧壁，该底部限定平面，该侧壁正交于平面。组件还可包括第二引线框部分，该第二引线框部分被压配到凹陷区域中，使得：第二引线框部分的第一部分设置在凹陷区域内，并且与凹陷区域的侧壁和底部接触，并且第二引线框部分的第二部分设置在凹陷区域外部。与现有技术相比，本技术的技术方案可降低损耗成本，因为可使用更薄的(例如，更便宜的)原材料(例如，金属片)来生产单独的引线框部分。另外，本技术的技术方案可降低用于生产具有热扩散器的引线框(或用于生产散热器)的成本，因为不使用分别用于热扩散器(或散热器)和信号引线/端子的具有厚度不同的区域的金属片(例如，用作引线框原材料)。因此，金属片(具有厚度不同的不同区域)的生产成本可能很高(对于金属加工的成本)，相比之下，本技术的技术方案可降低总成本。例如，与现有技术相反，本技术的技术方案可包括使用具有相应均匀厚度的金属片(例如，引线框原材料)，这可降低总材料成本(例如，损耗成本和/或制造成本)。附图说明图1A-图1G是示出用于生产包括具有有效热耗散特性的引线框的半导体器件封装组件的制造工艺的操作的示意性侧视图。图2A是包括具有有效热耗散特性的引线框的半导体器件封装组件的正面的平面图。图2B是图2A的半导体器件封装组件的正面等距视图。图2C是图2A的半导体器件封装组件的背面等距视图。图2D是图2A的半导体器件封装组件的正面等距剖面图。图3A-图3K是示出用于生产图2A-图2D的半导体器件封装组件的制造工艺的操作的示意图。图4A是示出可包括在具有有效热耗散特性的引线框中的引线框部分的自顶向下视图的示意图。图4B是示出图4A的引线框部分的第一侧视图的示意图。图4C是示出图4A的引线框部分的第二侧视图的示意图。图5A-图5C是示出用于生产包括具有有效热耗散特性的引线框的另一个半导体器件封装组件的制造工艺的操作的示意性侧视图。图6A-图6C是示出用于生产包括具有有效热耗散特性的引线框的又一个半导体器件封装组件的制造工艺的操作的示意性侧视图。图7A-图7C是示出用于生产包括具有有效热耗散特性的引线框的再一个半导体器件封装组件的制造工艺的操作的示意性侧视图。在未必按比例绘制的附图中，相同的参考符号可指示不同视图中的相同和/或相似的部件(元件，结构等)。附图大体上以举例而非限制的方式示出了本文件中所讨论的各种实施方式。在一个附图中示出的参考符号对于相关视图中的相同和/或相似元件可不重复。在多个附图中重复的参考符号可以不相对于这些附图中的每个附图具体讨论，而是为相关视图之间的上下文提供。另外，并非附图中的所有相同元件都在示出该元件的多个实例时用参考符号具体引用。具体实施方式本公开涉及半导体器件封装组件(封装组件、封装、组件等)以及相关联的制造方法。更具体地讲，本说明书涉及具有有效热耗散特性的引线框，该引线框可包括在半导体器件封装组件中。本文描述的方法可克服上述先前方法的缺点中的至少一些。例如，在一些实施方式中，可由具有相应均匀厚度的材料(例如，金属片、铜片等)形成的多个引线框部分可用于生产具有有效热耗散特性的引线框。例如，由具有均匀厚度的第一金属片形成的第一引线框部分可与由同样具有均匀厚度的第二金属片形成的第二引线框部分结合使用以形成具有增加厚度的引线框(例如，其可限定功率半导体器件将附接的区域)以提供有效的热耗散。在一些实施方式中，第一金属片和第二金属片可具有相同厚度，第一金属片和第二金属片可由单个金属片限定，第一金属片和第二金属片可由相同材料形成(这对于热膨胀可为期望的)，第一金属片和第二金属片可具有不同厚度，第一金属片和第二金属片可由不同材料形成。特定布置将取决于具体实施方式。与当前方法相比，本文所述的方法可降低损耗成本，因为可使用更薄的(例如，更便宜的)原材料(例如，金属片)来生产单独的引线框部分。另外，此类方法可降低用于生产具有热扩散器的引线框(或用于生产散热器)的成本，因为不使用分别用于热扩散器(或散热器)和信号引线/端子的具有厚度不同的区域的金属片(例如，用作引线框原材料)。因此，金属片(具有厚度不同的不同区域)的生产成本可能很高(对于金属加工的成本)，与此类方法相比，本文所述的方法可降低总成本。例如，与先前的方法相反，本文描述的方法可包括使用具有相应均匀厚度的金属片(例如，引线框原材料)，这可降低总材料成本(例如，损耗成本和/或制造成本)。本文描述并且在附图中示出的方法是出于说明的目的并且通过示例给出。在一些实施方式中，可以包括和/或执行其他元件和/或制造操作。例如，在一些实施方式中，本文示出和描述的组件可使用引线框部分的条带或阵列来生产，可使用锯或激光将该引线框部分彼此切割以将组件切开，或者可使用机械冲孔(例如，工具和模具)工艺来切割。另外，本文示出和描述的组件可使用模塑料(诸如环氧树脂模塑料)，使用注塑、传递模塑等来(至少部分地)包封。在一些实施方式中，可消除本文描述的一个或多个元件和/或处理操作。图1A-图1G是示出用于生产包括具有有效热耗散特性的引线框(例如，具有多个引线框部分)的半导体器件封装组件的制造工艺的操作的示意性侧视图。如图1B所示，可提供第一引线框部分105，其中引线框部分105可由具有均匀厚度T1的金属片(例如，铜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件封装组件，其特征在于，所述半导体器件封装组件包括：/n第一引线框部分，所述第一引线框部分具有限定在该第一引线框部分中的凹陷区域，所述凹陷区域具有侧壁和底部；以及/n第二引线框部分，所述第二引线框部分被压配到所述凹陷区域中，使得所述第二引线框部分的底部表面与所述凹陷区域的所述底部接触，/n所述第二引线框部分通过所述第二引线框部分的外表面和所述侧壁的内表面之间的机械力保持在所述凹陷区域中，所述第二引线框部分的所述外表面与所述侧壁的所述内表面接触。/n

【技术特征摘要】
20180330 US 15/941,4241.一种半导体器件封装组件，其特征在于，所述半导体器件封装组件包括：
第一引线框部分，所述第一引线框部分具有限定在该第一引线框部分中的凹陷区域，所述凹陷区域具有侧壁和底部；以及
第二引线框部分，所述第二引线框部分被压配到所述凹陷区域中，使得所述第二引线框部分的底部表面与所述凹陷区域的所述底部接触，
所述第二引线框部分通过所述第二引线框部分的外表面和所述侧壁的内表面之间的机械力保持在所述凹陷区域中，所述第二引线框部分的所述外表面与所述侧壁的所述内表面接触。


2.根据权利要求1所述的半导体器件封装组件，其中：
所述第一引线框部分由具有第一均匀厚度的第一金属片形成；并且
所述第二引线框部分由具有第二均匀厚度的第二金属片形成。


3.根据权利要求1所述的半导体器件封装组件，其中，所述底部限定平面，所述侧壁与所述平面正交。


4.根据权利要求1所述的半导体器件封装组件，其中，所述第二引线框部分的周边对应于所述凹陷区域的周边，所述第二引线框部分的与所述侧壁的所述内表面接触的所述外表面是所述第二引线框部分的外边缘，所述侧壁限定所述凹陷区域的所述周边。


5.根据权利要求1所述的半导体器件封装组件，其中，所述第二引线框部分包括至少一个热辐射翅片。


6.根据权利要求1所述的半导体器件封装组件，其中，所述第二引线框部分包括限定在该第二引线框部分中的凹陷区域，所述第二引线框部分的所述凹陷区域被压配到所述第一引线框部分的所述凹陷区域中。


7.根据权利要求1所述的半导体器件封装组件，其中，所述第二引线框部分包括限定在该第二引线框部分中的凹陷区域，所述第一引线框部分的所述凹陷区域被压配到所述第二引线框部分的所述凹陷区域中。


8.根据权利要求1所述的半导体器件封装组件，其中，所述半导体器件封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：落合公，井野口浩，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：新型
国别省市：美国;US