【技术实现步骤摘要】
本专利技术整体涉及图像传感器，并且更具体地讲，涉及用于测试图像传感器中的部件的完整性的方法和电路。
技术介绍
1、图像传感器常常在电子设备诸如移动电话、相机和计算机中用来捕获图像。常规图像传感器是通过使用互补金属氧化物半导体(cmos)技术或电荷耦接器件(ccd)技术在半导体衬底上制造而成。图像传感器可包括图像传感器像素阵列，每个像素包括光电二极管和其他运行电路，诸如衬底中形成的晶体管。
2、图像传感器在整个电子设备寿命期内可能容易出现故障。常规图像传感器有时与用于测试图像传感器的功能的方法和电路一起提供。然而，包括用于测试图像传感器的功能的电路可使得图像传感器的制造过程很复杂。另外，在常规图像传感器中，单个半导体衬底用于图像传感器。这可减少可供像素光电二极管使用的空间量。
3、因此希望能够提供包括用于测试图像传感器的功能的电路的改进图像传感器。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一节点是所述SR锁存电路的R节点，其中所述SR锁存电路还包括S节点。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述SR锁存电路还包括：
4.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述S节点耦接到上拉偏置线，其中所述下拉晶体管被配置为在未使用所述SR锁存电路时使所述R节点保持为低，并且其中所述上拉偏置线被配置为在未使用所述SR锁存电路时使所述S节点保持为高。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述SR锁存电路形成在第一衬底中，并且其中所述第一衬底...
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一节点是所述sr锁存电路的r节点，其中所述sr锁存电路还包括s节点。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述sr锁存电路还包括：
4.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述s节点耦接到上拉偏置线，其中所述下拉晶体管被配置为在未使用所述sr锁存电路时使所述r节点保持为低，并且其中所述上拉偏置线被配置为在未使用所述sr锁存电路时使所述s节点保持为高。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述sr锁存电路形成在第一衬底中，并且其中所述第一衬底包括多个n沟道金属氧化物半导体nmos晶体管并且不包括任何p沟道金属氧化物半导体pmos晶体管。
6.一种图像传感器，包括：
7.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·J·斯特德曼，S·C·丹尼，S·沙玛，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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