本发明专利技术涉及一种化合物及其应用，所述化合物具有式I所示的结构，母核采用氮杂苯并中氮茚构成，该化合物的结构具有良好的缺电子性，因此有利于电子的注入，同时具有相对更大的平面结构，提高了电子迁移能力，从而有利于提高新构建分子整体的电子的迁移率。由以上两方面的结构特性可以使分子整体表现出良好的电子注入和迁移性能。因此，当将本发明专利技术的化合物用作有机电致发光器件中的电子传输层材料时，可以有效提升器件中的电子注入和迁移效率，从而确保器件获得高发光效率、低启动电压的优异效果。
A compound and its application
【技术实现步骤摘要】
一种化合物及其应用
本专利技术涉及有机电致发光
，特别涉及一种化合物及其应用。
技术介绍
有机电致发光(OLED:OrganicLightEmissionDiodes)器件是一类具有类三明治结构的器件，包括正负电极膜层及夹在电极膜层之间的有机功能材料层。对OLED器件的电极施加电压，正电荷从正极注入，负电荷从负极注入，在电场作用下正负电荷在有机层中迁移相遇复合发光。由于OLED器件具有亮度高、响应快、视角宽、工艺简单、可柔性化等优点，在新型显示
和新型照明
备受关注。目前，该技术已被广泛应用于新型照明灯具、智能手机及平板电脑等产品的显示面板，进一步还将向电视等大尺寸显示产品应用领域扩展，是一种发展快、技术要求高的新型显示技术。随着OLED在照明和显示两大领域的不断推进，人们对于其核心材料的研究也更加关注。这是因为一个效率好、寿命长的OLED器件通常是器件结构以及各种有机材料的优化搭配的结果，这就为化学家们设计开发各种结构的功能化材料提供了极大的机遇和挑战。常见的功能化有机材料有：空穴注入材料、空穴传输材料、空穴阻挡材料、电子注入材料、电子传输材料，电子阻挡材料以及发光主体材料和发光客体(染料)等。为了制备驱动电压更低、发光效率更好、器件使用寿命更长的OLED发光器件，实现OLED器件的性能不断提升，不仅需要对OLED器件结构和制作工艺进行创新，更需要对OLED器件中的光电功能材料不断研究和创新，以制备出具有更高性能的功能材料。基于此，OLED材料界一直致力于开发新的有机电致发光材料以实现器件低启动电压、高发光效率和更优的使用寿命。在目前OLED屏体厂商中，广泛地使用Liq(八羟基喹啉锂)掺杂到ET材料层中的技术手段，来实现器件的低电压和高效率，并且有提高器件寿命的作用。Liq的作用主要在于能够在阴极注入的电子作用下还原出微量的金属锂，从而起到对电子传输材料进行n-掺杂的效果，从而使得电子的注入效果显著提升，另一方面，锂离子会通过与电子传输材料中N原子的配位作用，起到提高ET材料电子迁移率的作用，从而使得Liq掺杂ET的器件具有低的工作电压和高的发光效率。然而，为了进一步满足对OLED器件的光电性能不断提升的需求，以及移动化电子器件对于节能的需求，需要不断地开发新型的、高效的OLED材料，其中开发新的具有高电子注入能力和高迁移率的电子传输材料具有很重要的意义。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种化合物，所述化合物具有良好的电子注入和迁移性能，可以提升有机电致发光器件的电子注入和迁移效率，获得高发光效率、低启动电压的优异效果。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：本专利技术提供一种化合物，所述化合物具有式I所示的结构；式I中，所述X1、X2和X3各自独立地选自CR1、CR2、CR3或N中的任意一种，且至少有一项为N；所述R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地选自氢、卤素、氰基、取代或未取代的C1～C12(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10等)链状烷基、取代或未取代的C3～C12(例如C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10等)环烷基、取代或未取代的C6～C30(例如C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28等)芳基、取代或未取代的C3～C60(例如C4、C6、C8、C12、C15、C18、C20、C23、C25、C28、C30、C36、C40、C46、C48、C50、C54、C58等)杂芳基中的任意一种；式I中，所述m为0～3的整数，例如1或2；当m为2或3时，R6相同或不同；式I中，所述L选自单键、取代或未取代的C6～C30(例如C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28等)亚芳基、取代或未取代的C3～C30(例如C4、C6、C8、C12、C15、C18、C20、C23、C25、C28等)亚杂芳基中的任意一种；式I中，所述Ar选自取代有吸电子基团的C6～C60(例如C8、C12、C15、C18、C20、C23、C25、C28、C30、C36、C40、C46、C48、C50、C54、C58等)芳基、取代或未取代的C3～C60(例如C4、C6、C8、C12、C15、C18、C20、C23、C25、C28、C30、C36、C40、C46、C48、C50、C54、C58等)杂芳基中的任意一种，且Ar为吸电子基团；当上述基团存在取代基时，所述取代基各自独立地选自卤素、C1～C10(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10等)链状烷基、C3～C10(例如C4、C5、C6、C7、C8、C9等)环烷基、C1～C10(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10等)卤代烷基、C2～C10(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10等)烯基、C1～C6(例如C2、C3、C4、C5等)烷氧基、C1～C6(例如C2、C3、C4、C5等)硫代烷氧基、羰基、羧基、硝基、氰基、胺基、C6～C30(例如C8、C12、C15、C18、C20、C23、C25、C28等)单环芳基、C10～C30(例如C12、C15、C18、C20、C23、C25、C28等)稠环芳基、C3～C60(例如C4、C6、C8、C12、C15、C18、C20、C23、C25、C28、C30、C36、C40、C46、C48、C50、C54、C58等)单环杂芳基、C6～C30(例如C8、C12、C15、C18、C20、C23、C25、C28等)稠环杂芳基中的任意一种或至少两种组合。本专利技术中“取代或未取代的”的基团存在取代基时，取代基均具有上述选择范围，可以取代有一个基团，也可以取代有两个及以上基团，下文不一一赘述。本专利技术的式I化合物母核采用氮杂苯并中氮茚构成，且苯环上的N原子与中氮茚基团的N不在邻位，这样能够平衡中氮茚本身具有的弱供电子性，与现有技术常用的单个恶唑、噻唑、咪唑、三氮唑或三嗪等结构相比，本专利技术化合物的结构具有良好的缺电子性，因此有利于电子的注入，同时具有相对更大的平面结构，提高了电子迁移能力，从而有利于提高新构建分子整体的电子的迁移率。由以上两方面的结构特性可以使分子整体表现出良好的电子注入和迁移性能。所以，当将本专利技术的化合物用作有机电致发光器件中的电子传输层材料时，可以有效提升器件中的电子注入和迁移效率，从而确保器件获得高发光效率、低启动电压的优异效果。本专利技术中的“吸电子基团”是指该基团取代苯环上的氢后，苯环上的电子云密度降低的基团，通常这样的基团的哈米特值大于0.6。所述哈米特值是指对特定基团电荷亲和力的表征，是吸电子基团(正哈米特值)或给电子基团(负哈米特值)的度量。在ThomasH.Lowry和KatheleenSchuellerRichardson,“MechanismandTheoryInOrganicChemistry’,NewYork,1987,143-151页中更详细描述了哈米特方程，此处引作参考。这样的基团可以列本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种化合物，其特征在于，所述化合物具有式I所示的结构；/n
【技术特征摘要】
1.一种化合物，其特征在于，所述化合物具有式I所示的结构；
式I中，所述X1、X2和X3各自独立地选自CR1、CR2、CR3或N中的任意一种，且至少有一项为N；
所述R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地选自氢、卤素、氰基、取代或未取代的C1～C12链状烷基、取代或未取代的C3～C12环烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C60杂芳基中的任意一种；
式I中，所述m为0～3的整数；
式I中，所述L选自单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基、取代或未取代的C3～C30亚杂芳基中的任意一种；
式I中，所述Ar选自取代有吸电子基团的C6～C60芳基、取代或未取代的C3～C60杂芳基中的任意一种，且Ar为吸电子基团；
当上述基团存在取代基时，所述取代基各自独立地选自卤素、C1～C10链状烷基、C3～C10环烷基、C1～C10卤代烷基、C2～C10烯基、C1～C6烷氧基、C1～C6硫代烷氧基、羰基、羧基、硝基、氰基、胺基、C6～C30单环芳基、C10～C30稠环芳基、C3～C60单环杂芳基、C6～C30稠环杂芳基中的任意一种或至少两种组合。
2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物具有(2-1)至(2-6)所示的结构；
所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、m、L和Ar均具有与权利要求1相同的限定范围。
3.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于，所述吸电子基团包括硝基、芳基氨基、氰基、卤素、磷氧基、羰基和酰基中的任意一种或至少两种组合，优选卤素和/或氰基。
4.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于，所述Ar选自取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡啶基、...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘叔尧，孙恩涛，方仁杰，
申请(专利权)人：北京鼎材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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