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一种化合物及其应用制造技术
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文档序号:23143127
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本发明涉及一种化合物及其应用,所述化合物具有式I所示的结构,母核采用氮杂苯并中氮茚构成,该化合物的结构具有良好的缺电子性,因此有利于电子的注入,同时具有相对更大的平面结构,提高了电子迁移能力,从而有利于提高新构建分子整体的电子的迁移率。由以...
该专利属于北京鼎材科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京鼎材科技有限公司授权不得商用。
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