【技术实现步骤摘要】
一种测算功率半导体器件的栅极内阻的方法及装置
本专利技术涉及电力电子器件
，具体涉及一种测算功率半导体器件的栅极内阻的方法及装置。
技术介绍
功率半导体器件是用于电力设备的电能变换和控制电路方面中的大功率的电力电子器件，因此，功率半导体器件是电力电子器件中的核心器件。随着数字信息技术的快速发展，功率半导体器件的应用越来越广泛，其中，金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,简称MOSFET)，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，因此，如果为了充分利用MOSFET器件，有必要研究MOSFET器件的电气特性，其中MOSFET器件的栅极内阻属于重要电气特性参数之一，MOSFET器件的栅极内阻影响器件的充放电速度，测量MOSFET器件的栅极内阻有助于器件的驱动匹配。目前，一般在MOSFET器件的开通过程中通过测量仪器测量MOSFET器件的驱动电压值、阈值电压值、输入电容值、驱动外电阻值、开通延时值，基于MOSFET器件的测量...
【技术保护点】
1.一种测算功率半导体器件的栅极内阻的方法，其特征在于，包括如下步骤：/n构建待测功率半导体器件的充电等效电路模型，所述充电等效电路模型包括所述待测功率半导体器件、驱动电阻、栅极电阻、充电电容和驱动电源；/n根据所述充电等效电路模型，设置所述驱动电阻分别对应的第一预设电阻值和第二预设电阻值；/n获取所述驱动电源对应的驱动电压值、所述充电电容对应的输入电容值、所述第一预设电阻值对应的第一开通延时值和所述第二预设电阻值对应的第二开通延时值；/n根据所述驱动电压值、所述输入电容值、所述第一预设电阻值和所述第一开通延时值建立关于所述栅极电阻的第一阈值电压计算关系式；/n根据所述驱动...
【技术特征摘要】
1.一种测算功率半导体器件的栅极内阻的方法，其特征在于，包括如下步骤：
构建待测功率半导体器件的充电等效电路模型，所述充电等效电路模型包括所述待测功率半导体器件、驱动电阻、栅极电阻、充电电容和驱动电源；
根据所述充电等效电路模型，设置所述驱动电阻分别对应的第一预设电阻值和第二预设电阻值；
获取所述驱动电源对应的驱动电压值、所述充电电容对应的输入电容值、所述第一预设电阻值对应的第一开通延时值和所述第二预设电阻值对应的第二开通延时值；
根据所述驱动电压值、所述输入电容值、所述第一预设电阻值和所述第一开通延时值建立关于所述栅极电阻的第一阈值电压计算关系式；
根据所述驱动电压值、所述输入电容值、所述第二预设电阻值和所述第二开通延时值建立关于所述栅极电阻的第二阈值电压计算关系式；
根据所述第一阈值电压计算关系式和第二阈值电压计算关系式，计算二者的差值得到所述栅极电阻对应的栅极内阻值。
2.根据权利要求1所述的测算功率半导体器件的栅极内阻的方法，其特征在于，所述输入电容值通过如下公式计算：
Ciss＝CGS+CGD；
所述Ciss为所述输入电容值，所述CGS为所述待测功率半导体器件的第一电极间电容值；所述CGD为所述待测功率半导体器件的第二电极间电容值。
3.根据权利要求1所述的测算功率半导体器件的栅极内阻的方法，其特征在于，所述第一阈值电压计算关系式为如下公式：
其中，Vth1为第一阈值电压值，VG,on为所述驱动电压值，tdon1为所述第一开通延时值，Ciss为所述输入电容值，Rext1为所述第一预设电阻值，Rint为所述栅极内阻值。
4.根据权利要求1所述的测算功率半导体器件的栅极内阻的方法，其特征在于，所述第二阈值电压计算关系式为如下公式：
其中，Vth2为第二阈值电压值，VG,on为所述驱动电压值，tdon2为所述第二开通延时值，Rext2为所述第二预设电阻值，Rint为所述栅极内阻值。
5.根据权利要求1-4任一项所述的测算功率半导体器件的栅极内阻的方法，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙帅，崔梅婷，陈中圆，陈艳芳，李翠，
申请(专利权)人：全球能源互联网研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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