一种用于高压下SiC MOS热阻测量的栅漏短路及栅压供给装置制造方法及图纸

一种用于高压下SiC MOS热阻测量的栅漏短路及栅压供给装置属于功率MOS器件热设计和测试领域。本发明专利技术设计了被测SiC MOS器件栅‑漏短接快速切换开关以及栅压供给装置。可用于得到温敏参数曲线，随后施加一定的工作电流并使器件输出功率达到稳态；由加热状态快速切换为测试状态并采集源‑漏寄生二极管的导通压降，得到器件的结温曲线；由结构函数法处理分析得到SiC MOS器件的热阻构成。本发明专利技术旨在研究SiC MOS器件纵向热阻分析技术，为SiC MOS器件的热阻特性研究和失效分析提供条件。

A device of gate leakage short circuit and gate voltage supply for measuring thermal resistance of SiC MOS under high voltage

【技术实现步骤摘要】
一种用于高压下SiCMOS热阻测量的栅漏短路及栅压供给装置
：本专利技术属于功率器件热特性测试领域，主要用于SiCMOS器件温升和热阻的测量与分析。
技术介绍
：随着SiCMOS器件在高压高功率方面的广泛应用，其工作时器件有源区温度升高，导致器件的寿命不断下降。为了准确评估SiCMOS器件的可靠性，有关其热阻分析技术亟需得到突破。对于功率器件热阻分析，通常采用电学测温方法通过寄生pn结或肖特基结的温敏参数(导通压降)实现。其中，利用SiCMOS的寄生二极管测量热阻受到SICMOS特有的阈值电压不稳定性影响。栅漏短接的测温方法因受阈值电压不稳定性的影响较小，是目前很普遍的SiCMOS测温方法，但该方法在实际应用中通常无法准确估计实际加热状态对应的热阻，可能由两个原因引起：由于栅漏短路无法实现实际的工作条件；由于从加热状态到测试状态的开关切换速度较慢，无法准确测量芯片层热阻。本专利技术可实现从漏压高于栅压的加热状态到测试状态的高速开关切换。在漏压开关使用带隔离驱动的MOS开关管时，装置可以在5us内完成切换。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于高压下SiC MOS热阻测量的栅漏短路及栅压供给装置，其特征在于：/n可调输出电压的驱动电路或电源与绝缘栅开关器件的栅极相连接；被测SiC MOS器件的漏极和源极分别与绝缘栅开关器件的漏极和源极相连；漏-源工作电源正输出端与漏压开关一端相连；漏压开关另一端与二极管阳极相连；二极管阴极与被测SiC MOS器件的漏极相连；漏-源工作电源负输出端与被测SiC MOS器件的源极相连；测试电流源接在绝缘栅开关器件除栅极外的一端。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于高压下SiCMOS热阻测量的栅漏短路及栅压供给装置，其特征在于：
可调输出电压的驱动电路或电源与绝缘栅开关器件的栅极相连接；被测SiCMOS器件的漏极和源极分别与绝缘栅开关器件的漏极和源极相连；漏-源工作电源正输出端与漏压开关一端相连；漏压开关另一端与二极管阳极相连；二极管阴极与被测SiCMOS器件的漏极相连；漏-源工作电源负输出端与被测SiCMOS器件的源极相连；测试电流源接在绝缘栅开关器件除栅极外的一端。


2.如权利要求1所述装置，其特征在于：漏-源工作电源负输出端接地。

【专利技术属性】
技术研发人员：冯士维，白昆，石帮兵，肖宇轩，潘世杰，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：北京;11