降低晶圆翘曲度的装置及方法、半导体设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种降低晶圆翘曲度的装置及方法、半导体设备。该装置包括：腔室、载台、加热单元、温控单元及中空压环；载台位于腔室内，用于承载待处理的晶圆；加热单元位于腔室内，用于对晶圆进行加热处理；温控单元与加热单元相连接，用于对加热单元的加热温度进行控制；中空压环，位于载台的上方，用于对晶圆进行按压以降低晶圆的翘曲度。本发明专利技术利用加热单元和温控单元对晶圆的温度进行调节以使晶圆软化，并利用中空压环对晶圆进行按压以最终达到降低晶圆翘曲度的目的。采用本发明专利技术降低晶圆的翘曲度，不仅有利于改善对晶圆的吸附、使得对晶圆的移动作业更加容易，可有效降低晶圆在移动作业过程中的碎片率，且有助于提高后续工艺的生产良率。

Device and method for reducing the warpage of wafer, semiconductor equipment

【技术实现步骤摘要】
降低晶圆翘曲度的装置及方法、半导体设备
本专利技术涉及半导体芯片制造领域，特别是涉及一种降低晶圆翘曲度的装置及方法、半导体设备。
技术介绍
随着半导体芯片制造技术的飞速发展，晶圆的尺寸越来越大，单个晶圆上制作的芯片数量越来越多，器件的集成密度也越来越大，这导致晶圆的翘曲度(warpage)问题越来越突出。晶圆表面发生翘曲的原因很多，比如因为芯片制造工艺复杂，晶圆表面需要堆叠沉积数十层乃至上百层薄膜，薄膜与薄膜间的应力不平衡导致晶圆出现不同程度的翘曲。此外，芯片制造过程中广泛采用沟槽工艺，而沟槽会导致晶圆的翘曲问题加重。晶圆翘曲不仅会造成不同薄膜间的图形套准精度降低，导致生产良率的下降，而且还会导致对晶圆的吸附难度增大，使得对晶圆的移动作业难以进行而导致生产运行的停滞；同时翘曲的存在会使晶圆的自身产生较大的应力而容易在搬送过程中或划片工艺中使晶圆破裂，这在后段封装过程中尤为突出。随着晶圆尺寸的持续增大和器件集成度的日益增加，改善晶圆的翘曲度，也即降低晶圆的翘曲度对工艺的不利影响成为半导体厂内亟待解决的问题。r>
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种降低晶圆翘曲度的装置，其特征在于，包括：/n腔室；/n载台，位于所述腔室内，用于承载待处理的晶圆；/n加热单元，位于所述腔室内，用于对所述晶圆进行加热处理；/n温控单元，与所述加热单元相连接，用于对所述加热单元的加热温度进行控制；/n中空压环，位于所述载台的上方，用于对所述晶圆进行按压以降低所述晶圆的翘曲度。/n

【技术特征摘要】
1.一种降低晶圆翘曲度的装置，其特征在于，包括：
腔室；
载台，位于所述腔室内，用于承载待处理的晶圆；
加热单元，位于所述腔室内，用于对所述晶圆进行加热处理；
温控单元，与所述加热单元相连接，用于对所述加热单元的加热温度进行控制；
中空压环，位于所述载台的上方，用于对所述晶圆进行按压以降低所述晶圆的翘曲度。


2.根据权利要求1所述的降低晶圆翘曲度的装置，其特征在于：所述降低晶圆翘曲度的装置还包括第一驱动单元，与所述中空压环相连接，用于调整所述中空压环的位置以调整所述中空压环与所述晶圆之间的距离。


3.根据权利要求1所述的降低晶圆翘曲度的装置，其特征在于：所述降低晶圆翘曲度的装置还包括第二驱动单元，与所述载台相连接，用于调整所述载台的位置以调整所述晶圆与所述中空压环之间的距离。


4.根据权利要求1所述的降低晶圆翘曲度的装置，其特征在于：所述降低晶圆翘曲度的装置还包括测量单元，位于所述载台上方，用于测量所述晶圆的翘曲度。


5.根据权利要求1所述的降低晶圆翘曲度的装置，其特征在于：所述中空压环的材质包括不锈钢。


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【专利技术属性】
技术研发人员：严成勉，王维斌，林正忠，陈明志，李龙祥，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32