半导体发光器件及其制作方法技术

本申请提供了一种半导体发光器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。使用铸模材料制作铸模层作为器件制作过程中的支撑结构，铸模层将P型电极和N型电极相绝缘。同时，对硅衬底进行了减薄，并在硅衬底上形成了凹槽，使得发光层发出的光线可以通过凹槽出射，由于凹槽内的硅衬底已经被去除，光线的出射线路上就没有会吸收光线的材料。同时剩余的硅衬底可以形成反射杯的形状，如果在硅衬底上制作反射结构或反射材料可以进一步提高光线的出射效率。在本申请的制作过程中，无需提供新的支撑衬底，无需进行复杂的支撑衬底键合连接的步骤，同时选用成本较低的硅衬底并对硅衬底减薄，可以有效的降低器件的器件和制作成本，器件也具有良好的光取向性。

Semiconductor Light Emitting Device and Its Fabrication Method

【技术实现步骤摘要】
半导体发光器件及其制作方法
本申请涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体发光器件及其制作方法。
技术介绍
发光二极管LED(LightEmittingDiode)是一种常用的发光器件，常见的具有较短波长(如绿光到紫外光)的LED一般是在蓝宝石衬底或硅衬底上制作形成的。与蓝宝石衬底相比，硅衬底的价格相对低廉，并且硅衬底可以形成更大尺寸的晶圆。但使用硅衬底制作LED芯片时，由于制作工艺需要，在制作过程中，需要将生长用的硅衬底去除，并再键合连接新的支撑衬底，这样显著增加了LED芯片的制作成本和制作难度。
技术实现思路
有鉴于此，本申请提供了一种半导体发光器件及其制造方法。本申请提供的技术方案如下：一种半导体发光器件的制作方法，包括：提供一硅衬底；在所述硅衬底一侧制作半导体层，所述半导体层包括N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述N型半导体层位于所述硅衬底一侧，所述发光层位于所述N型半导体层远离所述硅衬底一侧，所述P型半导体层位于所述发光层远离所述N型半导体层一侧；制作与所述P型半导体层相接触的P型电极，并制作与所述N型半导体层相连接的N型电极；在所述半导体层远离所述硅衬底的一侧形成铸模本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体发光器件的制作方法，其特征在于，包括：提供一硅衬底；在所述硅衬底一侧制作半导体层，所述半导体层包括N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述N型半导体层位于所述硅衬底一侧，所述发光层位于所述N型半导体层远离所述硅衬底一侧，所述P型半导体层位于所述发光层远离所述N型半导体层一侧；制作与所述P型半导体层相接触的P型电极，并制作与所述N型半导体层相连接的N型电极；在所述半导体层远离所述硅衬底的一侧形成铸模层，其中，所述铸模层至少覆盖所述P型电极、P型半导体层的表面、所述N型电极以及所述N型电极与所述半导体层之间的间隙，所述铸模层使所述P型电极和N型电极绝缘；减薄所述硅衬底的另一侧，并去除...

【技术特征摘要】
1.一种半导体发光器件的制作方法，其特征在于，包括：提供一硅衬底；在所述硅衬底一侧制作半导体层，所述半导体层包括N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述N型半导体层位于所述硅衬底一侧，所述发光层位于所述N型半导体层远离所述硅衬底一侧，所述P型半导体层位于所述发光层远离所述N型半导体层一侧；制作与所述P型半导体层相接触的P型电极，并制作与所述N型半导体层相连接的N型电极；在所述半导体层远离所述硅衬底的一侧形成铸模层，其中，所述铸模层至少覆盖所述P型电极、P型半导体层的表面、所述N型电极以及所述N型电极与所述半导体层之间的间隙，所述铸模层使所述P型电极和N型电极绝缘；减薄所述硅衬底的另一侧，并去除所述硅衬底的另一侧上的至少一部分，形成暴露所述N型半导体层的凹槽。2.根据权利要求1所述的半导体发光器件的制作方法，其特征在于，在制作与所述P型半导体层相接触的P型电极，并制作与所述N型半导体层相连接的N型电极的步骤之后，铸模层该方法还包括：制作与所述P型电极连接的P型pad电极，以及制作与所述N型电极连接的N型pad电极。3.根据权利要求2所述的半导体发光器件的制作方法，其特征在于，在所述半导体层远离衬底的一侧形成铸模层的步骤包括：去除覆盖在所述P型pad电极和N型pad电极上的部分所述铸模层，以暴露所述P型pad电极和N型pad电极。4.根据权利要求1至3任意一项所述的半导体发光器件的制作方法，其特征在于，该方法还包括：在所述凹槽内制作反射结构，所述反射结...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎子兰，李成果，张树昕，燕英强，刘晓燕，
申请(专利权)人：广东省半导体产业技术研究院，
类型：发明
国别省市：广东,44