【技术实现步骤摘要】
发光二极管芯片、发光二极管及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管芯片、发光二极管及其制作方法。
技术介绍
发光二极管(英文：LightEmittingDiode，简称：LED)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管。1993年在日本日亚化工工作的中村修二专利技术了基于宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)和氮化铟镓(InGaN)的具有商业应用价值的蓝光LED。这类LED得到了广泛应用，目前生产的白光LED大部分就是通过在蓝光LED上覆盖一层淡黄色荧光粉涂层制成的。现有的LED主要包括芯片和封装支架。芯片为LED的核心组件，包括衬底、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、氮化铟镓和氮化镓交替层叠形成的有源层、P型氮化镓层、N型电极和P型电极；未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、有源层、P型氮化镓层依次层叠在衬底上，P型氮化镓层的部分边缘区域设有延伸至N型半导体层的凹槽，N型电极设置在凹槽内的N型氮化镓层上，P型电极设置在P型氮化镓层上。封装支架包括固定支架、散热基座、焊盘和电极引脚；散热基座和焊盘设置在固定支架的同一表面上，衬底设置在散热基座上，N型电极和...
【技术保护点】
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括衬底(10)、未掺杂半导体层(21)、N型半导体层(22)、有源层(23)、P型半导体层(24)、N型电极(31)、P型电极(32)和隔水层(40)；所述未掺杂半导体层(21)、所述N型半导体层(22)、所述有源层(23)、所述P型半导体层(24)依次层叠在所述衬底(10)上；所述P型半导体层(24)的第一边缘区域设有延伸至所述N型半导体层(22)的第一凹槽(100)，所述N型电极(31)设置在所述第一凹槽(100)内的N型半导体层(21)上，所述P型电极(32)设置在所述P型半导体层(24)的非边缘区域上；所述P型...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括衬底(10)、未掺杂半导体层(21)、N型半导体层(22)、有源层(23)、P型半导体层(24)、N型电极(31)、P型电极(32)和隔水层(40)；所述未掺杂半导体层(21)、所述N型半导体层(22)、所述有源层(23)、所述P型半导体层(24)依次层叠在所述衬底(10)上；所述P型半导体层(24)的第一边缘区域设有延伸至所述N型半导体层(22)的第一凹槽(100)，所述N型电极(31)设置在所述第一凹槽(100)内的N型半导体层(21)上，所述P型电极(32)设置在所述P型半导体层(24)的非边缘区域上；所述P型半导体层(24)的第二边缘区域设有至少延伸至所述未掺杂半导体层的第二凹槽(200)，所述隔水层(40)至少铺设在所述第二凹槽(200)的底面(210)上；所述P型半导体层(24)的第二边缘区域和所述P型半导体层(24)的第一边缘区域围成所述P型半导体层(24)的整个边缘区域，所述P型半导体层(24)的边缘区域为自所述P型半导体层(24)的侧面向所述P型半导体层(24)的中心延伸的区域，所述P型半导体层(24)的侧面垂直于所述P型半导体层(24)设置在所述有源层(23)上的表面。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第二凹槽(200)在自所述P型半导体层(24)的侧面向所述P型半导体层(24)的中心延伸的方向上的宽度w为1μm～4μm。3.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述隔水层(40)包括依次层叠的氮化硅层(41)和二氧化硅层(42)。4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述隔水层(40)还铺设在所述第二凹槽(200)的侧面(220)上。5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第二凹槽(200)的侧面(220)与所述第二凹槽(200)的底面(210)之间的夹角α为95°～115°。6.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第二凹槽(200)的底面(210)为具有至少两个台阶(210a)的台阶状结构，所述台阶状结构中各个台阶(210a)的高度在自所述P型半导体层(24)的侧面向所述P型半导体层(24)的中心延伸的方向上逐渐增大。7...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹灵峰，吴志浩，高艳龙，魏柏林，王江波，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。