包括分布电流的硅通孔的半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种包括分布电流的硅通孔的半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体裸片至第M半导体裸片，堆叠在第一方向上。第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个半导体裸片包括：基底；第一硅通孔至第K硅通孔，在第一方向上穿过基底；以及第一电路，通过电连接到第一硅通孔的电源线接收电力。第N半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的每个硅通孔电连接到第N+1半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的在平面图中与其间隔开的硅通孔。

A Semiconductor Device Including a Distributed Current through-hole Silicon

【技术实现步骤摘要】
包括分布电流的硅通孔的半导体装置于2018年1月31日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0012102号且专利技术名称为“包括分布电流的硅通孔的半导体装置(SemiconductorDeviceIncludingThroughSiliconViasDistributingCurrent)”的韩国专利申请通过引用全部包含于此。
实施例涉及一种半导体装置，更具体的，涉及一种包括分布电流的硅通孔的半导体装置。
技术介绍
许多半导体裸片可以堆叠在半导体装置中。通常，引线键合可用来使堆叠的半导体裸片电连接。硅通孔可以用于使堆叠的半导体裸片连接，以实现高性能和高集成度的半导体装置。半导体装置可以是例如存储器装置。为了增加存储器装置的容量，会增大存储器装置中堆叠的存储器裸片的数量。随着存储器裸片的数量增大，向存储器裸片提供电源电压的硅通孔会增多。
技术实现思路
根据示例性实施例，半导体装置包括在第一方向上堆叠的第一半导体裸片至第M半导体裸片。第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个可以包括：基底；第一硅通孔至第K硅通孔，在第一方向上穿过基底；以及第一电路，通过电连接到第一硅通孔的电源线接收电力。“本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体裸片至第M半导体裸片，堆叠在第一方向上，第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个半导体裸片包括：基底；第一硅通孔至第K硅通孔，在第一方向上穿过基底，其中，“M”和“K”中的每个独立地为2或更大的整数；以及第一电路，通过电连接到第一硅通孔的电源线被提供电压和电流，其中，第一半导体裸片至第M半导体裸片中的第N+1半导体裸片堆叠在第一半导体裸片至第M半导体裸片中的第N半导体裸片上，“N”为不小于1且不大于M‑1的整数，其中，第N半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的每个硅通孔电连接到第N+1半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的一个硅通孔，其中，所述一...

【技术特征摘要】
2018.01.31 KR 10-2018-00121021.一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体裸片至第M半导体裸片，堆叠在第一方向上，第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个半导体裸片包括：基底；第一硅通孔至第K硅通孔，在第一方向上穿过基底，其中，“M”和“K”中的每个独立地为2或更大的整数；以及第一电路，通过电连接到第一硅通孔的电源线被提供电压和电流，其中，第一半导体裸片至第M半导体裸片中的第N+1半导体裸片堆叠在第一半导体裸片至第M半导体裸片中的第N半导体裸片上，“N”为不小于1且不大于M-1的整数，其中，第N半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的每个硅通孔电连接到第N+1半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的一个硅通孔，其中，所述一个硅通孔在平面图中不与第N半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的相应的硅通孔叠置，并且其中，第一半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔均连接到供应电压和电流的电源。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：第N半导体裸片的第一硅通孔电连接到第N+1半导体裸片的第K硅通孔，并且第N半导体裸片的第二硅通孔至第K硅通孔分别电连接到第N+1半导体裸片的第一硅通孔至第K-1硅通孔。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个半导体裸片的第一电路仅电连接到第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个半导体裸片的第一硅通孔。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔被划分为第一组至第G组，“G”为不小于2且不大于K-1的整数，并且包括在第一组至第G组中的每组中的硅通孔彼此电连接。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，第一电路和电源线电连接到第一组至第G组中的包括第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个半导体裸片的第一硅通孔的组。6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，包括在第一组至第G组中的每组中的硅通孔的数量为至少两个。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，包括在第一组中的硅通孔的数量不同于包括在第二组中的硅通孔的数量。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个半导体裸片还包括：第K+1硅通孔至第K+L硅通孔，在第一方向上穿过基底；以及第二电路，通过与第K+1硅通孔至第K+L硅通孔电连接的电源线接收电力，第N半导体裸片的第K+1硅通孔至第K+L硅通孔电连接到第N+1半导体裸片的第K+1硅通孔至第K+L硅通孔，其中，第N+1半导体裸片的第K+1硅通孔至第K+L硅通孔在平面图中与第N半导体裸片的第K+1硅通孔至第K+L硅通孔叠置，并且第一半导体裸片的第K+1硅通孔至第K+L硅通孔连接到电源。9.一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体裸片至第M半导体裸片，堆叠在第一方向上，第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个半导体裸片包括：基底；第一硅通孔至第K硅通孔，在第一方向上穿过基底；第一开关至第S开关，选择将要电连接到第一硅通孔至第K硅通孔的电源线；以及第一电路，通过第一开关至第S开关中的一个开关被提供电压和电流，其中，“M”、“K”和“S”中的每个独立地为2或更大的整数，其中，第一半导体裸片至第M半导体裸片中的第N+1半导体裸片堆叠在第一半导体裸片至第M半导体裸片中的第N半导体裸片上，“N”为不小于1且不大于M-1的整数，其中，第N半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的每个硅通孔电连接到第N+1半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的一个硅通孔，其中，所述一个硅通孔在平面图中与第N半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的相应的硅通孔叠置，并且其中，第一半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔连接到供应电压和电流的电源。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中：“K”等于“S”，电源线中的每条电连接到第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的一个硅通孔以及第一开关至第S开关中的一个开关，并且通过第N半导体裸片的第一开关至第S开关中的一个开关电连接到第N半导体裸片的第一电路的硅通孔不电连接到通过第N+1半导体裸片的第一开关至第S开关中的一个开关电连接到第N+1半导体裸片的第一电路的硅通孔。11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，与第N+1半导体裸片的第一电路电连接的电源线的长度短于与第N半导体裸片的第一电路电连...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢寿政，吴致成，孙教民，金勇基，文钟淏，禹昇汉，尹载允，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR