【技术实现步骤摘要】
匀气装置以及半导体工艺设备
本技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种匀气装置以及半导体工艺设备。
技术介绍
在半导体的制造工艺中，薄膜沉积是一个很重要的工艺。为了获得晶圆表面厚度均匀、质量较优的薄膜，必须使得等离子体均匀的到达晶圆的表面，目前，多数的薄膜沉积设备为了使得等离子体均匀的沉积在晶圆表面，工艺气体在输送电离的过程中都会通过一匀气装置先将工艺气体进行缓冲，以使得通过匀气装置的工艺气体分布均匀之后再完全电离成等离子体输送到晶圆表面上，进而获得理想的沉积薄膜。而对工艺气体进行缓冲主要依靠的是匀气装置中的缓流板(blocker)，此缓流板的表面上分布有很多均匀微小的气孔。参阅图1a和图1b，图1a是现有的匀气装置的剖面示意图，图1b是现有的匀气装置的立体示意图，从图1a和图1b中可看出，匀气装置主要由箱体11、缓流板12和喷头(showerhead)14组成，其中，箱体11具有空腔部111和第一外沿部112，空腔部111具有位于中心的第一气孔1111以及围绕在第一气孔1111周围的密封空腔1112，第一外沿部112围绕在空腔部111的外侧壁上；缓流板12中形成有一...
【技术保护点】
1.一种匀气装置，其特征在于，包括：箱体，具有空腔部和第一外沿部，所述空腔部具有位于中心的第一气孔以及围绕在所述第一气孔周围的密封空腔，所述第一外沿部围绕在所述空腔部的外侧壁上；以及，缓流板，具有第一凹槽部和第二外沿部，所述第一凹槽部中形成有对准所述空腔部的第一凹槽，且所述第一凹槽的底壁上设有多个第二气孔，所述第二外沿部围绕在所述第一凹槽的顶部开口的外沿上，所述第二外沿部与所述第一外沿部通过螺丝相连接。
【技术特征摘要】
1.一种匀气装置，其特征在于，包括：箱体，具有空腔部和第一外沿部，所述空腔部具有位于中心的第一气孔以及围绕在所述第一气孔周围的密封空腔，所述第一外沿部围绕在所述空腔部的外侧壁上；以及，缓流板，具有第一凹槽部和第二外沿部，所述第一凹槽部中形成有对准所述空腔部的第一凹槽，且所述第一凹槽的底壁上设有多个第二气孔，所述第二外沿部围绕在所述第一凹槽的顶部开口的外沿上，所述第二外沿部与所述第一外沿部通过螺丝相连接。2.如权利要求1所述的匀气装置，其特征在于，所述空腔部的部分或全部套设在所述第一凹槽中，且所述密封空腔中装有液体。3.如权利要求1所述的匀气装置，其特征在于，还包括第一密封圈，所述第一密封圈设置于所述第二外沿部的顶表面与所述第一外沿部的底表面之间。4.如权利要求3所述的匀气装置，其特征在于，所述第一密封圈环绕所述第一凹槽部的外侧壁设置，且所述螺丝位于所述第一密封圈的外侧。5.如权利要求1所述的匀气装置，其特征在于，还包括喷头和第二密封圈，所述喷头具有第二凹槽部和第三外沿部，所述第二凹槽...
【专利技术属性】
技术研发人员：李文强，吴孝哲，林宗贤，吴龙江，胡广严，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
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