过电流检测电路及具有过电流检测电路的集成电路制造技术

本实用新型专利技术的一实施例公开一种过电流检测电路及其相关集成电路。所述过电流检测电路包含一采样信号产生器、一信号放大器和一过电流检测信号产生器。所述采样信号产生器根据一时钟信号和一参考电压，产生一采样信号，且所述采样信号和所述检测电阻的两端的电压和所述参考电压有关。所述信号放大器根据所述采样信号和所述参考电压，产生一差值信号，且所述差值信号和所述检测电阻的两端的电压有关。所述过电流检测信号产生器根据所述差值信号，产生一过电流检测信号。因此，因为所述过电流检测信号产生器都可根据所述差值信号，产生所述过电流检测信号，所以相较于现有技术，本实用新型专利技术总是可以使所述集成电路正常执行一过电流保护功能。

【技术实现步骤摘要】
过电流检测电路及具有过电流检测电路的集成电路
本技术涉及一种过电流检测电路及其相关集成电路，尤其涉及可检测负电压的过电流检测电路及其相关集成电路。
技术介绍
在现有技术中，当一过电流检测电路应用在一集成电路时，所述过电流检测电路可检测所述集成电路内耦接于一地端的一检测电阻两端的电压差，并根据所述检测电阻两端的电压差，产生一对应的检测信号至所述集成电路内的一过电流保护电路。然而流经所述检测电阻的电流方向可能会因为所述集成电路的运作环境而改变，所以所述检测电阻两端的电压差可能为一负值，导致所述过电流检测电路可能无法产生所述对应的检测信号，也就是说所述过电流保护电路可能无法正常执行一过电流保护功能。因此，如何改进现有技术所公开的过电流检测电路已成为所述过电流检测电路的设计者的一项重要课题。
技术实现思路
本技术的一实施例公开一种过电流检测电路。所述过电流检测电路包含一采样信号产生器、一信号放大器和一过电流检测信号产生器。所述采样信号产生器耦接于一检测电阻，其中所述采样信号产生器根据一时钟信号和一参考电压，产生一采样信号，且所述采样信号和所述检测电阻的两端的电压和所述参考电压有关。所述信号放大器耦接于所述采样信号产生器，其中所述信号放大器根据所述采样信号和所述参考电压，产生一差值信号，且所述差值信号和所述检测电阻的两端的电压有关。所述过电流检测信号产生器，耦接于所述信号放大器，其中所述过电流检测信号产生器根据所述差值信号，产生一过电流检测信号。本技术的另一实施例公开一种具有过电流检测电路的集成电路。所述集成电路包含一检测电阻、一过电流检测电路和一过电流保护电路，且所述过电流检测电路包含一采样信号产生器、一信号放大器和一过电流检测信号产生器。所述采样信号产生器耦接于所述检测电阻，其中所述采样信号产生器根据一时钟信号和一参考电压，产生一采样信号，且所述采样信号和所述检测电阻的两端的电压和所述参考电压有关。所述信号放大器耦接于所述采样信号产生器，其中所述信号放大器根据所述采样信号和所述参考电压，产生一差值信号，且所述差值信号和所述检测电阻的两端的电压有关。所述过电流检测信号产生器，耦接于所述信号放大器，其中所述过电流检测信号产生器根据所述差值信号，产生一过电流检测信号。所述过电流保护电路耦接于所述过电流检测信号产生器，其中所述过电流保护电路接收所述过电流检测信号，并根据所述过电流检测信号和一参考值决定是否对应用所述集成电路的一电子系统执行一过电流保护功能。本技术公开一种过电流检测电路及其相关集成电路。所述过电流检测电路及所述集成电路是利用一采样信号产生器根据一检测电阻的两端的电压和一参考电压产生一采样信号，利用一信号放大器根据所述采样信号和所述参考电压产生一差值信号，以及利用一过电流检测信号产生器根据所述差值信号产生一过电流检测信号。由于不论所述差值信号是一正值或一负值，所述过电流检测信号产生器都可根据所述差值信号，产生所述过电流检测信号，所以本技术可克服现有技术的缺点，也就是说本技术可使一过电流保护电路正常执行一过电流保护功能。附图说明图1是本技术所公开的一种过电流检测电路的示意图。图2是说明所述集成电路为一反激式电源转换器的示意图。其中，附图标记说明如下：100过电流检测电路102采样信号产生器104信号放大器106过电流检测信号产生器108检测电阻1022多工器1024、204开关1026电容1042源极跟随器1044可编程增益放大器202第一绕组206电子装置CLK时钟信号GND、GND1、GND2地端OCS过电流检测信号PWMS脉冲宽度调制信号PRI初级侧SEC次级侧V1第一电压V2第二电压VREF参考电压VSH采样信号VDIFF差值信号VOUT输出电压具体实施方式请参照图1，图1是本技术所公开的一种过电流检测电路100的示意图，其中过电流检测电路100包含一采样信号产生器102、一信号放大器104和一过电流检测信号产生器106。如图1所示，采样信号产生器102包含一多工器(multiplexer)1022、一开关1024和一电容1026，其中多工器1022耦接于一检测电阻108以及电容1026耦接于多工器1022和开关1024之间。如图1所示，多工器1022于一时钟信号CLK的一第一电平时，接收检测电阻108的一第一端的一第一电压V1，以及于时钟信号CLK的一第二电平时，接收检测电阻108的一第二端的一第二电压V2，其中检测电阻108是耦接于一集成电路的一地端GND，且所述集成电路包含过电流检测电路100。另外，开关1024于所述第一电平时开启，以及于所述第二电平时关闭，其中所述第一电平为一高电平，所述第二电平为一低电平，以及开关1024为一N型金属氧化物半导体晶体管或一传输门(transmissiongate)。另外，在本技术的另一实施例中，所述第一电平为一低电平，所述第二电平为一高电平，以及开关1024为一P型金属氧化物半导体晶体管或一传输门。如图1所示，当时钟信号CLK于所述第一电平时，电容1026的一第一端通过多工器1022接收第一电压V1以及电容1026的一第二端通过开关1024(因为开关1024于所述第一电平时开启)接收一参考电压VREF，此时，电容1026的第二端与电容1026的第一端之间的第一电压差为VREF-V1；当时钟信号CLK于所述第二电平时，电容1026的第一端通过多工器1022接收第二电压V2，此时，电容1026的第二端与电容1026的第一端之间的第二电压差为VREF-V1+V2，其中所述第二电压差(VREF-V1+V2)为一采样信号VSH，且采样信号VSH和检测电阻108的两端的电压(第一电压V1和第二电压V2)和参考电压VREF有关。如图1所示，信号放大器104包含一源极跟随器(sourcefollower)1042和一可编程增益放大器1044。源极跟随器1042耦接于采样信号产生器102，用以接收采样信号VSH并输出采样信号VSH。可编程增益放大器1044耦接于源极跟随器1042，其中可编程增益放大器1044可根据采样信号VSH和参考电压VREF，产生一差值信号VDIFF，其中差值信号VDIFF可由式(1)决定：VDIFF＝Gx(V2-V1)(1)如式(1)所示，G为可编程增益放大器1044的增益，G大于1(因为一般说来，V2-V1介于10mV至100mV)以放大V2-V1，且差值信号VDIFF和检测电阻108的两端的电压(第一电压V1和第二电压V2)有关。如图1所示，过电流检测信号产生器106耦接于可编程增益放大器1044，其中在可编程增益放大器1044产生差值信号VDIFF后，过电流检测信号产生器106可根据差值信号VDIFF，产生一过电流检测信号OCS，其中过电流检测信号产生器106是一模拟数字转换器。而在过电流检测信号产生器106产生过电流检测信号OCS后，所述集成电路内耦接于过电流检测信号产生器106的一过电流保护电路(未绘示于图1)可根据过电流检测信号OCS和一参考值决定是否对应用所述集成电路的一电子系统执行一过电流保护功能。另外，因为如式(1)所示，差值信号VDIFF和检测电阻108的两端的电压(第一电压V1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种过电流检测电路，其特征在于包含：一采样信号产生器，耦接于一检测电阻，其中所述采样信号产生器根据一时钟信号和一参考电压，产生一采样信号，且所述采样信号和所述检测电阻的两端的电压和所述参考电压有关；一信号放大器，耦接于所述采样信号产生器，其中所述信号放大器根据所述采样信号和所述参考电压，产生一差值信号，且所述差值信号和所述检测电阻的两端的电压有关；及一过电流检测信号产生器，耦接于所述信号放大器，其中所述过电流检测信号产生器根据所述差值信号，产生一过电流检测信号。

【技术特征摘要】
2017.07.31 US 62/538,8161.一种过电流检测电路，其特征在于包含：一采样信号产生器，耦接于一检测电阻，其中所述采样信号产生器根据一时钟信号和一参考电压，产生一采样信号，且所述采样信号和所述检测电阻的两端的电压和所述参考电压有关；一信号放大器，耦接于所述采样信号产生器，其中所述信号放大器根据所述采样信号和所述参考电压，产生一差值信号，且所述差值信号和所述检测电阻的两端的电压有关；及一过电流检测信号产生器，耦接于所述信号放大器，其中所述过电流检测信号产生器根据所述差值信号，产生一过电流检测信号。2.如权利要求1所述的过电流检测电路，其特征在于所述采样信号产生器包含：一多工器，耦接于所述检测电阻，其中所述多工器于所述时钟信号的一第一电平时，接收所述检测电阻的一第一端的一第一电压，以及于所述时钟信号的一第二电平时，接收所述检测电阻的一第二端的一第二电压；一开关，其中所述开关于所述第一电平时开启，以及于所述第二电平时关闭；及一电容，耦接于所述多工器和所述开关之间，其中所述电容于所述第一电平时接收所述第一电压以及通过所述开关接收所述参考电压，以及所述电容于所述第二电平时接收所述第二电压，并产生所述采样信号。3.如权利要求2所述的过电流检测电路，其特征在于，所述第一电平为一高电平，所述第二电平为一低电平，以及所述开关为一N型金属氧化物半导体晶体管或一传输门。4.如权利要求2所述的过电流检测电路，其特征在于，所述第一电平为一低电平，所述第二电平为一高电平，以及所述开关为一P型金属氧化物半导体晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑为全，
申请(专利权)人：钰创科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾,71