基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质，该基板处理装置具备：基板保持架，其保持包含产品基板和仿真基板的多个基板；存储部，其存储装置参数，该装置参数至少包含能够载置于上述基板保持架的基板个数、以及载置于基板保持架的产品基板的个数；控制部，其根据该装置参数来生成基板移载数据，该基板移载数据包含表示输送基板的顺序的输送顺序信息、载置于基板保持架的基板的输送源信息、以及表示处理基板的处理室的输送目的地信息，控制部读取所生成的基板移载数据，使仿真基板移载到基板保持架上的基板保持区域中的均热区域以外的基板保持区域，使产品基板移载到剩余的基板保持架上的基板保持区域中的均热区域。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质
本公开涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质。
技术介绍
以往，在作为基板处理装置的一种的半导体制造装置中，在通过作为加热单元的加热器加热到规定温度的炉内，装入了作为基板的晶圆的基板保持架即晶舟被装入到炉内，对炉内进行抽真空，从反应气体导入管导入反应气体而对晶圆表面进行处理，废气从排气管排出。另外，晶舟具有多个支柱，通过刻设于该支柱的沟槽(以后，还称为槽)水平地保持多个晶圆。近年来，小批量(例如，产品基板为50个、75个)的处理成为主流。为了应对该小批量，在专利文献1中公开了一种半导体制造装置，其通过一次小批量处理对50个以下的产品基板进行处理。另外，在专利文献2中公开了一种多晶圆装置，其将产品基板分配输送到按规定个数(例如5个)分别进行处理的多个处理室，并对该产品基板进行处理。然而，近来，无法充分应对量少品种多、集成密度提高要求、质量提高要求。并且，随着产品基板的小批量化，要求开发一种兼备用于提高顾客设备开发速度的短TAT(TurnAroundTime：周转时间)化以及产品基板的多个统一处理(批量化)对应，并能够以一台对多个膜种类进行处理的装置。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2002-246432号专利文献2：日本特开2013-102125号
技术实现思路
本公开的目的在于，提供一种结构，其通过使用多个处理模块，在近年的少量多品种生产所伴随的较少批量生产中，能够量产对应。根据本公开的一个方式，提供一种结构，其具备：基板保持架，其保持包含产品基板和仿真基板的多个基板；存储部，其存储装置参数，该装置参数至少包含能够载置于上述基板保持架的基板个数、以及载置于上述基板保持架的产品基板的个数；控制部，其根据该装置参数来生成基板移载数据，该基板移载数据包含表示输送上述基板的顺序的输送顺序信息、载置于上述基板保持架的上述基板的输送源信息、以及表示处理上述基板的处理室的输送目的地信息，读取所生成的基板移载数据，使仿真基板移载到上述基板保持架上的基板保持区域中的均热区域以外的基板保持区域，使产品基板移载到剩余的上述基板保持架上的基板保持区域中的均热区域。根据本公开，可以通过使用多个处理模块，在较少批量生产中，应对量产。附图说明图1是表示优选使用于本公开的一个实施方式的基板处理装置的横截面图的一例。图2是表示优选使用于本公开的一个实施方式的基板处理装置的纵截面图的一例。图3是表示优选使用于本公开的一个实施方式的基板处理装置的处理炉的纵截面图的一例。图4是说明优选使用于本公开的一个实施方式的控制器的功能结构的图。图5是表示优选使用于本公开的一个实施方式的基板处理装置中的基板处理流程的图。图6A是表示本公开的实施方式所涉及的装置参数的图。图6B是表示本公开的实施方式所涉及的装置参数的图。图6C是表示本公开的实施方式所涉及的装置参数的图。图6D是表示本公开的实施方式所涉及的装置参数的图。图7是表示本公开的实施方式所涉及的载体信息的图。图8A是从本公开的实施方式所涉及的用户信息中判别加工模块PM的流程图。图8B是从本公开的实施方式所涉及的载体信息中判别加工模块PM的流程图。图9A是表示本公开的实施方式所涉及的作业生成处理流程的图。图9B是表示本公开的实施方式所涉及的材料使用确定处理流程的图。图10A是表示本公开的实施方式所涉及的处理模块确定流程的图。图10B是表示本公开的实施方式所涉及的处理模块确定流程的图。图11A是表示本公开的实施方式所涉及的使用对象载体选定工序的图。图11B是表示本公开的实施方式所涉及的使用优先顺序排序工序的图。图12是表示本公开的实施方式所涉及的基板移载数据的图。图13是生成本公开的实施方式所涉及的基板移载数据的流程图。附图标记说明200：晶圆(基板)；217：晶舟(基板保持架)。具体实施方式(基板处理装置的概要)接着，根据图1、图2说明本公开的实施方式。在应用本公开的实施方式中，作为一例，基板处理装置构成为实施半导体装置(IC)的制造方法中的处理装置的基板处理装置。此外，在以下说明中，说明作为基板处理装置而应用对基板进行氧化、扩散处理、CVD处理等的立式装置(以下，简称为处理装置)的情况。如图1、图2所示，基板处理装置10具备相邻的两个后述的作为处理炉202的处理模块PM(ProcessModule)。处理模块PM为对作为几十个基板的晶圆200统一进行处理的立式处理模块PM。例如在每个处理模块PM中能够对20个～100个(优选25个～75个)左右的基板200进行处理。在处理炉202的下方配置有作为准备室的输送室6A、6B。在输送室6A、6B的正面侧与输送室6A、6B相邻地配置有移载室8，该移载室8具有移载晶圆200的移载机即晶圆移载机构125。此外，在本实施方式中，说明在输送室6A、6B的上方分别设置有后述的处理炉202的结构。在移载室8的正面侧设置有收纳室9(晶圆盒输送空间)，该收纳室9收纳收容多个晶圆200的收容容器(载体)即晶圆盒(FOUP)110。在收纳室9的整面上设置有作为I/O端口的装卸部22，经由装卸部22在处理装置2内外搬入搬出晶圆盒110。晶圆盒110上设置有25个载置晶圆200的保持部(以后，称为槽)。在输送室6A、6B与移载室8的边界壁(相邻面)上设置有作为隔离部的闸阀90A、90B。在移载室8内和输送室6A、6B内分别设置有压力检测器，移载室8内的压力设定为低于输送室6A、6B内的压力。另外，在移载室8内和输送室6A、6B内分别设置有氧浓度检测器，移载室8A内和输送室6A、6B内的氧浓度维持为低于大气中的氧浓度。优选维持为30ppm以下。在移载室8的顶部构成为，设置有向移载室8内提供净化空气的净化单元(未图示)，在移载室8内作为净化空气，例如使惰性气体进行循环。在移载室8内通过惰性气体进行循环吹扫，由此能够使移载室8内处于洁净气氛。通过这种结构，能够抑制在移载室8内输送室6A、6B的微粒等混入到未图示的处理炉202这一情况，能够抑制在移载室8内和输送室6A、6B内在晶圆200上形成自然氧化膜这一情况。在收纳室9的后方、收纳室9与移载室8的边界壁上配置有多台例如三台用于开闭晶圆盒110的盖的开盒器21。开盒器21打开晶圆盒110的盖，由此晶圆盒110内的晶圆200被搬入搬出到移载室8内外。如图2所示，收容由硅等构成的多个晶圆200，使用晶圆盒110的基板处理装置10具备用作基板处理装置主体的框体111。在框体111的正面壁的正面前方部处开设了以能够维护的方式设置的开口部即正面维护口(未图示)，分别设置有开闭该正面维护口的正面维护门。另外，在正面壁处以与框体111内外连通的方式开设晶圆盒搬入搬出口。晶圆盒搬入搬出口也可以构成为通过前闸门(未图示)开闭。在晶圆盒搬入搬出口设置有用作搬入搬出部的装卸部22，装卸部22构成为对晶圆盒110进行载置并对位。晶圆盒110在装卸部22上由工序内输送装置搬入，并且从装卸部22上搬出。在框体111的正面后方侧在晶圆盒搬入搬出口周边的上下左右呈矩阵状设置有收纳架(晶圆盒架))105。晶圆盒架105设置有作为载置晶圆盒的收纳部的载置部140。收纳部由该载置部140以及使载置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：基板保持架，其保持包含产品基板和仿真基板的多个基板；存储部，其存储装置参数，该装置参数至少包含能够载置于上述基板保持架的基板个数、以及载置于上述基板保持架的产品基板的个数；控制部，其根据该装置参数来生成基板移载数据，该基板移载数据包含表示输送上述基板的顺序的输送顺序信息、载置于上述基板保持架的上述基板的输送源信息、以及表示处理上述基板的处理室的输送目的地信息，上述控制部读取所生成的基板移载数据，使仿真基板移载到上述基板保持架上的基板保持区域中的均热区域以外的基板保持区域，使产品基板移载到剩余的上述基板保持架上的基板保持区域中的均热区域。

【技术特征摘要】
2017.12.20 JP 2017-243741;2018.12.07 JP 2018-229661.一种基板处理装置，其特征在于，具备：基板保持架，其保持包含产品基板和仿真基板的多个基板；存储部，其存储装置参数，该装置参数至少包含能够载置于上述基板保持架的基板个数、以及载置于上述基板保持架的产品基板的个数；控制部，其根据该装置参数来生成基板移载数据，该基板移载数据包含表示输送上述基板的顺序的输送顺序信息、载置于上述基板保持架的上述基板的输送源信息、以及表示处理上述基板的处理室的输送目的地信息，上述控制部读取所生成的基板移载数据，使仿真基板移载到上述基板保持架上的基板保持区域中的均热区域以外的基板保持区域，使产品基板移载到剩余的上述基板保持架上的基板保持区域中的均热区域。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述基板移载数据包含以下信息作为上述输送源信息：表示存储载置于上述基板保持架的上述产品基板或上述仿真基板的载体的信息、以及表示上述产品基板或上述仿真基板被载置于上述载体的槽号的信息。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述基板处理装置还具备监视器基板，上述基板移载数据将上述输送顺序信息设定成在输送上述产品基板之后输送上述监视器基板。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在载置于上述基板保持架的产品基板的个数被设定为能够载置于上述基板保持架的基板个数以下时，上述控制部生成上述基板移载数据使得输送到从多个处理室中选择的一个处理室。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在载置于上述基板保持架的产品基板的个数被设定为多于能够载置于上述基板保持架的基板个数时，上述控制部生成上述基板移载数据使得进行分配输送。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在载置于上述基板保持架的产品基板的个数被设定为多于能够载置于上述载体的基板个数时，上述控制部生成上述基板移载数据使得进行分配输送。7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在载置于上述基板保持架的产品基板的个数被设定为能够载置于上述载体的基板个数以下时，上述控制部生成上述基板移载数据使得输送到从多个处理室选择的一个处理室。8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置还具有分别定义维护项目和维护编号的装置参数，上述控制部对以相当于上述维护编号的上述维护项目定义的项目的各处理室中的当前值分别进行比较，并决定输送上述基板的上述处理室的顺序。9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置还具有按每个膜种类对上述载体进行定义的装置参数，上述控制部在上述载体被输入到装置时获取...

【专利技术属性】
技术研发人员：守田修，山冈雄治，久保修一，越卷寿朗，北本博之，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP