晶界层半导体瓷片的烧成联体炉制造技术

晶界层半导体瓷片的烧成联体炉，其特征在于：它包括排胶炉体（１）、还原烧成炉体（２）和氧化炉体（３），排胶炉体（１）用于瓷料的锻烧和排胶，还原烧成炉体（２）用于排胶后的瓷片还原烧成，氧化炉体（３）用于还原烧成后的瓷片氧化，排胶炉体（１）的炉膛（１ａ）、还原烧成炉体（２）的炉膛（２ａ）和氧化炉体（３）的炉膛（３ａ）连通；排胶炉体（１）、还原烧成炉体（２）和氧化炉体（３）内分别设有传送装置（１０、１１、１２），可沿炉膛推动承烧物；排胶炉体（１）和还原烧成炉体（２）间设有气幕（４、５）；还原烧成炉体（２）和氧化炉体（３）间设有闸门（６、７），闸门（６）外侧设有火帘（８），形成火帘密封；控温装置（１３）连接排胶炉体（１）、还原烧成炉体（２）和氧化炉体（３），分别控制此三个炉体内的烧结温度；排胶炉体（１）上设有排气装置（１４），以排出排胶炉体（１）内胶体碳化物、一氧化碳、二氧化碳气体；还原烧成炉体（２）和气体配比装置（１６）通过气管连接起来，气体配比装置（１６）又同氢气氮气发生装置（１５）相连接，氢气氮气发生装置（１５）和气体配比装置（１６）提供给还原烧成炉体（２）按所要求气体浓度成份；氧化炉体（３）上设有送风装置（１７）及排气装置（１８）。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子元件
，特指一种晶界层半导体瓷片的烧成联体炉。
技术介绍
半导体陶瓷电容器包括表面层和晶界层两类，按IEC标准属III型陶瓷电容器，具有体积小，容量大等优点，广泛应用于电子信息产品中。本公司曾于2002年4月29日向国家知识产权局专利局提出申请号为02115171.7，名称为晶界层半导体陶瓷电容器制造方法的专利技术专利申请。本公司开发出一次性烧成的晶界层半导体陶瓷电容器主体-晶界层半导体瓷片的瓷料配方和生产工艺方法，即还原烧成后，不再涂覆氧化剂，而直接进入氧化，无需涂覆氧化剂后再进行氧化，从而实现大规模产业化生产。本技术就是用于完成晶界层半导体陶瓷电容器主体-晶界层半导体瓷片一次性烧成的烧成联体炉。
技术实现思路
本技术的目的就在于提供一种晶界层半导体陶瓷电容器的瓷片还原烧成后，不再涂覆氧化剂，而直接进入氧化的一次性烧成的烧成联体炉。本技术是通过如下技术方案实现的晶界层半导体瓷片的烧成联体炉，它包括排胶炉体、还原烧成炉体和氧化炉体，排胶炉体用于瓷料的锻烧和排胶，还原烧成炉体用于排胶后的瓷片还原烧成，氧化炉体用于还原烧成后的瓷片氧化，排胶炉体、还原烧成炉体和氧化炉体的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：章士瀛，王守士，王振平，吴宾，张卓宇，余如鳌，
申请(专利权)人：广东南方宏明电子科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：