互连结构及其制造方法技术

本申请公开了一种互连结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述互连结构包括：衬底；在所述衬底上的电介质层，所述电介质层具有延伸到所述衬底的开口；在所述开口的底部和侧壁上的阻挡层，所述阻挡层包括钌层；在所述阻挡层上填充所述开口的金属层。本申请可以降低互连结构的电阻率，简化工艺流程。

【技术实现步骤摘要】
互连结构及其制造方法
本申请涉及半导体
，尤其涉及一种互连结构及其制造方法。
技术介绍
在后道工艺(BEOL)的互连结构的制造过程中，在对电介质层进行刻蚀形成开口后，通常需要在开口的底部和侧壁上沉积阻挡层，以阻挡后续沉积的金属向电介质层中扩散。目前，一般采用基于钽(Ta)的材料作为阻挡层，例如Ta、氮化钽(TaN)等。然而，采用这样的材料作为阻挡层至少具有以下问题：1、电阻率比较高；2、在电镀形成金属时必须先形成籽晶层，工艺复杂。因此，在更小节点工艺中，有必要提出一种新的互连结构。
技术实现思路
本申请的一个目的在于至少解决上述问题中的一个。根据本申请的一方面，提供了一种互连结构，包括：衬底；在所述衬底上的电介质层，所述电介质层具有延伸到所述衬底的开口；在所述开口的底部和侧壁上的阻挡层，所述阻挡层包括钌层；在所述阻挡层上填充所述开口的金属层。在一个实施例中，所述阻挡层还包括：在所述开口的底部和侧壁上的第一氮化钽层；其中，所述钌层位于所述第一氮化钽层之上。在一个实施例中，所述阻挡层还包括：在所述第一氮化钽层和所述钌层之间的第二氮化钽层；其中，所述第二氮化钽层中掺杂有硅。在一个实施例中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种互连结构，其特征在于，包括：衬底；在所述衬底上的电介质层，所述电介质层具有延伸到所述衬底的开口；在所述开口的底部和侧壁上的阻挡层，所述阻挡层包括钌层；在所述阻挡层上填充所述开口的金属层。

【技术特征摘要】
1.一种互连结构，其特征在于，包括：衬底；在所述衬底上的电介质层，所述电介质层具有延伸到所述衬底的开口；在所述开口的底部和侧壁上的阻挡层，所述阻挡层包括钌层；在所述阻挡层上填充所述开口的金属层。2.根据权利要求1所述的互连结构，其特征在于，所述阻挡层还包括：在所述开口的底部和侧壁上的第一氮化钽层；其中，所述钌层位于所述第一氮化钽层之上。3.根据权利要求2所述的互连结构，其特征在于，所述阻挡层还包括：在所述第一氮化钽层和所述钌层之间的第二氮化钽层；其中，所述第二氮化钽层中掺杂有硅。4.根据权利要求1-3任意一项所述的互连结构，其特征在于，所述钌层包括：第一钌层和在所述第一钌层上的第二钌层；其中，所述第一钌层中掺杂有硅。5.根据权利要求1所述的互连结构，其特征在于，还包括：在所述阻挡层与所述金属层之间的籽晶层。6.根据权利要求1所述的互连结构，其特征在于，所述金属层包括铜层。7.根据权利要求1所述的互连结构，其特征在于，所述开口包括延伸到所述电介质层中的沟槽和位于该沟槽下的至少一个通孔。8.一种互连结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底结...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓浩，周鸣，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11