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本申请公开了一种互连结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述互连结构包括：衬底；在所述衬底上的电介质层，所述电介质层具有延伸到所述衬底的开口；在所述开口的底部和侧壁上的阻挡层，所述阻挡层包括钌层；在所述阻挡层上填充所述开口的金属层。...该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。