一种元胞结构、功率半导体器件及电子设备制造技术

本实用新型专利技术提供了一种元胞结构、功率半导体器件及电子设备，该元胞结构基材，设置在所述基材上的多个单排排列的沟槽，其中，至少部分所述沟槽内设置有横向加强侧壁；且所述沟槽的侧壁上设置有用于将被所述横向加强侧壁封堵的沟槽与其他沟槽导电连通的缺口。通过在形成的沟槽中部分增加横向加强侧壁来增强整个元胞结构的整体强度，并且通过设置的缺口使得沟槽导电连通，从而可以在开设比较密集的沟槽，提高功率半导体器件的性能。

A Cellular Structure, Power Semiconductor Device and Electronic Equipment

【技术实现步骤摘要】
一种元胞结构、功率半导体器件及电子设备
本技术涉及到电子
，尤其涉及到一种元胞结构、功率半导体器件及电子设备。
技术介绍
功率半导体器件，广泛应用于各种功率控制电路、驱动电路等电路中。尤其是在各种变频电机、光伏逆变及智能电网、新能源汽车、电力机车牵引驱动等领域有着不可替代的作用。功率半导体技术经过数十年时间的发展，IGBT和MOSFET逐步成为当今电力电子领域的主流器件。尤其在高电压、大电流等大功率应用场景中，IGBT几乎占据了绝对的主导地位。广泛应用于各种功率控制电路、驱动电路等电路中。尤其是在各种变频电机、光伏逆变及智能电网、新能源汽车、电力机车牵引驱动等领域有着不可替代的作用。当前最先进的IGBT技术莫过于沟槽型场终止IGBT技术(TrenchFS-IGBT)，采用此种技术生产的IGBT器件通常都需要严格控制整个芯片的厚度，一般的，650V电压的FS-IGBT，厚度在60～80um左右。功率半导体器件一般通过半导体制程技术制作在硅晶圆上，然后再进行划片切割，打线封装等步骤，最终形成封装完成的成品器件。与其他的功率半导体器件相比，IGBT器件的厚度非常的薄，以至于一片IGB本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种元胞结构，其特征在于，包括：基材，设置在所述基材上的多个单排排列的沟槽，其中，至少部分所述沟槽内设置有横向加强侧壁；且所述沟槽的侧壁上设置有用于将被所述横向加强侧壁封堵的沟槽与其他沟槽导电连通的缺口。

【技术特征摘要】
1.一种元胞结构，其特征在于，包括：基材，设置在所述基材上的多个单排排列的沟槽，其中，至少部分所述沟槽内设置有横向加强侧壁；且所述沟槽的侧壁上设置有用于将被所述横向加强侧壁封堵的沟槽与其他沟槽导电连通的缺口。2.如权利要求1所述的元胞结构，其特征在于，所述设置有横向加强侧壁的沟槽内设置有多个横向加强侧壁，且任意两个横向加强侧壁之间的沟槽的槽壁中至少一个侧壁上设置有所述缺口。3.如权利要求2所述的元胞结构，其特征在于，所述设置有横向加强侧壁的沟槽中，任意相邻的两个沟槽中，至少有一个横向加强侧壁与所述两个沟槽的公...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾丹，史波，肖婷，何昌，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44