【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种GaN?HEMT微波功率器件脉冲直流测试系统，通过分析仪测试GaN?HEMT微波功率器件，其特征是，分析仪的两个输出端分别通过一偏置器Bias?Tee将同步脉冲射频信号加载到被测器件GaN?HEMT的栅极或漏极；两路不同电压等级的直流电源通过两组开关分别加载在两个偏置器Bias?Tee上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：沈美根，陈强，郑立荣，张复才，多新中，姚荣伟，闫锋，张梦苑，
申请(专利权)人：江苏博普电子科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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