一种高功率半导体激光器封装模块及方法技术

本发明专利技术涉及一种高功率半导体激光器封装方法，包含以下步骤：利用贴片封装技术把mini bar条封装到金刚石热沉上；把金刚石热沉封装到OFC无氧铜散热底座上；键合金丝引线。通过使用高热导率金刚石热沉材料，提升高功率半导体激光器散热效率，降低半导体激光器工作温度的高效封装，可以显著提高器件工作的寿命和可靠性。

High power semiconductor laser packaging module and method

The invention relates to a high power semiconductor laser packaging method comprises the following steps: using mini technology to SMD package bar package to the diamond heat sink; the diamond heat sink encapsulated into OFC oxygen free copper cooling base; key alloy wire. By using the high thermal conductivity of diamond heat sink materials, enhance the cooling efficiency of high power semiconductor lasers, reduce the high temperature package of semiconductor laser device, can significantly improve the working life and reliability.

【技术实现步骤摘要】
一种高功率半导体激光器封装模块及方法
本专利技术涉及高功率半导体激光
，具体涉及一种高功率半导体激光器封装模块及方法。
技术介绍
高功率半导体激光器因为其具有高功率、长寿命、可靠性高、体积小的优点，在工业加工、泵浦光纤激光器、固体激光器泵浦领域有着非常重要而广泛的用途。半导体激光器转换效率一般在50％-70％之间，余下的注入的电能都转换成了热量，因此半导提升体激光器散效率，降低半导体激光器工作温度是提高半导体激光器工作的可靠性和稳定性以及使用寿命的关键。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的缺点与不足，提供一种高功率半导体激光器封装方法，包含以下步骤：A、利用贴片封装技术把minibar条封装到金刚石热沉上；B、把金刚石热沉封装到OFC无氧铜散热底座上；C、键合金丝引线。进一步的，所述步骤A的贴装精度5um以内，贴片温度360℃，高温持续时间5分钟。进一步的，所述步骤B的加热温度170℃，高温持续时间5分钟。进一步的，所述步骤C利用金丝球焊机，在minibar上键合金丝引线，金丝直径50微米。一种高功率半导体激光器封装模块，包括minibar条，封装minibar条的金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高功率半导体激光器封装方法，其特征在于包含以下步骤：A、利用贴片封装技术把mini bar条封装到金刚石热沉上；B、把金刚石热沉封装到OFC无氧铜散热底座上；C、键合金丝引线。

【技术特征摘要】
1.一种高功率半导体激光器封装方法，其特征在于包含以下步骤：A、利用贴片封装技术把minibar条封装到金刚石热沉上；B、把金刚石热沉封装到OFC无氧铜散热底座上；C、键合金丝引线。2.一种根据权利要求1所述的高功率半导体激光器封装方法，其特征在于所述步骤A的贴装精度5um以内，贴片温度360℃，高温持续时间5分钟。3.一种根据权利要求1所述的高功率半导体激光器封装方法，其特征在于所述步骤B的加热温度170...

【专利技术属性】
技术研发人员：丛海兵，郝明明，牟中飞，陶丽丽，招瑜，李京波，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东,44