半导体封装件及其制造方法技术

本公开提供一种半导体封装件及其制造方法，该半导体封装件包括支撑构件，支撑构件具有腔并且包括布线结构，布线结构使支撑构件的彼此相对的第一表面和第二表面连接。连接构件，位于支撑构件的第二表面上并且包括连接到布线结构的第一重新分布层。半导体芯片，位于连接构件上，位于腔中，并且具有连接到第一重新分布层的连接焊盘。包封件，包封设置于腔中的半导体芯片并且覆盖支撑构件的第一表面。第二重新分布层，位于支撑构件的第一表面上并且包括布线图案和连接过孔，布线图案嵌入在包封件中并且具有暴露的表面，连接过孔贯穿包封件以使布线结构和布线图案彼此连接。

Semiconductor Package and Its Manufacturing Method

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件及其制造方法本申请要求于2017年10月26日提交到韩国知识产权局的第10-2017-0139983号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
本公开涉及一种半导体封装件及其制造方法。
技术介绍
半导体封装件已被持续地要求制造得更薄并且更轻，并且半导体封装件需要以要求复杂性和多功能性的系统级封装(SiP)形式来实现。根据这样的发展趋势，扇出型晶圆级封装(FOWLP)最近已经变得突出，并且已经进行了通过对这样的FOWLP应用数种技术来满足半导体封装的要求的尝试。例如，在诸如无线保真(Wi-Fi)模块的特定封装件中，可能需要后侧重新分布层(RDL)以在与器件(set)的引脚匹配的同时用作散热垫。然而，这样的后侧重新分布层需要单独的线工艺来进行额外的光刻。
技术实现思路
本公开的一方面可提供一种半导体封装件，所述半导体封装件具有能够通过简化的工艺实现的重新分布层。根据本公开的一方面，一种半导体封装件通过在包封件的表面上层压预先制备的重新分布层而实现。根据本公开的一方面，一种半导体封装件可包括支撑构件，支撑构件具有腔并且包括布线结构，所述布线结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装件，包括：支撑构件，具有腔并且包括布线结构，所述布线结构使所述支撑构件的彼此相对的第一表面和第二表面连接；连接构件，位于所述支撑构件的所述第二表面上并且包括连接到所述布线结构的第一重新分布层；半导体芯片，位于所述连接构件上，位于所述腔中，并且具有连接到所述第一重新分布层的连接焊盘；包封件，包封位于所述腔中的所述半导体芯片并且覆盖所述支撑构件的所述第一表面；及第二重新分布层，位于所述支撑构件的所述第一表面上，包括布线图案并具有连接过孔，所述布线图案嵌入在所述包封件中并且具有暴露的表面，所述连接过孔贯穿所述包封件以使所述布线结构和所述布线图案彼此连接。

【技术特征摘要】
2017.10.26 KR 10-2017-01399831.一种半导体封装件，包括：支撑构件，具有腔并且包括布线结构，所述布线结构使所述支撑构件的彼此相对的第一表面和第二表面连接；连接构件，位于所述支撑构件的所述第二表面上并且包括连接到所述布线结构的第一重新分布层；半导体芯片，位于所述连接构件上，位于所述腔中，并且具有连接到所述第一重新分布层的连接焊盘；包封件，包封位于所述腔中的所述半导体芯片并且覆盖所述支撑构件的所述第一表面；及第二重新分布层，位于所述支撑构件的所述第一表面上，包括布线图案并具有连接过孔，所述布线图案嵌入在所述包封件中并且具有暴露的表面，所述连接过孔贯穿所述包封件以使所述布线结构和所述布线图案彼此连接。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述连接过孔贯穿所述布线图案。3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述布线图案具有敞开的区域，并且所述连接过孔位于所述布线图案的所述敞开的区域中。4.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述连接过孔的上表面的中央部分凹陷。5.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述连接过孔的与所述布线图案接触的第一区域的宽度大于所述连接过孔的与所述布线结构接触的第二区域的宽度。6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二重新分布层的暴露的表面具有与所述包封件的表面大体共面的上表面。7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二重新分布层还包括绝缘层，所述绝缘层具有彼此相对的第一表面和第二表面，所述第二表面与所述包封件接触，并且所述第二重新分布层的所述布线图案包括第一布线图案和第二布线图案，所述第一布线图案嵌入在所述绝缘层的所述第一表面中，所述第二布线图案位于所述绝缘层的所述第二表面上并且嵌入在所述包封件中。8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，所述第二重新分布层的所述连接过孔包括第一连接过孔，所述第一连接过孔贯穿所述绝缘层和所述包封件、连接到所述第一布线图案和所述第二布线图案并且连接到所述布线结构。9.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，所述第二重新分布层的所述连接过孔还包括第二连接过孔，所述第二连接过孔贯穿所述绝缘层和所述包封件、连接到所述第二布线图案并且连接到所述布线结构，其中，所述第二连接过孔与所述第一布线图案不直接接触。10.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，所述第二重新分布层的所述连接过孔还包括中间层过孔，所述中间层过孔贯穿所述绝缘层并且使所述第一布线图案和所述第二布线图案彼此连接。11.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，所述中间层过孔的与所述第二布线图案接触的第一部分的宽度大于所述中间层过孔的与所述第一布线图案接触的第二部分的宽度。12.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，所述中间层过孔与所述第二布线图案具有一体化结构。13.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一重新分布层具有多个第一焊盘区域，及第一钝化层，位于所述第一重新分布层的表面上，具有使所述多个第一焊盘区域暴露的开口。14.一种半导体封装件，包括：支撑构件，具有腔并且包括布线结构，所述布线结构使所述支撑构件的彼此相对的第一表面和第二表面连接；连接构件，位于所述支撑构件的所述第二表面上并且包括连接到所述布线结构的第一重新分布层；半导体芯片，位于所述连接构件上，位于所述腔中，并且具有连接到所述第一重新分布层的连接焊盘；包封件，包封位于所述腔中的所述半导体芯片并且覆盖所述支撑构件的所述第一表面；及第二重新分布层，位于所述支撑构件的所述第一表面上并且包括：绝缘层，具有彼此相对的第一表面和第二表面；第一布线图案，嵌入...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔益准，李在彦，郑光玉，高永宽，卞贞洙，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR