半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开半导体装置。半导体装置具备：半导体元件，具有信号焊盘；密封体，密封半导体元件；以及引线，连接于信号焊盘。引线从位于密封体的外部的第1端延伸至位于密封体的内部的第2端，在密封体的内部经由键合线连接于信号焊盘。从引线的第1端延伸至第2端的上表面具有：接合区间，接合键合线；以及粗糙面区间，位于密封体的内部，并且上述粗糙面区间的表面粗糙度比接合区间大。而且，粗糙面区间的至少一部分位于比接合区间靠下方的位置。

Semiconductor Device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本说明书公开的技术涉及半导体装置。
技术介绍
在日本特开2017-55044号公报中公开了半导体装置。该半导体装置具备：半导体元件，具有信号焊盘；密封体，密封半导体元件；以及引线，连接于信号焊盘。引线从位于密封体的外部的第1端延伸至位于密封体的内部的第2端，在密封体的内部经由键合线(Bondingwire)连接于信号焊盘。从引线的第1端延伸至第2端的上表面具有：接合区间，接合键合线；以及粗糙面区间，位于密封体的内部，并且该粗糙面区间的表面粗糙度比接合区间大。根据这样的结构，由于设置于引线的粗糙面区间而引线与密封体的粘合性提高。
技术实现思路
在上述半导体装置的制造工序中，通过激光照射而在引线形成粗糙面区间，接着，在引线的接合区间接合键合线。关于这一点，当对引线实施激光照射时，有时微小的碎片(例如氧化物)从照射部位飞散，引线的表面被污染。特别是，当这样的碎片附着于接合区间时，引线与键合线之间的接合强度有可能会不足。本说明书提供能够解决或者改善这样的问题的技术。本说明书公开的技术被具体化为半导体装置。该半导体装置具备：半导体元件，具有信号焊盘；密封体，密封半导体元件；以及引线，连本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，具备：半导体元件，具有信号焊盘；密封体，密封所述半导体元件；以及引线，从位于所述密封体的外部的第1端延伸至位于所述密封体的内部的第2端，在所述密封体的内部经由键合线连接于所述信号焊盘，从所述引线的所述第1端延伸至所述第2端的上表面具有：接合区间，接合所述键合线；以及粗糙面区间，位于所述密封体的内部，并且所述粗糙面区间的表面粗糙度比所述接合区间大，所述粗糙面区间的至少一部分位于比所述接合区间靠下方的位置。

【技术特征摘要】
2017.10.31 JP 2017-2113361.一种半导体装置，具备：半导体元件，具有信号焊盘；密封体，密封所述半导体元件；以及引线，从位于所述密封体的外部的第1端延伸至位于所述密封体的内部的第2端，在所述密封体的内部经由键合线连接于所述信号焊盘，从所述引线的所述第1端延伸至所述第2端的上表面具有：接合区间，接合所述键合线；以及粗糙面区间，位于所述密封体的内部，并且所述粗糙面区间的表面粗糙度比所述接合区间大，所述粗糙面区间的至少一部分位于比所述接合区间靠下方的位置。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述粗糙面区间的整体位于比所述接合区间靠下方的位置。3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其中，所述粗糙面区间朝向所述接合区间向上方倾斜。4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其中，所述引线的所述上...

【专利技术属性】
技术研发人员：武直矢，儿玉幸雄，大岛正范，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP