重布线路结构制造技术

本发明专利技术的实施例公开一种重布线路结构。重布线路结构包括第一导电结构、介电层及第二导电结构。介电层设置在所述第一导电结构之上且暴露出所述第一导电结构的一部分。第二导电结构设置在所述介电层中以电连接到所述第一导电结构，且包括第一导电层及第二导电层，所述第二导电层设置在所述第一导电层上且电连接到所述第一导电层，其中所述第一导电层包括上表面，所述上表面在整个边缘处具有突起部。

Redistribution line structure

【技术实现步骤摘要】
重布线路结构
本专利技术的实施例涉及一种重布线路结构。
技术介绍
在集成电路(integratedcircuit，IC)的制造期间，依序实行半导体制造工艺的多步骤以在半导体工件上逐渐地形成电子电路。光刻(lithography)是此种半导体制造工艺中的一个步骤。光刻是将几何图案转移到半导体工件的工艺。光刻可通过例如光刻法(photolithography)、带电粒子光刻(chargedparticlelithography)或纳米压印光刻(nanoimprintlithography)来实行。
技术实现思路
本专利技术实施例的一种重布线路结构包括第一导电结构、介电层及第二导电结构。介电层设置在所述第一导电结构之上且暴露出所述第一导电结构的一部分。第二导电结构设置在所述介电层中以电连接到所述第一导电结构，且包括第一导电层及第二导电层，所述第二导电层设置在所述第一导电层上且电连接到所述第一导电层，其中所述第一导电层包括上表面，所述上表面在整个边缘处具有突起部。附图说明结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本专利技术的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种重布线路结构，其特征在于，包括：第一导电结构；介电层，设置在所述第一导电结构之上且暴露出所述第一导电结构的一部分；以及第二导电结构，设置在所述介电层中以电连接到所述第一导电结构，且包括第一导电层及第二导电层，所述第二导电层设置在所述第一导电层上且电连接到所述第一导电层，其中所述第一导电层包括上表面，所述上表面在整个边缘处具有突起部。

【技术特征摘要】
2017.10.31 US 62/579,824;2018.01.22 US 15/877,3281.一种重布线路结构，其特征在于，包括：第一导电结构；介电层，设置在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜尚耘，萧景文，吴胜郁，陈清晖，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71