TSV结构及TSV露头方法技术

技术编号:20946352 阅读:45 留言:0更新日期:2019-04-24 03:10
本发明专利技术提供了一种TSV结构及TSV露头方法。该TSV结构包括:衬底;TSV导电柱,贯穿于衬底正面和衬底背面设置,且TSV导电柱具有延伸出衬底背面的露头部分;光敏性有机绝缘层,覆盖于衬底背面并包裹露头部分,光敏性有机绝缘层具有远离衬底背面的第一表面,且光敏性有机绝缘层中具有由第一表面向TSV导电柱延伸的通孔。由于上述TSV结构中采用光敏性有机绝缘层替代了现有技术中的SiO2或SiN等绝缘介质,仅需要光刻即可实现TSV露头,从而不需要TSV刻蚀非常均匀,降低了工艺难度,并且不需要CMP工艺,工艺成本低廉。

TSV Structure and TSV Outcrop Method

The invention provides a TSV structure and a TSV outcrop method. The TSV structure includes: a substrate; a TSV conductive column, which runs through the front and back of the substrate, and the TSV conductive column has an outcrop extending out from the back of the substrate; a photosensitive organic insulating layer, covering the back of the substrate and wrapping the outcrop part, a photosensitive organic insulating layer with a first surface far from the back of the substrate, and a photosensitive organic insulating layer with a first surface conducting from the first surface to the TSV in the photosensitive organic insulating layer. The hole through which the column extends. Because the photosensitive organic insulating layer is used in the TSV structure to replace the insulating medium such as SiO 2 or SiN in the existing technology, the TSV outcrop can be realized only by photolithography, thus the TSV etching is not required to be very uniform, the process difficulty is reduced, and the CMP process is not needed, and the process cost is low.

【技术实现步骤摘要】
TSV结构及TSV露头方法
本专利技术涉及微电子封装
,具体而言,涉及一种TSV结构及TSV露头方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展,集成电路的特征尺寸不断缩小,器件互连密度不断提高。传统的二维封装已经不能满足业界的需求,因此基于TSV垂直互连的叠层封装方式以其短距离互连和高密度集成的关键技术优势,逐渐引领了封装技术发展的趋势。前段TSV技术是把TSV导电柱做在晶圆里面的,在使用TSV导电柱进行三维集成封装时,需要对衬底进行减薄使得TSV露头,实现TSV导电柱的背面导电引出。后续工艺一般是先用气相法沉积一层绝缘介质把晶圆背面保护起来,然后从晶圆背面进行CMP抛光工艺,对TSV导电柱上的绝缘介质进行去除以实现露头。然而TSV导电柱露出的高度并不统一,高度差异甚至超过10μm,因此需要对TSV导电柱刻蚀均匀性非常高,否则极有可能对晶圆表面造成损伤,或者导致某些区域较低的导电柱没有被成功移除绝缘介质,造成后续的互联失效,而且还需要昂贵的CMP工艺。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种TSV结构及TSV露头方法,以解决现有技术中的TSV露头方法易造成结构损伤或失效问题。为了实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TSV结构,其特征在于,包括:衬底(10);TSV导电柱(20),贯穿于所述衬底正面(110)和所述衬底背面(120)设置,且所述TSV导电柱(20)具有延伸出所述衬底背面(120)的露头部分;光敏性有机绝缘层(40),覆盖于所述衬底背面(120)并包裹所述露头部分,所述光敏性有机绝缘层(40)具有远离所述衬底背面(120)的第一表面,且所述光敏性有机绝缘层(40)中具有由所述第一表面向所述TSV导电柱(20)延伸的通孔(410)。

【技术特征摘要】
1.一种TSV结构,其特征在于,包括:衬底(10);TSV导电柱(20),贯穿于所述衬底正面(110)和所述衬底背面(120)设置,且所述TSV导电柱(20)具有延伸出所述衬底背面(120)的露头部分;光敏性有机绝缘层(40),覆盖于所述衬底背面(120)并包裹所述露头部分,所述光敏性有机绝缘层(40)具有远离所述衬底背面(120)的第一表面,且所述光敏性有机绝缘层(40)中具有由所述第一表面向所述TSV导电柱(20)延伸的通孔(410)。2.根据权利要求1所述的TSV结构,其特征在于,沿所述衬底背面(120)指向所述第一表面的方向上,所述露头部分的高度大于0.5μm。3.根据权利要求1所述的TSV结构,其特征在于,沿所述衬底背面(120)指向所述第一表面的方向上,所述通孔(410)的高度大于2μm。4.根据权利要求1所述的TSV结构,其特征在于,所述光敏性有机绝缘层(40)为PI层或PBO层。5.根据权利要求1所述的TSV结构,其特征在于,所述光敏性有机绝缘层(40)的所述第一表面高于所述TSV导电柱(20)与所述通孔(410)接触的表面。6.根据权利要求1至5中任一项所述的TSV结构,其特征在于,所述TSV结构还包括绝缘介质层(30),所述绝缘介质层(30)包裹所述TSV导电柱(20)。7.一种TSV露头方法,其特征在于,包括以下步骤:S1,在衬底中设置TSV导电柱(20),使所述TSV导电柱(20)贯穿衬底正面(110)和衬底背面(120),且所述TSV导电柱(20)的一端延伸出所述衬底背面(120)形成露头部分;S2,在所述衬底背面(120)形成光敏性有机绝缘层(40),以使所述光敏性有机绝缘层(40)包裹所述露头部分,所述光敏性有机绝缘层(40)具有远离所述衬底背面(12...

【专利技术属性】
技术研发人员:戴风伟
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
类型:发明
国别省市:北京,11

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