半导体结构、半导体器件及存储装置制造方法及图纸

本公开提供一种半导体结构、半导体器件及存储装置，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括芯片、电源线和第一焊盘组件；电源线设于芯片，且沿预设方向延伸；第一焊盘组件，设于芯片且位于电源线一侧，第一焊盘组件具有多个沿预设方向分布的间隙，以将第一焊盘组件分割为至少四个焊盘；间隙包括第一间隙、第二间隙和第三间隙，第一间隙和第二间隙的宽度均大于第三间隙；第一焊盘组件的焊盘包括电源焊盘，电源焊盘与电源线连接，且位于第一间隙和第二间隙之间；电源焊盘、第一间隙和第二间隙均位于电源线的两端之间。本公开的半导体结构可避免因部分芯片故障而造成的产品故障，有利于提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构、半导体器件及存储装置
本公开涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体结构、半导体器件及存储装置。
技术介绍
随着半导体技术的发展，芯片堆叠技术已经广泛的应用于各类存储器，例如DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器)等。通常需要将多个芯片堆叠起来，并进行连接，形成一个整体，以提高性能。但是，对于堆叠设置的多个芯片而言，有些芯片可能会存在电路故障，导致芯片出现功能失效或漏电等问题，难以正常工作，且在堆叠后，会，会造成最终产品出现故障，使产品良率较低。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种半导体结构、半导体器件及存储装置，可避免因部分芯片故障而造成的产品故障，有利于提高产品良率。根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构，包括：芯片；电源线，设于所述芯片，且沿预设方向延伸；第一焊盘组件，设于所述芯片且位于所述电源线一侧，所述第一焊盘组件具有多个沿所述预设方向分布的间隙，以将所述第一焊盘组件分割为至少四个焊盘；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：芯片；电源线，设于所述芯片，且沿预设方向延伸；第一焊盘组件，设于所述芯片且位于所述电源线一侧，所述第一焊盘组件具有多个沿所述预设方向分布的间隙，以将所述第一焊盘组件分割为至少四个焊盘；所述间隙包括第一间隙、第二间隙和第三间隙，所述第一间隙和所述第二间隙的宽度均大于所述第三间隙；所述第一焊盘组件的焊盘包括电源焊盘，所述电源焊盘与所述电源线连接，且位于所述第一间隙和所述第二间隙之间；所述电源焊盘、所述第一间隙和所述第二间隙均位于所述电源线的两端之间。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：芯片；电源线，设于所述芯片，且沿预设方向延伸；第一焊盘组件，设于所述芯片且位于所述电源线一侧，所述第一焊盘组件具有多个沿所述预设方向分布的间隙，以将所述第一焊盘组件分割为至少四个焊盘；所述间隙包括第一间隙、第二间隙和第三间隙，所述第一间隙和所述第二间隙的宽度均大于所述第三间隙；所述第一焊盘组件的焊盘包括电源焊盘，所述电源焊盘与所述电源线连接，且位于所述第一间隙和所述第二间隙之间；所述电源焊盘、所述第一间隙和所述第二间隙均位于所述电源线的两端之间。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一间隙和所述第二间隙中至少一个的宽度不小于15μm。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一焊盘组件的焊盘还包括：第一焊盘，位于所述电源焊盘一侧，且与所述电源焊盘相邻，所述第一间隙为所述第一焊盘与所述电源焊盘间的间隙；第二焊盘，位于所述电源焊盘远离所述第一焊盘的一侧，且与所述电源焊盘相邻，所述第二间隙为所述第二焊盘与所述电源焊盘间...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34