【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
以往，作为电子模块等半导体装置中的一种，将从直流电源输入的直流电力转换为交流电力后进行输出的逆变器(Inverter)装置已被普遍认知。逆变器装置例如是将直流电压转换为三相交流电压，并被用于三相电机的驱动。例如，在以往的半导体装置中，是将高端(High-side)与低端(Low-side)的电子元件(MOSFET)的电极与引线端子(引线框(Leadframe))通过连接件焊锡接合的(例如，参照特开2011-49244)。在该以往的半导体装置中，通过将连接件的前端嵌入形成于引线端子前端表面的凹陷部中，从而将引线端子与连接件进行相对定位。然而，一旦当连接件被施加了水平方向的力，该引线端子的凹陷部就无法保持与该连接件的嵌合状态，从而导致产生错位。一旦该连接件在连接上发生接触不良的状况，就会降低该电子元件的控制性从而导致半导体装置的可靠性降低。另外，为了提升半导体装置的可靠性，有必要将引线端子进行适宜地封装。本专利技术鉴于上述课题，目的是提供一种半导体装置，其能够使连接件再规定的位置上与引线端子相连接，并且能够在抑制接触不...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：封装部；第一电子元件，配置在所述封装部内，并且其上端面配置有第一电极；第一引线端子，其一端的上端面在所述封装部内载置有所述第一电子元件，其另一端从沿所述封装部的长度方向的一端侧露出；第二引线端子，其一端在所述封装部内与所述第一引线端子的一端靠近配置，其另一端从沿所述封装部的所述长度方向的另一端侧露出；第一连接件，配置在所述封装部内，其一端与所述第一电子元件的所述第一电极电气连接，其另一端与所述第二引线端子的所述一端电气连接；以及导电性接合材料，将所述第一连接件的所述另一端与所述第二引线端子的所述一端之间接合并且具有导电性，其中，在所述第...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，包括：封装部；第一电子元件，配置在所述封装部内，并且其上端面配置有第一电极；第一引线端子，其一端的上端面在所述封装部内载置有所述第一电子元件，其另一端从沿所述封装部的长度方向的一端侧露出；第二引线端子，其一端在所述封装部内与所述第一引线端子的一端靠近配置，其另一端从沿所述封装部的所述长度方向的另一端侧露出；第一连接件，配置在所述封装部内，其一端与所述第一电子元件的所述第一电极电气连接，其另一端与所述第二引线端子的所述一端电气连接；以及导电性接合材料，将所述第一连接件的所述另一端与所述第二引线端子的所述一端之间接合并且具有导电性，其中，在所述第二引线端子的所述一端的上端面上配置有：在将所述第一连接件的所述另一端与所述第二引线端子的所述一端之间接合时用于封堵溶融后的所述导电性接合材料的，并且从所述第二引线端子的所述一端的所述上端面突出的壁部。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述壁部与所述第一连接件的所述另一端相接触。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述第一电子元件的所述第一电极为所述第一电子元件的控制电极。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述导电性接合材料被形成为在进行所述接合时通过表面张力与所述壁部接触。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述第二引线端子的所述一端的上端面上的所述壁部的高度比所述第二引线端子的所述一端的上端面上的所述导电性接合材料的高度更高。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述壁部配置在所述第二引线端子的所述一端的所述上端面上使其与所述第二引线端子的所述一端所延伸的延伸方向相垂直延伸。7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：其中，在所述第二引线端子的所述一端的上端面上配置有多个所述壁部。8.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述导电性接合材料为焊锡材料。9.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述第一引线端子的厚度与所述第二引线端子的厚度相同。10.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述第二引线端子的一端的上端面的高度比所述第一电子元件的所述第一电极的上端面的高度更高。11.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述壁部延伸的长度与所述第二引线端子的所述一端的宽度相同。12.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在...
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